245GHz CMOS工艺低噪声放大器的设计

sugarbabysu

摘要：本论文采用CMOS工艺实现了无线接收机射频前端的关键模块--低噪声放大
# E8 d4 B  E; @% T8 d$ V器(LNA)。首先，LNA是一个典型的无线接收机的第一级，因此其噪声系数直接决
定了接收机的整体噪声系数。而且，LNA必须提供一定的功率增益以抑制接收机
后级电路对整体噪声的贡献。其次，对于高集成度的SoC而言，在保证相关性能的
情况下，必须尽可能地降低LNA的功耗。同时，为了使在有大信号输入的情况下，
LNA引起的失真尽可能小，因此要求LNA应具有足够高的线性度。此外，LNA还
; {, ?' U8 Y) \, e9 x2 k' }必须对于输入源表现一个特定的且常常为50的输入阻抗以利于匹配。上述的这
些NA基本性能参数之间是紧密联系的，为了满足整体性能的要求，通常需要对
这些参数进行折衷考虑和整体优化处理，这也是LNA设计的主要难点。


' g- y7 _4 Q$ X8 y: F% y关键词: CMOS，射频集成电路，接收芯片，低噪声放大器
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3 G& z' o! N; u现代信息社会的高速发展，要求人们能快速、方便地交换所需要的信息，而
# H" F; t" M  N/ p不受时空的限制。通信发展的最终目标是希望做到“任何人(Whoever)在候
(Whenever)任何地点(Wherever)都能和另一个任何人(Whomever)按任何方式
( X3 [# Z; x* @1 P7 D(Whatever)进行通信”，也即五个“W”通信，过去这曾被认为是一种美好的愿望，
然而依靠网络技术和无线通信技术的发展，人们的这种美好愿望正在变成现实。


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modengxian111

5W通信

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任何时间任何地点和另一个人通信