|
我也不是做工艺的,不过就我知道的metal density的影响。8 @9 S f0 `, l' Q, L" u
(1)Al 铝互连工艺
- l- E; V- e, q0 Q3 ~ ^- r" }对于以前的Al 铝互连工艺, 是刻蚀metal,那是先淀积铝,然后再光照,刻蚀掉不需要的铝,剩下的就是铝连线。那么在metal density高的地方刻蚀窗口小,容易有残留,在density低的地方,刻蚀窗口大,去掉的metal多,容易把需要留下的那一小点铝也一起刻蚀掉。
$ e' s# K3 r$ F# l(2)Cu互连工艺# r6 M2 w* B" ?. ]# b, C
大概在180nm到130nm的时候,大家开始使用铜互连工艺,这时候工艺也发生了变化,采用大马士革工艺,也就是铜镶嵌工艺。不再是刻蚀金属,而是先做绝缘层,然后在上面刻蚀个槽,再把Cu填入,然后CMP把多余的铜磨平,只剩下槽里面的铜,就是所需的连线。那么density 低的地方需要磨掉金属多,而且槽的窗口小,density 高的地方需要磨掉金属少,而且槽的窗口也大。那么在CMP时候,等磨到density 低的区域多余metal都去干净的时候,density 高的区域就有点过头了,自然就会薄一些。 |
|