毫米波GaN技术的最新消息

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美国军事研究人员正在要求位于加利福尼亚州马里布的HRL实验室的集成电路专家改进用于航空航天和国防应用的射频和微波电路。

位于弗吉尼亚州阿灵顿的美国国防高级研究计划局（DARPA）官员周二宣布，对HRL进行一项840万美元的合同修改，以用于毫米波GaN成熟（MGM）计划的第二阶段。

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3 l& W3 t2 j3 c该计划旨在改善射频和微波半导体技术，以提高器件产量，减少工艺周期时间，并在多项目晶圆加工（MPW）中展示关键的毫米波功率放大器和混合信号电路。
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4 ?' r% f3 i' _; s米高梅公司正在利用标准评估电路（SEC），制程控制监视器（PCM）和短循环制造技术来确定战略上的产量和可重复性，以识别制程步骤的改进。

# {5 b7 w  R& N- y* D; P在该项目的第一阶段，HRL专家开始使他们的RF和毫米波氮化镓（GaN）半导体技术成熟，这在十年前的DARPA Nitride Electronics NeXt生成技术（NEXT）计划中得到了证明。
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/ r4 H! M& @; G) M该项目第二阶段的目标是减少制造周期，提高RF产量和可靠性，改善器件模型和工艺设计套件以及提高GaN毫米波电路的制造准备水平（MRL）。
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HRL专家将通过有针对性的工艺步骤改进来使这种GaN技术成熟。他们将使用制程控制监视器；进行多个MPW运行；并改善该公司位于加州马里布的工厂的单片微波集成电路（MMIC）设计能力。
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/ S8 C% \9 I, t, c7 r# y% v作为DARPA NEXT计划的执行者，HRL开发了最先进的GaN晶体管，其栅长为40纳米，标定ft/ fmax为200/400 GHz。
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  Q% _# p+ Z+ R* cNEXT计划寻求开发一种革命性的氮化物晶体管技术，该技术在至少1，000个晶体管的大规模电路集成中，具有大于5 THz的Johnson Johnson Merit（JFoM）极高速度和高电压摆幅。

& Z. J4 ?" m8 t$ c3 k' k8 I该项目寻求开发可制造，高产量，高均匀性和高度可靠的制造工艺。该计划的重点是展示将这些器件组合成一个由约10个晶体管组成的小型逻辑电路，然后再处理多达1，000个晶体管的能力。
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0 W, U: X8 m! j6 x4 a. L( f在MGM项目的第一阶段，HRL更新了设计套件以支持多种计算机辅助设计（CAD）工具，支持多项目摇床运行，并减少了总体制造周期，以支持美国军方用户。

3 w8 K  Z/ C% H! I3 k- o8 l这项合同修改使MGM合同的总价值达到了1，880万美元。HRL专家将在加利福尼亚州马里布市进行这项工作，并应在2022年9月之前完成。

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