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中国做不出高端芯片(7nm,5nm),具体卡在了哪一步?

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发表于 2021-3-4 13:36 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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主要卡脖子的是生产设备和原材料
! [* ?9 Y+ f3 w. t生产设备这边主要是光刻机,其次离子注入机等等,原材料这边主要是光刻胶,其次还有各种其他的材料。
! z/ e* A# y- ~生产工艺这边,ICRD等都有研究以及部分专利。
8 h& y7 {1 k" S/ Z0 U4 ?) ?设计这边海思几乎有全套的自研架构,包括gpu。
8 _& s, N  B0 z$ eEDA这边海思据说有自研的工具。
/ r8 o# x; u3 x5 N4 d0 Z% r, a9 ^+ ~2 \" W  F9 S
现在的问题是,ssa800只要不翻车,smee就是世界第二的光刻机制造商,可以反超尼康佳能。9 ^, B/ R  q$ M; A; i- t
而各种其他设备进展未知。9 {/ w3 z  S2 |  T- D  G, ?/ Y( x

) O' y% j8 A7 |# L$ B芯片生产分成两步,第一步是去美,第二部才是纯国产。去美主要是做出amat lam等设备和材料的替代,欧洲日韩供应商仍然可以供应。纯国产是第二步。
: r+ Y! n6 p- R9 i7 y8 d; X- j现阶段能立刻拉出来的去美或者纯国产,是在13 0nm以上。45nm有望明年实现去美,28nm大概要2022年。
- k" V* j* J0 R, J等到28nm能解决,小海思基本上都能续。等到7nm解决,大海思的生产就不再会完全没法做。' j. E* X! z0 {" \$ P

) H- f2 d- r) N! g# [- Y" M6 d9 y6 m0 b0 n& n
: o8 l0 C) ]# _7 u
$ j+ z% x) F* P
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