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100V25A 25N10 N沟道场效应管 打火机MOS管 TO-252开关损耗小低开启电压1.4VHG021N10L

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    [LV.1]初来乍到

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    发表于 2021-2-24 10:01 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    场效应管广泛使用在模拟电路中与数字电路中,和我们的生活密不可分。场效应管的优势在于:首先驱动电路比较简单。场效应管需要的驱动电流比BJT则小得多,而且通常可以直接由CMOS或者集电极开路TTL驱动电路;某次场效应管的开关速度比较迅速,能够以较高的速度工作,因为没有电荷存储效应;另外场效应管没有二次击穿失效机理,它在温度越高时往往耐力越强,而且发生热击穿的可能性越低,还可以在较宽的温度范围内提供较好的性能。场效应管已经得到了大量应用,在消费电子、工业产品、机电设备、智能手机以及其他便携式数码电子产品中随处可见。6 J, V8 T  R6 u+ Q7 G

    * J. v4 K6 `* t$ ?  b8 E4 V惠海半导体MOS管采用SGT工艺,性能优越,品质好,具有高频率、大电流、低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、低温升、高转换效率、过电流大、抗冲击能力强、开关损耗小等的优点。& e3 u- h3 Q( t
    【免费提供方案及技术支持,免费提供样品测试~】. L+ F# e' P8 A  k' R

    ! A, T5 Y3 p+ B$ X- Q% WMOS管型号:HG021N10L-A8 f9 r$ I8 a+ i. k# ^) s
    参数:100V25A(25N10)
    . l; ?' r8 a/ r. Z! `# m! N内阻:25mR(VGS=10V)
    8 t, q$ |3 M3 z8 [' D) ]结电容:839pF
    ) n8 O* u, P9 G9 g% B- x5 u类型:SGT工艺NMOS) j; V8 e3 q* e0 }- ^1 a. g
    开启电压:1.4V
    / E3 L' g! v: G封装:TO-252  [) Y1 b: P1 [7 C
    ; y  ?+ {! Z2 g
    5 c# @* e( D- V6 `8 e0 p' u- a9 C
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    [LV.1]初来乍到

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     楼主| 发表于 2021-2-24 15:55 | 只看该作者
    可免费申请样品和DEMO测试,免费技术支持,庞工:15323519289 (微信同号)企业qq/QQ:3007461762
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    [LV.1]初来乍到

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     楼主| 发表于 2021-2-25 09:51 | 只看该作者
    【东莞市惠海半导体有限公司】9 n, q, y4 m8 N6 q
    ①12V 24V 36V 42V 48V 60V 72V 80V 85V 90V 95V 100V 105V 110V 120V 150V降压恒压芯片IC8 c: b0 {7 o1 w+ w# Q4 j
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    ④POE电源POE交换机POE分离器降压IC芯片,电动车蓝牙音箱扩音器降压IC芯片

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    发表于 2021-4-21 19:02 | 只看该作者
    看看           0 {4 E; f# |: A: T' q5 m  W. P
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