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中国做不出高端芯片(7nm,5nm),具体卡在了哪一步?

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发表于 2021-3-4 13:36 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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主要卡脖子的是生产设备和原材料
9 L+ R9 O$ J. y( N生产设备这边主要是光刻机,其次离子注入机等等,原材料这边主要是光刻胶,其次还有各种其他的材料。1 {1 h/ J) s# P4 R
生产工艺这边,ICRD等都有研究以及部分专利。
0 h) G( I1 f7 p2 W9 u$ [9 L设计这边海思几乎有全套的自研架构,包括gpu。
" r4 J) s  ]1 d4 T$ pEDA这边海思据说有自研的工具。
/ E* K1 y& g" q9 G8 V# p3 S' }, V! _: m4 K, G4 e
现在的问题是,ssa800只要不翻车,smee就是世界第二的光刻机制造商,可以反超尼康佳能。/ W+ ?/ `/ U! l: W( m
而各种其他设备进展未知。
! H7 H9 ^# @( a% X. R& Q5 C: ~2 T# m: R% q8 r" {
芯片生产分成两步,第一步是去美,第二部才是纯国产。去美主要是做出amat lam等设备和材料的替代,欧洲日韩供应商仍然可以供应。纯国产是第二步。
* m# [8 N" P2 a现阶段能立刻拉出来的去美或者纯国产,是在13 0nm以上。45nm有望明年实现去美,28nm大概要2022年。
  Y$ _: Q/ [! x" R9 Z等到28nm能解决,小海思基本上都能续。等到7nm解决,大海思的生产就不再会完全没法做。$ m: ^, k6 q8 C4 M

7 O0 `/ m0 n9 X% J: W2 n( v" X- @$ g! {, h% N& O. ~6 o

8 G# @; v6 d% m' r7 h% {5 q0 w; }% Q# x- b; [: m7 B7 C2 V
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