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中国做不出高端芯片(7nm,5nm),具体卡在了哪一步?

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发表于 2021-3-4 13:36 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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主要卡脖子的是生产设备和原材料) V& Z9 L6 Y* Q( z3 W8 ?
生产设备这边主要是光刻机,其次离子注入机等等,原材料这边主要是光刻胶,其次还有各种其他的材料。3 K8 d% F) }4 |- L6 N0 u1 H
生产工艺这边,ICRD等都有研究以及部分专利。
  I: {0 u( }7 `- e设计这边海思几乎有全套的自研架构,包括gpu。! n/ J# Z: m8 U; r$ E
EDA这边海思据说有自研的工具。
# d6 @+ S$ c/ }; s& m4 M. k8 @/ O" o1 \& F1 G
现在的问题是,ssa800只要不翻车,smee就是世界第二的光刻机制造商,可以反超尼康佳能。" \( G9 D5 y9 E+ m
而各种其他设备进展未知。
! w/ a* p! A6 _& N; c6 C* n/ c+ _/ u% ~8 `
芯片生产分成两步,第一步是去美,第二部才是纯国产。去美主要是做出amat lam等设备和材料的替代,欧洲日韩供应商仍然可以供应。纯国产是第二步。
! ~9 X% `$ f- F' \$ j9 l3 ^- z1 L. J现阶段能立刻拉出来的去美或者纯国产,是在13 0nm以上。45nm有望明年实现去美,28nm大概要2022年。
+ Y' g4 s; ]$ e7 b/ m4 Z等到28nm能解决,小海思基本上都能续。等到7nm解决,大海思的生产就不再会完全没法做。( U/ D9 @( d( k

! v- r1 w/ D# Q" D4 a0 q9 T3 S& W7 U& e3 {4 g! K* ?7 i

# G/ \1 s8 Y8 {$ L; a
# u- \6 O, f+ k
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