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本帖最后由 jacky401 于 2020-8-30 21:23 编辑
% q- h3 w5 S: c/ N; u7 q, g4 j0 ~: I6 ?7 {# h
目录
/ C+ T7 |' x7 \+ F7 \ 1、DDR4 关键技术
4 u7 y5 L7 g9 s5 E& U1.1、DDR4与DDR3 不同之处/ L) R% v& C! ^5 o; \( h) `
1.2、POD 和 SSTL 的比较
* m$ j/ g3 e. `% \% b1.3、数据总线倒置 (DBI)
9 ], G' W2 L, G0 {$ y% s2 g1.4、ODT 控制
/ t6 U+ A" }. P; @, j, ?2 H9 V! l1.5、参考电压 Vref8 D5 w0 w. g9 p" M$ ` j
2、DDR4 Layout Routing 新方法( T. J$ s& O0 B2 |" R* U q
2.1、DDR4 信号组
% S# L. m1 B- q) l- R8 a1 H ]+ ?+ u+ p2.2、DDR 信号等长约束
6 r; U- j- l! O3、DDR4 Simulation9 e' }) T9 a/ _
3.1、Pre-Simulation with HyperLynx
% D8 L/ R0 M& s3.1.1、ADD/CMD/CTRL终端电阻取值
# T8 o% v% @7 ?+ G6 P1 i" {( r4 l- P6 v3.1.2、Data信号Stub的长度
* E4 E& V9 @7 v* y; l# e+ M3.2、Intel SISTAI仿真! I- K. k3 J0 r1 J
3.2.1、DDR通道建模1 H% [: L3 v+ d' p: ^9 c8 J2 j
3.2.2、Hspice仿真+ U* p: L r7 g$ i) w1 Q, Q5 D' s
3.2.3、SISTAI仿真
" f; k; e9 v+ c6 I4、DDR4 RMT Margin 测试 Fail 问题实例1 G9 B2 i9 z% H2 K- A L- _( s
4.1、设计情况
* i9 z7 p W# w5 C5 D9 O# y) i* V4.2、问题描述7 N3 Q3 ^, U& T& W/ f
4.3、Memory Margin Test# s6 C3 H$ [* L4 o6 j( y/ V
4.4、问题分析
( W7 g1 {0 ~5 H: o7 f- _7 O1 C+ ?4.4.1、Micron 8G 本体分析5 S! E1 ]0 U0 }% C# o
4.4.2、通过Simulation来分析问题
/ J/ n7 z* l& Z- h2 K5、小结" D/ P- m; J5 h: @) m, p! j
: ]$ @9 y( y6 M& K8 i
参考链接：
. m! }' z2 ?- [ / D( Z% P2 z7 i
DDR4关键技术、PCB设计、仿真分析和问题处理
3 c. |; ]% O2 i
' w2 g( z# I& U& t* K
. j* d- Z' e. u# z. T/ A |
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发表于 2020-8-30 20:57
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