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[仿真讨论] 在搞DDR2的调试,之前板子的设计也是我设计的,现在调试不通,就想从头看看问题出...

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发表于 2021-1-14 18:29 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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在搞DDR2的调试,之前板子的设计也是我设计的,现在调试不通,就想从头看看问题出在哪里。( [, [" B: M( Y0 U; H0 F: l9 U5 c
    1、其一是差分线的设计问题,以前听说只要是差分线,接收端必须要接终端匹配电阻。可是DDR2的DQS信号虽然是差分信号,但是既是输入又是输出,所以认为他不该接终端匹配电阻。只有CK和CK#我接了终端匹配电阻,想知道这样合理吗, D! w' C: U$ y0 R& d& q7 \$ t
    2、还有一个问题,就是最近查资料发现好多文档提到了Vtt的问题,说是DDR2上需要的上拉电阻的电压,幅值为1/2VDD,但是在DDR的引脚上没有这个电压脚,这个应该是自己为了改变信号完整性加上的吧?
  u0 u6 c. K8 U/ R" V# a  F麻烦大神帮忙看看,非常感谢!
; r% q, B# z. f8 U
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    [LV.8]以坛为家I

    2#
    发表于 2021-1-14 18:53 | 只看该作者
    DQ和DQS可以设置ODT,上拉到VTT的电阻需要单独加,DDR上没有
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    2025-7-2 15:29
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    [LV.8]以坛为家I

    3#
    发表于 2021-1-14 20:09 | 只看该作者
    姑且把相关的原理图贴出来看看啊。有几片DDR芯片,拓扑结构是怎样的?
    6 _$ U, N2 f/ T7 I/ X5 y' l5 {8 ]然后再看layout部分是否满足约束。比如DQ~DQ7,DQS0,DM0要同组同层之类的, 组等长要满足等等。/ l$ b- e" h; z$ ~2 |2 O

    ) }8 Y: \* |; ]3 d! I+ A2 B% zDDR的DQ, DQS和DM,是点到点连接并应用ODT完成匹配的,不需要另外加终端匹配电阻。2 S7 H  j1 ]2 i  N2 D; r' F
    至于addr和ctl信号,要看拓扑结构而定,一般来说会在ddr芯片远端上拉到vtt做终端匹配。9 n, s2 R6 j% O* N2 h
    2 R* S1 j2 G0 Y
    PS,只要是差分线就必须接终端匹配电阻,这句话是错误的!
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