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本帖最后由 jacky401 于 2020-8-30 21:23 编辑
0 B( f( P* o% M. {' o- |- l8 G. G$ T' E
目录9 _) y5 y! ^# v. K
1、DDR4 关键技术
- T2 ?5 K" K- p1.1、DDR4与DDR3 不同之处5 p- K" r6 ], y! z! r$ @! q* U
1.2、POD 和 SSTL 的比较7 u2 F! L- T# \) k
1.3、数据总线倒置 (DBI)$ L% R% W. S0 F, z5 { N- q
1.4、ODT 控制
, K" M7 O6 L1 G: g7 V1.5、参考电压 Vref) ~; d0 }. F1 U
2、DDR4 Layout Routing 新方法/ x2 \- x8 @; `8 n" p
2.1、DDR4 信号组
Z/ A6 c6 c; H7 L. ?" @2.2、DDR 信号等长约束% y2 q1 u5 K4 k' ^
3、DDR4 Simulation; r2 [) W/ n1 y. Y: c1 b2 Z
3.1、Pre-Simulation with HyperLynx2 V! R* e+ B9 b# B- O3 Q
3.1.1、ADD/CMD/CTRL终端电阻取值
( M& X2 C3 i4 U; m: q" Z3.1.2、Data信号Stub的长度
7 A% Y! }, z3 T/ ^3.2、Intel SISTAI仿真
2 Q9 I* P% j' |+ ?3.2.1、DDR通道建模1 ^: H7 m9 c* l
3.2.2、Hspice仿真
* [$ }9 {5 F$ c6 t3.2.3、SISTAI仿真- I7 F9 U: v- H; n! Q2 H2 V/ m9 w1 ]
4、DDR4 RMT Margin 测试 Fail 问题实例3 }% t; E& Z/ q2 {
4.1、设计情况% z3 q5 z0 x4 ^& j) j
4.2、问题描述
) Q1 e3 o7 v8 N7 E+ }; a4.3、Memory Margin Test
$ H, i) z# A" k) n+ M4.4、问题分析
1 L9 o' d7 w% o/ ~* Y. [+ ?4.4.1、Micron 8G 本体分析
1 J% v: k9 u5 e) e# G: {4.4.2、通过Simulation来分析问题
5 N* k1 F5 D( w6 k) E/ S5 }5、小结8 J9 v' l5 v8 w4 G3 X# l# d- k
! [" C6 r) J$ X4 o# \0 ]% D参考链接：2 b7 Q6 W- O. f8 T" y
0 ]8 ?3 ]% F8 E! T" y: N
DDR4关键技术、PCB设计、仿真分析和问题处理 8 N/ S: f6 U$ Z1 Y3 G+ ~# ?7 l
( U6 T9 x) c8 b( v$ Q7 V* l; E
- y% O+ L, A% }5 J' l) _; D+ m | 
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发表于 2020-8-30 20:57
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