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DRC中有关density的问题请教大神。

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1#
发表于 2020-12-8 17:17 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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DRC中有关density的问题请教大神。
3 N. ]% ~: o# t3 r8 m  k& {2 C: y* O3 n% e4 t2 m4 s
1.metal density比规定的上限值大了2-3%。这部分metal不走信号线,主要是走power线。请问这个问题需不需要非修不可。虽说这个影响的是yield,但会不会有一些潜在问题?
' D0 w9 Q+ _9 j+ M3 L" e' d( W4 t& X- I- x6 w/ H
2.还有一类问题是两个区域之间的density之差不满足要求,这个会有什么影响?是不是非得修?
4 L8 a9 H4 q# c2 O: Z7 F1 j
$ w- t$ ~$ E& _) M非常感谢!

该用户从未签到

2#
发表于 2020-12-8 17:34 | 只看该作者
density属于DFM的问题,在 小节点( < 90nm )和mass production的时候尤其重要,
' a7 c0 U$ Q! K! \2 {
1 U! K: S" W5 A一般来说赶MPW tapeout,如果density violation,  来不及就算了,
6 Q4 v* o0 V( K3 z! N
, c# S/ F4 ?) |量产版最好改掉, 如果说密度过大,就是要打slot,留点空隙,7 u: n1 ?, Y0 u2 ^6 ?
' S/ H+ i9 P0 V
如果是密度过小,就是要加dummy
& M$ C. F$ J3 o& }) H1 T; n. k; [+ d7 a
但是corner 处的tsmc的是不需要完全加dummy的,  corner只有一部分需要加,最外面的' q! k- m1 G3 a
角上是不需要加的, 选 dm_on_corner  false吧, tsmc dummy runset里面有控制的。
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