TA的每日心情 | 开心 2020-11-14 15:25 |
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场效应管广泛使用在模拟电路中与数字电路中,和我们的生活密不可分。场效应管的优势在于:首先驱动电路比较简单。场效应管需要的驱动电流比BJT则小得多,而且通常可以直接由CMOS或者集电极开路TTL驱动电路;某次场效应管的开关速度比较迅速,能够以较高的速度工作,因为没有电荷存储效应;另外场效应管没有二次击穿失效机理,它在温度越高时往往耐力越强,而且发生热击穿的可能性越低,还可以在较宽的温度范围内提供较好的性能。场效应管已经得到了大量应用,在消费电子、工业产品、机电设备、智能手机以及其他便携式数码电子产品中随处可见。6 J, V8 T R6 u+ Q7 G
* J. v4 K6 `* t$ ? b8 E4 V惠海半导体MOS管采用SGT工艺,性能优越,品质好,具有高频率、大电流、低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、低温升、高转换效率、过电流大、抗冲击能力强、开关损耗小等的优点。& e3 u- h3 Q( t
【免费提供方案及技术支持,免费提供样品测试~】. L+ F# e' P8 A k' R
! A, T5 Y3 p+ B$ X- Q% WMOS管型号:HG021N10L-A8 f9 r$ I8 a+ i. k# ^) s
参数:100V25A(25N10)
. l; ?' r8 a/ r. Z! `# m! N内阻:25mR(VGS=10V)
8 t, q$ |3 M3 z8 [' D) ]结电容:839pF
) n8 O* u, P9 G9 g% B- x5 u类型:SGT工艺NMOS) j; V8 e3 q* e0 }- ^1 a. g
开启电压:1.4V
/ E3 L' g! v: G封装:TO-252 [) Y1 b: P1 [7 C
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5 c# @* e( D- V6 `8 e0 p' u- a9 C
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