1. 8 GHz CMOS 有源负载低噪声放大器

pulbieup

1. 8 GHz CMOS 有源负载低噪声放大器

! U% E  r2 s$ ?! f# \摘 要:提出了一种新的变压器型有源电感 负载低噪声放大器设计方案。单片无源大电感的品质因数通常很低,因此,需验
证变压器型有源电感替代无源电感负载的有效性,与现有的一些单片无源电感负载低噪声放大器进行了比较,结果表明变压
7 s/ o' j( N$ x0 i+ u4 s9 O器型有源电感负载低噪声放大器可以得到更低的噪声系数。
+ b2 D( U! e# Z3 _( @/ a关键词:互补金属氧化物半导体;低噪声放大器;有源电感;噪声系数

( j" k/ m# J( z2 n8 ]
  X* Z$ j8 c) e2 O4 G% G! Y$ z低噪声放大器是接收机电路中第一个有源电
0 c$ }5 g& u- }( Q9 ]路,主要功能是将来自天线的微伏级的电压信号进
行小信号放大。其作为微波中继通信和微波测试系
统的关键部件,噪声系数、增益及平坦度、带宽等性
能越来越受关注和研究。电感则是低噪声放大器设
) O- y$ b& ]% W  e9 u) P3 _, m计的基础。大多数已发表的低噪声放大器[3 ,4,5 ]用的
都是单片的无源螺旋电感。作为微波接收前端部件
5 L4 [# ?) q1 ?8 G) X0 c; V4 w5 s的低噪声放大器的应用已被证实非常困难,主要是
由于缺乏单片高品质因数 Q的电感。本文采用有源
2 Q# E, l9 @* w. F( K% m磁耦合电感代替传统的平面螺旋电感。
7 D6 g7 E: E  |  F# p6 ?本文通过分析、仿真变压器型电感的品质因数,
用于替代目标低噪声放大器中传统平面螺旋电感负

载,并仿真证实了变压器型电感负载对提高放大器
噪声性能的有效性。
1 有源高品质因数 Q电感
3 ]3 _9 `+ y# G  G1 a1 W: p通常,由于单片螺旋电感的寄生效应其品质因
数都很低,而品质因数的高低又直接限制了电感的
性能。不久前报道了[1]一种利用变压器磁耦合来提
( ~# k3 g2 u: J) {高单片螺旋电感品质因数的方法。单片变压器型电
感电路如图 1 所示。其输入阻抗表达式为:
. x- {; f! g* w" }
$ a1 p' b: F5 c1 a

游客，如果您要查看本帖隐藏内容请回复

% c, X4 `7 f1 O! p3 p2 R; L( h, G1 K

SsaaM7

1. 8 GHz CMOS 有源负载低噪声放大器

qwerasd123

1. 8 GHz CMOS 有源负载低噪声放大器