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开关模式电源电流检测方法

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发表于 2021-3-1 14:02 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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电流检测电阻的位置连同开关稳压器架构决定了要检测的电流。检测的电流包括峰值电感电流、谷值电感电流(连续导通模式下电感电流的最小值)和平均输出电流。检测电阻的位置会影响功率损耗、噪声计算以及检测电阻监控电路看到的共模电压。
  W* o, u& I4 L5 X" U9 L- Q+ X( C. v$ n3 q
放置在降压调节器高端9 a, D1 F$ J' f: U+ W
对于降压调节器,电流检测电阻有多个位置可以放置。当放置在顶部MOSFET的高端时(如图1所示),它会在顶部MOSFET导通时检测峰值电感电流,从而可用于峰值电流模式控制电源。但是,当顶部MOSFET关断且底部MOSFET导通时,它不测量电感电流。& u7 B5 E7 R- |
1 A/ J" p" i) `3 z. R
* `# z* {# X& v; G1 U
图1.带高端RSENSE的降压转换器6 E6 v5 O1 @4 B8 A& G- P

- V0 l: o) X* J8 R4 P8 J+ ]& u3 e在这种配置中,电流检测可能有很高的噪声,原因是顶部MOSFET的导通边沿具有很强的开关电压振荡。为使这种影响最小,需要一个较长的电流比较器消隐时间(比较器忽略输入的时间)。这会限制最小开关导通时间,并且可能限制最小占空比(占空比 = VOUT/VIN)和最大转换器降压比。注意在高端配置中,电流信号可能位于非常大的共模电压(VIN)之上。
3 f/ I7 @5 u* `) T# \3 \7 i) _8 ~. o  ]5 d2 k& S: }
放置在降压调节器低端
& ~- r# ]8 X; N! K3 D图2中,检测电阻位于底部MOSFET下方。在这种配置中,它检测谷值模式电流。为了进一步降低功率损耗并节省元件成本,底部FET RDS(ON)可用来检测电流,而不必使用外部电流检测电阻RSENSE。
2 F0 M1 m, y- l+ W9 `) m( |' s$ U
1 A. L4 x5 |7 h/ a3 p- k

' ], n) \; G% O  N图2.带低端RSENSE的降压转换器
) j6 [: j8 C/ l: R: X- V
: B/ ]) r, q& I' A7 k  l这种配置通常用于谷值模式控制的电源。它对噪声可能也很敏感,但在这种情况下,它在占空比较大时很敏感。谷值模式控制的降压转换器支持高降压比,但由于其开关导通时间是固定/受控的,故最大占空比有限。
) V. {, c% p- B1 N$ L; U4 D, K, H) _7 p
降压调节器与电感串联
9 I& h' r; M" g1 D; d# b2 K4 T% d图3中,电流检测电阻RSENSE与电感串联,因此可以检测连续电感电流,此电流可用于监测平均电流以及峰值或谷值电流。所以,此配置支持峰值、谷值或平均电流模式控制。# x  Z! v# s+ N; Z" f* c
. Q. N* v3 [7 g5 ~3 q
9 h2 c1 j7 E% T9 t! Q9 D
图3.RSENSE与电感串联+ E- t" A! T6 g+ ^* g+ v/ {2 E/ M' x
4 _: K' G- M) j* a: o
这种检测方法可提供最佳的信噪比性能。外部RSENSE通常可提供非常准确的电流检测信号,以实现精确的限流和均流。但是,RSENSE也会引起额外的功率损耗和元件成本。为了减少功率损耗和成本,可以利用电感线圈直流电阻(DCR)检测电流,而不使用外部RSENSE。7 F/ q8 H9 X4 \' g9 z7 E
% e9 Z$ d, v+ U3 w' J1 d
放置在升压和反相调节器的高端  N) n' X  E( q  k6 K0 t
对于升压调节器,检测电阻可以与电感串联,以提供高端检测(图4)。" S3 m; W9 c2 g4 c( M

% A' t# L$ H7 J3 p; U
8 I' k7 f! @. q! b# r/ C, Y' @
图4.带高端RSENSE的升压转换器
0 r- M( |6 |6 {" U: d
8 C( H; F, A8 N6 {6 n1 s' H+ `升压转换器具有连续输入电流,因此会产生三角波形并持续监测电流。3 o2 n1 \# G- t$ }/ M; g

4 a! T2 i$ L: J7 x放置在升压和反相调节器的低端
& }8 j5 S0 \6 d1 _6 n; s检测电阻也可以放在底部MOSFET的低端,如图5所示。此处监测峰值开关电流(也是峰值电感电流),每半个周期产生一个电流波形。MOSFET开关切换导致电流信号具有很强的开关噪声。8 B1 r0 F% X1 x0 V9 n8 t
! y1 v4 S) _* y1 e

0 h8 B, C$ R8 i& u5 V' I0 C图5.带低端RSENSE的升压转换器
$ D/ B1 W2 x9 n  V2 K- g
) t. y( I' _% K) Y, }; J转换器低端或与电感串联
# O& G5 y7 ~0 f4 g& I1 z4 O2 c. I图6显示了一个4开关升降压转换器,其检测电阻位于低端。当输入电压远高于输出电压时,转换器工作在降压模式;当输入电压远低于输出电压时,转换器工作在升压模式。在此电路中,检测电阻位于4开关H桥配置的底部。器件的模式(降压模式或升压模式)决定了监测的电流。
3 m- ~- b: t. Y' ]
& Q, f0 S; d* i/ J) |
4 q$ i8 x4 y' c* d& B( a0 s; q
图6.RSENSE位于低端的升降压转换器8 Z# k. Q: ~( G1 {0 N4 I5 f

4 C8 |" l" D) Q. f6 h* e: }在降压模式下(开关D一直导通,开关C一直关断),检测电阻监测底部开关B电流,电源用作谷值电流模式降压转换器。0 v. [: n/ ^0 [; L0 j5 U
  k! w2 G) f8 Q" M) M8 |
在升压模式下(开关A一直导通,开关B一直关断),检测电阻与底部MOSFET (C)串联,并在电感电流上升时测量峰值电流。在这种模式下,由于不监测谷值电感电流,因此当电源处于轻负载状态时,很难检测负电感电流。负电感电流意味着电能从输出端传回输入端,但由于这种传输会有损耗,故效率会受损。对于电池供电系统等应用,轻负载效率很重要,这种电流检测方法不合需要。/ f6 \, M1 o0 e% b: a* Z9 k
: H7 u4 }7 a9 E) f
图7电路解决了这个问题,其将检测电阻与电感串联,从而在降压和升压模式下均能连续测量电感电流信号。由于电流检测RSENSE连接到具有高开关噪声的SW1节点,因此需要精心设计控制器IC,使内部电流比较器有足够长的消隐时间。: b: E3 F* l; d7 {0 ]7 j7 L

- K# C- v3 O& W, M

* @6 E% p  r% V7 S: i! H图7.LT8390升降压转换器,RSENSE与电感串联7 L2 `* r2 Y7 y, i3 h

, E3 t. k4 E; h7 A7 P% g- d, A输入端也可以添加额外的检测电阻,以实现输入限流;或者添加在输出端(如下图所示),用于电池充电或驱动LED等恒定输出电流应用。这种情况下需要平均输入或输出电流信号,因此可在电流检测路径中增加一个强RC滤波器,以减少电流检测噪声。5 i2 T  P5 F% A$ }$ {% T9 L5 v

% @" N- M5 N' U  t4 `: u上述大多数例子假定电流检测元件为检测电阻。但这不是强制要求,而且实际上往往并非如此。其他检测技术包括使用MOSFET上的压降或电感的直流电阻(DCR)。这些电流检测方法在第三部分“电流检测方法”中介绍。9 s2 i5 x) j. O/ E/ K

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发表于 2021-3-1 14:29 | 只看该作者
这种配置通常用于谷值模式控制的电源。它对噪声可能也很敏感,但在这种情况下,它在占空比较大时很敏感。谷值模式控制的降压转换器支持高降压比,但由于其开关导通时间是固定/受控的,故最大占空比有限。
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