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在工作中遇到功率MOSFET比较特别的现象

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  • TA的每日心情
    奋斗
    2021-12-29 15:54
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    [LV.3]偶尔看看II

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    1#
    发表于 2021-3-25 19:43 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    在工作中偶然发现功率MOSFET栅极居然有 浮栅效应 不知道这种功率MOSFET带浮栅效应是不是正常现象,发现这种现象能不能拿到诺贝尔奖呢: J- h4 q) \: E$ c/ g4 B2 z
    ' K) O$ y* i* L6 Z! w$ r1 }# o1 J
  • TA的每日心情
    奋斗
    2021-12-29 15:54
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    [LV.3]偶尔看看II

    推荐
     楼主| 发表于 2021-3-26 17:42 | 只看该作者
    SIN2020 发表于 2021-3-26 09:25
    ! q! D, A0 f/ d* x; `0 c( `正常现象吧!诺贝尔奖有点夸张了,兄弟。嘻嘻嘻
      m; E0 n# o2 h& L: m  r
    功率MOS管 能有 NAND 的FGMOS 的功能? 两个结构都不是一样的 如果功率MOS能有存储电荷的能力 还要FGMOS干什么 。隧道二极管也是在工作中发现的 只是国内环境很难。
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    该用户从未签到

    2#
    发表于 2021-3-26 09:25 | 只看该作者
    正常现象吧!诺贝尔奖有点夸张了,兄弟。嘻嘻嘻

    点评

    功率MOS管 能有 NAND 的FGMOS 的功能? 两个结构都不是一样的 如果功率MOS能有存储电荷的能力 还要FGMOS干什么 。隧道二极管也是在工作中发现的 只是国内环境很难。  详情 回复 发表于 2021-3-26 17:42
  • TA的每日心情
    开心
    2021-4-13 15:14
  • 签到天数: 10 天

    [LV.3]偶尔看看II

    3#
    发表于 2021-3-26 09:45 | 只看该作者
    几个菜啊,喝成这样

    该用户从未签到

    4#
    发表于 2021-3-26 10:34 | 只看该作者
    兄弟,加个花生米就不会喝成这样了。
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