TA的每日心情 | 开心 2020-11-14 15:25 |
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场效应管广泛使用在模拟电路中与数字电路中,和我们的生活密不可分。场效应管的优势在于:首先驱动电路比较简单。场效应管需要的驱动电流比BJT则小得多,而且通常可以直接由CMOS或者集电极开路TTL驱动电路;某次场效应管的开关速度比较迅速,能够以较高的速度工作,因为没有电荷存储效应;另外场效应管没有二次击穿失效机理,它在温度越高时往往耐力越强,而且发生热击穿的可能性越低,还可以在较宽的温度范围内提供较好的性能。场效应管已经得到了大量应用,在消费电子、工业产品、机电设备、智能手机以及其他便携式数码电子产品中随处可见。
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0 `, A( u4 ^4 H惠海半导体MOS管采用SGT工艺,性能优越,品质好,具有高频率、大电流、低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、低温升、高转换效率、过电流大、抗冲击能力强、开关损耗小等的优点。
2 U( ^3 V1 J$ T3 N5 K# D1 \【免费提供方案及技术支持,免费提供样品测试~】
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MOS管型号:HG021N10L-A, n& L% R8 s* `/ L6 @7 i9 a
参数:100V25A(25N10)
% @% e4 y( C0 W9 d0 e内阻:25mR(VGS=10V)+ D/ G; B% @, U" _% t5 n. n2 m$ @* ~
结电容:839pF. a! ^- J& J" X6 Q* j6 F4 ]
类型:SGT工艺NMOS
- X% X7 a C" J5 F* }. I0 v开启电压:1.4V$ B5 n; z( K4 i$ d
封装:TO-252
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