MOS管为什么会被静电击穿？

一镇之长 · 发表于 2021-1-18 10:58

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MOS管为什么会被静电击穿？

fordies1 · 发表于 2021-1-18 13:11

MOS管一个ESD敏感器件

fordies1 · 发表于 2021-1-18 13:12

它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。

谢谢侬 · 发表于 2021-1-18 13:13

静电击穿有两种方式；
一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路；
二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极开路或者是源极开路。

谢谢侬 · 发表于 2021-1-18 13:14

现在的mos管没有那么容易被击穿，尤其是是大功率的vmos,主要是不少都有二极管保护

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