基础知识：70个常见IC封装术语详解(上）

reasonant-j

1、BGA(ball grid array)
# Y0 T& ?; w7 I6 W6 k8 p0 G, b
, ?+ H4 b, C0 u. A& T* O    球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200，是多引脚LSI 用的一种封装。 封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如，引脚中心距为1.5mm 的360 引脚 BGA 仅为31mm 见方;而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚QFP 为40mm 见方。而且BGA 不 用担心QFP 那样的引脚变形问题。该封装是美国Motorola 公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可能在个人计算机中普及。初，BGA 的引脚(凸点)中心距为1.5mm，引脚数为225。现在 也有一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。 BGA 的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为 ，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。 美国Motorola公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC 和GPAC)。
% t% }- V! u# X0 @4 x
    2、BQFP(quad flat package with bumper)
& i- S* ]( d/ {
9 B& E" o6 s4 z6 ?% r, x    带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP 封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫) 以 防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC 等电路中 采用 此封装。引脚中心距0.635mm，引脚数从84 到196 左右(见QFP)。
: W) f. J% X% @- s2 i  F/ ?
) f' H1 j9 l& W    3、碰焊PGA(butt joint pin grid array) 表面贴装型PGA 的别称(见表面贴装型PGA)。

    4、C-(ceramic)
5 V5 _& t! Z- n- c
    表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。

, b* M* }# d( l' q    5、Cerdip

    用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECL RAM，DSP(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的Cerdip 用于紫外线擦除型EPROM 以及内部带有EPROM 的微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从8 到42。在日本，此封装表示为DIP-G(G 即玻璃密封的意思)。
; ~: j" A' g( q! K8 k* u
3 A& o0 v5 Y- _    6、Cerquad
& l" X: J' }0 X" z5 m( U8 u' p
    表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封装DSP 等的逻辑LSI 电路。带有窗口的Cerquad 用于封装EPROM 电路。散热性比塑料QFP 好，在自然空冷条件下可容许1. 5～ 2W 的功率。但封装成本比塑料QFP 高3～5 倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、 0.5mm、 0.4mm 等多种规格。引脚数从32 到368。

1 _* K% }2 P$ r& T2 |" I* z4 ?    7、CLCC(ceramic leaded chip carrier)
- j* \# }- {% E( j: _& b) \; Y
- V  Q  V6 r) L& T- ?    带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形。 带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM 以及带有EPROM 的微机电路等。此封装也称为 QFJ、QFJ-G(见QFJ)。
  T) T4 B( l1 s; k) U0 _/ R2 z
    8、COB(chip on board)

    板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与 基 板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB是简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB 和倒片焊技术。
5 z- @" @, o& O9 Q% r
    9、DFP(dual flat package)

    双侧引脚扁平封装。是SOP 的别称(见SOP)。以前曾有此称法，现在已基本上不用。

& |; E  }* ^- w  u- ]% o; Z7 w( o    10、DIC(dual in-line ceramic package)
9 u0 S8 W3 f, j! H
7 \  w7 E3 d% [+ c8 Q    陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP).

    11、DIL(dual in-line)
, B. J# [: @) ~3 m" i2 }* B
    DIP 的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。
" |" s) U) D" u, @
    12、DIP(dual in-line package)
* V& V9 ^6 A& Q5 Q3 L
    双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种 。 DIP 是普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从6 到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm 和10.16mm 的封装分别称为skinny DIP 和slim DIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加区分， 只简单地统称为DIP。另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP也称为cerdip(见cerdip)。
) {% P! w9 N# R" W" J
( G. e  l1 K" F$ {& r$ u8 z) K    13、DSO(dual small out-lint)
8 W, h+ W7 I& I  E
    双侧引脚小外形封装。SOP 的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。
) s- I/ c3 x& Z
    14、DICP(dual tape carrier package)

    双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于 利 用的是TAB(自动带载焊接)技术，封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI，但多数为 定制品。 另外，0.5mm 厚的存储器LSI 簿形封装正处于开发阶段。在日本，按照EIAJ(日本电子机械工业)会标准规定，将DICP 命名为DTP。
5 p; s+ h2 L9 }. ?  K  @* v
    15、DIP(dual tape carrier package)

    同上。日本电子机械工业会标准对DTCP 的命名(见DTCP)。
% `5 ?& b& e9 H& z& W5 `
  S3 k5 g' c) K' v( d" M; I    16、FP(flat package)
: E& h0 t5 _; \% C2 ^$ g# \
) j3 x" u2 b9 O/ E+ e' x    扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP 或SOP(见QFP 和SOP)的别称。部分半导体厂家采 用此名称。
6 g( \) W! l" Y8 U
    17、flip-chip

    倒焊芯片。裸芯片封装技术之一，在LSI 芯片的电极区制作好金属凸点，然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有 封装技 术中体积、薄的一种。 但如果基板的热膨胀系数与LSI 芯片不同，就会在接合处产生反应，从而影响连接的可 靠 性。因此必须用树脂来加固LSI 芯片，并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。

    18、FQFP(fine pitch quad flat package)

' ]6 N" E1 O; q9 \1 C" {    小引脚中心距QFP。通常指引脚中心距小于0.65mm 的QFP(见QFP)。部分导导体厂家采 用此名称。

/ P+ h6 D! L5 J' K. x& n    19、CPAC(globe top pad array carrier)
5 K- }7 g: M. y
  n& w- C) \( y) Z    美国Motorola 公司对BGA 的别称(见BGA)。
+ @8 `( |! Y3 |5 ~
    20、CQFP(quad fiat package with guard ring)
* k9 a- y5 [- ~2 `; y* ^
    带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料QFP之一，引脚用树脂保护环掩蔽，以防止弯曲变 形。 在把LSI 组装在印刷基板上之前，从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L 形状)。 这种封装在美国Motorola公司已批量生产。引脚中心距0.5mm，引脚数多为208 左右。
- y( K3 D. ?& \2 {8 y
    21、H-(with heat sink)

    表示带散热器的标记。例如，HSOP 表示带散热器的SOP。
0 w, U  z4 H9 ~
" K( I5 E( \( f' t6 v    22、pin grid array(suRFace mount type)
: m5 O  A6 k6 v) H# \
    表面贴装型PGA。通常PGA 为插装型封装，引脚长约3.4mm。表面贴装型PGA 在封装的 底面有陈列状的引脚，其长度从1.5mm 到2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法，因而 也称 为碰焊PGA。因为引脚中心距只有1.27mm，比插装型PGA 小一半，所以封装本体可制作得不怎么大，而引脚数比插装型多(250～528)，是大规模逻辑LSI 用的封装。封装的基材有 多层陶 瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。

    23、JLCC(J-leaded chip carrier)

& U2 J+ X; L2 f7 g- B/ {    J 形引脚芯片载体。指带窗口CLCC 和带窗口的陶瓷QFJ 的别称(见CLCC 和QFJ)。部分半 导体厂家采用的名称。
8 p; `3 x3 l; A1 f3 V
$ U+ v) y' @! [2 {8 B7 M    24、LCC(Leadless chip carrier)
; D5 V$ l$ s$ V4 `' C, _( y* Y
    无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是高速和高频IC 用封装，也称为陶瓷QFN 或QFN-C(见QFN)。
9 x1 F# P. U0 K% W
    25、LGA(land grid array)

* t5 t# S# Q- v2 H; R    触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现 已 实用的有227 触点(1.27mm 中心距)和447 触点(2.54mm 中心距)的陶瓷LGA，应用于高速 逻辑 LSI 电路。 LGA 与QFP 相比，能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外，由于引线的阻抗小，对于高速LSI 是很适用的。但由于插座制作复杂，成本高，现在基本上不怎么使用 。预计 今后对其需求会有所增加。

    26、LOC(lead on chip)

    芯片上引线封装。LSI 封装技术之一，引线框架的前端处于芯片上方的一种结构，芯片的中心附近制作有凸焊点，用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面 附近的 结构相比，在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm 左右宽度。

  ~2 c0 |3 {2 F    27、LQFP(low profile quad flat package)
7 @# i/ v) y- v9 o
    薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm 的QFP，是日本电子机械工业会根据制定的新QFP 外形规格所用的名称。
1 t6 K0 c8 n8 C6 b! a4 X
) S9 T, N8 H, c) U. |7 _3 I    28、L-QUAD

6 p  n2 K8 t) M4 u3 Y    陶瓷QFP 之一。封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高7～8 倍，具有较好的散热性。 封装的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封，从而抑制了成本。是为逻辑LSI 开发的一种 封装， 在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208 引脚(0.5mm 中心距)和160 引脚 (0.65mm 中心距)的LSI 逻辑用封装，并于1993 年10 月开始投入批量生产。
, e9 J* O& a/ R7 v( G2 l6 M
( ~! ~4 [8 ]4 o' L: w8 q    29、MCM(multi-chip module)
) G- q  }4 y2 o: H5 A& `
4 N; g% ?/ X+ s* N# m# A, x+ v    多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可分为MCM-L，MCM-C 和MCM-D 三大类。 MCM-L 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高，成本较低。MCM-C 是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件，与使用多层陶瓷基板的厚膜混合IC 类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM-L。
$ n# g9 N5 Z0 x9 \4 |
    MCM-D 是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al 作为基板的组 件。 布线密谋在三种组件中是的，但成本也高。

    30、MFP(mini flat package)

    小形扁平封装。塑料SOP 或SSOP 的别称(见SOP 和SSOP)。部分半导体厂家采用的名称。

KIObole

quad flat package with bumper

yourjun

剩下40个封装介绍还有吗