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DRC中有关density的问题请教大神。

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1#
发表于 2020-12-8 17:17 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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DRC中有关density的问题请教大神。
( R7 v- a- z/ S) @1 E" Y$ }& V+ B1 Y$ M4 [: u/ W
1.metal density比规定的上限值大了2-3%。这部分metal不走信号线,主要是走power线。请问这个问题需不需要非修不可。虽说这个影响的是yield,但会不会有一些潜在问题?' E* n" \, e# P6 Z+ n5 W6 s1 K
9 d1 u/ C' B& W9 c. U& {
2.还有一类问题是两个区域之间的density之差不满足要求,这个会有什么影响?是不是非得修?, }, @2 C! p) {
5 d0 i# o9 ^8 s) S- R4 e: l" Q
非常感谢!

该用户从未签到

2#
发表于 2020-12-8 17:34 | 只看该作者
density属于DFM的问题,在 小节点( < 90nm )和mass production的时候尤其重要,+ N% y6 `/ J( C) s2 m
+ _  j0 T( l9 a6 W, N5 S) a3 \& ?- X
一般来说赶MPW tapeout,如果density violation,  来不及就算了,
+ P% Y# J0 C( {) B! k% @* k) K% y- ]* X, p. d
量产版最好改掉, 如果说密度过大,就是要打slot,留点空隙,
1 M( q) P' g" z! F% w2 P* X8 q, T6 k( N( m3 {$ u1 Y
如果是密度过小,就是要加dummy% x0 M& D5 o8 w( B* v7 u
+ c  U+ s  d( ?
但是corner 处的tsmc的是不需要完全加dummy的,  corner只有一部分需要加,最外面的3 F# D% X" q  p6 ?4 g: @2 O
角上是不需要加的, 选 dm_on_corner  false吧, tsmc dummy runset里面有控制的。
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