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[毕业设计] 245GHz CMOS工艺低噪声放大器的设计

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发表于 2020-10-27 10:23 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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摘要:本论文采用CMOS工艺实现了无线接收机射频前端的关键模块--低噪声放大
! E/ a" H! U3 p& I器(LNA)。首先,LNA是一个典型的无线接收机的第一级,因此其噪声系数直接决
: Y; |- `8 u( j. x1 I定了接收机的整体噪声系数。而且,LNA必须提供一定的功率增益以抑制接收机
  f1 k3 ~7 R2 [' w* k+ z2 y) E后级电路对整体噪声的贡献。其次,对于高集成度的SoC而言,在保证相关性能的; V" g# `; I; ~: U) ?4 P
情况下,必须尽可能地降低LNA的功耗。同时,为了使在有大信号输入的情况下,% ]) b8 ^- z* H. e! [
LNA引起的失真尽可能小,因此要求LNA应具有足够高的线性度。此外,LNA还  F3 ^: s8 }9 l1 _$ ]5 P* z
必须对于输入源表现一个特定的且常常为50的输入阻抗以利于匹配。上述的这" N( p# ~, l5 x/ N0 ^
些NA基本性能参数之间是紧密联系的,为了满足整体性能的要求,通常需要对( D6 Y6 L% E6 ?$ z/ b- @/ i
这些参数进行折衷考虑和整体优化处理,这也是LNA设计的主要难点。& D/ @$ c- ^2 r4 \  k/ \8 Z) d) z' P

( g, L5 n4 T; {+ |. P
6 a% P. S; `0 y: s关键词: CMOS,射频集成电路,接收芯片,低噪声放大器5 ~/ f# q, |1 f7 X1 ~1 Z$ q
* Q6 T) G4 k( s. [% P

/ J( P9 Y! N' h* D% s
5 O6 [( `, G- P& A- z3 O6 h, e现代信息社会的高速发展,要求人们能快速、方便地交换所需要的信息,而2 U/ U. e( h2 a% D7 `4 I0 h
不受时空的限制。通信发展的最终目标是希望做到“任何人(Whoever)在候
( k  G2 w3 k/ m(Whenever)任何地点(Wherever)都能和另一个任何人(Whomever)按任何方式
; o1 m. C8 M: i1 a' i1 r(Whatever)进行通信”,也即五个“W”通信,过去这曾被认为是一种美好的愿望,' M. c! |( ~+ Z" |& u( \: x; g
然而依靠网络技术和无线通信技术的发展,人们的这种美好愿望正在变成现实。4 h) \* L" W) i4 o8 \

) P9 h2 h! L! \1 S+ d) l3 N7 ^# T# t" h  P* w3 c
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    发表于 2020-10-27 11:08 | 只看该作者
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