TA的每日心情 | 开心 2020-11-14 15:25 |
---|
签到天数: 1 天 [LV.1]初来乍到
|
EDA365欢迎您登录!
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
场效应管广泛使用在模拟电路中与数字电路中,和我们的生活密不可分。场效应管的优势在于:首先驱动电路比较简单。场效应管需要的驱动电流比BJT则小得多,而且通常可以直接由CMOS或者集电极开路TTL驱动电路;某次场效应管的开关速度比较迅速,能够以较高的速度工作,因为没有电荷存储效应;另外场效应管没有二次击穿失效机理,它在温度越高时往往耐力越强,而且发生热击穿的可能性越低,还可以在较宽的温度范围内提供较好的性能。场效应管已经得到了大量应用,在消费电子、工业产品、机电设备、智能手机以及其他便携式数码电子产品中随处可见。, a5 M4 |6 k! |9 A- c5 [
' f N( N& @" R, K5 @4 m# Y5 |7 M
惠海半导体MOS管采用SGT工艺,性能优越,品质好,具有高频率、大电流、低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、低温升、高转换效率、过电流大、抗冲击能力强、开关损耗小等的优点。" H, M) }- i: T. V' S* J( _% W8 T; h
【免费提供方案及技术支持,免费提供样品测试~】8 h0 y: w, N8 V: e: E# d) H
" h/ t5 g' _( u' }5 |MOS管型号:HG021N10L-A7 u1 o$ J4 C2 Y4 C
参数:100V25A(25N10)
: ^7 {. `# n. H% a% D- ]# _! n内阻:25mR(VGS=10V)8 q5 z5 Q: {; E' T$ j& Q z9 X- w" P
结电容:839pF
1 k9 s, b9 o6 D5 @) Q) P4 ?类型:SGT工艺NMOS$ r& P! C. H& T( ]7 L( w
开启电压:1.4V
N& m" L$ t8 Q% U( u! S- o封装:TO-2529 E! g3 m. j1 }$ v/ a% O. B: _
) I, {% c5 R, p4 O
0 H# \& i+ M2 [
|
|