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#技术风云榜#高功率二极管LD失效分析

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发表于 2020-11-20 16:01 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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LD具有高转换效率,体积小,可靠性高等特点被广泛应用,但是高功率LD芯片制造工艺复杂,价格贵,外延、芯片、封装等的缺陷影响着器件的成品率。
- K0 ]3 f0 m+ I& W) d: C% |
6 I: F0 K1 B( O; o& \( J) m激光器的失效模式0 _( {# W# @5 t" x; C5 D

! a0 Y9 c' \! u& `4 T" W1 主要失效特性. Y% k+ A( [- O$ |

" V. E9 C# {' f* {( q) S1 {5 L# U7 T. b6 O( _4 d: G" O

- @6 k/ R4 l2 L6 [, E) d( f5 kLD失效的三个时间段:
5 l6 f% o( r: W+ Z0 x% s
; |0 _. Z: `$ w5 b, a+ x早期失效、偶然失效、损耗失效0 Q3 r, l5 }5 Q% x# b; d+ J

/ F- u' V5 I2 u0 G: M
! w& N- \! j9 ]' @" f( G' B$ \) b+ }5 B- c" b
早期失效的原因:芯片制造工艺缺陷、焊接失效、芯片端面绝缘层失效。损耗失效的原因:芯片制造工艺水平的限制,使得器件老化、疲劳。
7 |# [# ?1 k5 S9 f. v) v2 X! x$ e8 T: ]) ~

  ~) y: H0 e: r* o$ o$ Y% k3 T4 h4 W* x( t. o5 z
2 失效模式分析! o% o3 r4 v. l+ H, l3 ~* U; z3 Q

* I4 b- y$ X% e6 [# V" t4 H* j电极退化$ \: g" i  z( w4 {- b) S7 I

1 ?% |6 m& k! ]2 t; S8 @电极失效主要表现两个方面:1 高功率二极管工作电流很大,焊料层随着电流方向扩散到半导体材料内,形成暗点缺陷,在大电流作用下,造成局部热积累,作为上电极的薄铜片极容易被烧毁。造成激光器COD。2 GaAs与热沉材料热匹配性差,焊接温度应力引起焊层内部缺陷或开裂,导致器件电极退化,- @' S1 d4 ^% T) q% ?+ J) T4 t0 F
7 f( Y. [7 I0 W7 ]0 R3 `
欧姆接触主要是焊接面造成LD失效,是封装工艺中最主要的失效模式:, B* T% S8 C+ J4 Y. u
$ s! H5 y! @$ n7 I
分为两种:1 焊接空隙;2 PN结短路。
! G3 \) q- O3 y3 s, ?
5 b, @9 ]: y& s) F: y: F3 {高功率LD的热载很大,功率60w的线阵激光器,其工作废热可到80w。因此极小的空隙也可能导致器件过热失效。造成空隙的因素:热沉加工的平整度差,焊料制备过程中产生杂质,热沉金属化中形成大的颗粒。另一方面,为了良好的散热,芯片P面朝下,出光面和焊层距离很近,如果焊料太厚或者焊层不均匀,焊接过程中,容易从焊层中挤出焊料颗粒,造成PN结短而失效。) U1 B" {7 M/ [+ x& k
! z+ ], J$ j& H: e1 y
腔面退化# R; D# X* t) D

; @$ z" h3 N; x0 q( g. d1 D. ]+ H高功率二极管LD失效特性7 E5 z  D7 j! M2 W$ i- R) T
腔面退化是LD区别于微电子器件的一个主要失效模式。腔面功率密度可以达到数mW/cm2.且有源区材料含有铝或In元素。Al、In在高功率密度下可以融化或再结晶,导致腔面的破坏,这种由于制造工艺缺陷造成的器件失效属于内缺陷。是芯片设计制造工艺不成熟形成的,主要表现:暗线缺陷、腔面COD。
3 S2 M, T8 Z, n. L& q, c/ t( G' W* p" `6 n
环境污染
7 x5 _" {; W' x+ [0 i: Z0 Z9 _, Q! j# |9 F4 y- T5 _3 Y+ R+ l- Y
是LD失效的外界因素,它主要由于一些偶然因素导致LD灾难性失效,包括电浪涌、灰尘颗粒、静电、水汽污染等。0 l5 y6 r6 s( E1 ~2 e* i
# w) q; K8 ~' A, T2 I! l" C

1 h( u/ ?4 F8 Y( j+ t" g$ [$ T: A) }8 J5 P' `- F' W
失效统计分析:
, M6 @3 Z# e" z1 e3 _
4 w7 c9 @6 U) y4 S: U: I+ }; ~+ H高功率激光LD失效主要集中在焊接、焊料制备、芯片工艺三个方面。& g/ G: x% A  J0 T4 Y

: T2 U5 J# G4 Y( V: L三种失效随着老化时间延长表现不同趋势: 焊接、焊料制备引起的失效主要集中在器件早期失效过程中,而芯片本身制造工艺缺陷引起的失效主要集中在损耗失效期间,从失效统计来看,焊接空隙占比30%; PN结短路29%,腔面退化17%、电极退化9%、环境因素7%等几个方面。+ Q. _1 l$ `6 t; ?4 c: a$ v

# M& P5 ~, F( m3 e$ W4 i如何改善:精确控制焊料厚度和均匀性、厚度控制在5~7um,遏制焊接空隙、PN结短路失效。不断优化焊接工艺\确定最佳焊接温度和时间,精确控制升温\降温时间\有效释放焊接应力,都可以提高LD的寿命。; V" H) |7 m$ _, `+ j1 i" W6 e

8 T; P5 K5 h" U) `! z3 S

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发表于 2020-11-20 17:04 | 只看该作者
LD失效的三个时间段    早期失效、偶然失效、损耗失效
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