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替代12N60场效应管在高压H桥PWM马达驱动中使用的12Amos管!

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发表于 2020-9-23 23:43 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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电子工程师都知道电机驱动采用N沟道MOSFET构建H桥驱动电路,而H 桥是一个典型的直流电机控制电路,它的电路外形酷似字母 H,故得名叫“H 桥”。由命名即可可知,MOS管对于高压H桥PWM马达驱动意味着是其“生命”,目前这款产品常会用FQP12N60型号参数来应用。+ d2 w% f, S$ \; P8 J7 H

6 E5 [/ }- g# F8 K8 M$ Q- \8 V ! ]8 C; e% Q# ]" d$ \& ~5 X2 i
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由于FQP12N60是一款国外mos管型号,在全球化形势不明朗的商业状态下,各个电子厂家均在强化国内的器件供应商库,建立国内优质的MOS管产品供应商也是高压H桥PWM马达驱动厂家必要的事情。在国内场效应管市场中,飞虹的FHP12N60型号N沟道增强型高压功率MOS场效应管即可跟FQP12N60型号参数进行对标。0 k% N5 E2 }& Y5 O0 d% j
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目前市面上除了常见的FQP12N60型号会应用在高压H桥PWM马达驱动上外,还有TK12A60U的MOS管在应用,如果说要建立国内优质的供应商则更推荐使用飞虹电子的型号:FHP12N60,高耐压、质量好。
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6 Z# U( ?& |4 X% S1 r# y- T6 M& C这款FHP12N60除广泛应用于高压H桥PMW马达驱动,还常用于AC-DC开关电源、DC-DC电源转换器场景中,为N沟道增强型高压功率MOS场效应管,在使用方面是不仅能匹配型号为FQP12N60的国外场效应管,还能代用TK12A60U型号的场效应管。2 s2 D1 w. r2 r7 p
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这款FHP12N60的特点是12.0A, 600V, RDS(on) = 0.8Ω(max) @VGS = 10 V低电荷、低反向传输电容开关速度快。, c9 e) s' y: B4 e! m

- r6 S  a% [3 u* g3 p+ z: n7 hFHP12N60的主要封装形式是TO-220/TO-220F,脚位排列位GDS。这款产品参数:Vgs(±V):30;VTH(V):2-4;ID(A):12;BVdss(V):600。  Y$ x# d8 Y8 s3 c( z4 s9 p
$ e$ V2 Z. P/ d. J( M1 u# C
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8 g) H# n7 C) f1 \/ S+ h! b! B作为一家高新技术企业,飞虹自2008年至今,共获得实用专利及发明15项,并与中山大学、中科院合作研发GaN器件。飞虹产品已经在开关电源、逆变器、电动车、LED照明、家电、锂电保护、电机控制器获得广泛应用,帮助合作伙伴解决符合国情、符合国际质量的国内优质产品。除提供免费试样外,更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。
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发表于 2020-9-24 09:35 | 只看该作者
学习了,谢谢分享
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