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density属于DFM的问题,在 小节点( < 90nm )和mass production的时候尤其重要,
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; ~, `( J" v( A! G一般来说赶MPW tapeout,如果density violation, 来不及就算了,7 X- H# }! ]/ P; \
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量产版最好改掉, 如果说密度过大,就是要打slot,留点空隙,
4 M( v- F5 Y0 K4 B2 z. p1 O" B1 b+ x3 s
如果是密度过小,就是要加dummy, Z0 E1 Z: Z3 N7 _
0 O! g; w6 ~ t N/ h6 ?' x: i$ y
但是corner 处的tsmc的是不需要完全加dummy的, corner只有一部分需要加,最外面的8 g S- \* {' e& A0 J* X
角上是不需要加的, 选 dm_on_corner false吧, tsmc dummy runset里面有控制的。 |
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