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本帖最后由 jacky401 于 2020-8-30 21:23 编辑 ) ]% Q' r1 {( l+ t( Z8 D( C6 }0 Q
/ z! R& a% i+ M
目录
6 N/ Y9 l1 ]$ t( r9 W) J+ a 1、DDR4 关键技术
0 O* b( v1 ^0 n- o' p# X& {) H% \0 U1.1、DDR4与DDR3 不同之处3 [6 o: k% I' x0 j1 L# h
1.2、POD 和 SSTL 的比较6 T k! q: F9 W9 e R8 \, }7 Y) g* C5 G
1.3、数据总线倒置 (DBI)$ ]$ a+ d5 L* H N' ]+ O s1 q5 q/ S
1.4、ODT 控制
c: @. ^8 u+ {: G/ |1.5、参考电压 Vref
f# d% t0 d! {, Q7 i1 x1 K! C L* [2、DDR4 Layout Routing 新方法5 A2 A# r* o' Z( d& V
2.1、DDR4 信号组& N$ [% r, J' V* g+ P2 M
2.2、DDR 信号等长约束
9 o9 b2 Q# _ W0 [ r4 t# ?" o/ t3、DDR4 Simulation
6 [' q: x8 t0 e. }) H) h V3.1、Pre-Simulation with HyperLynx( C. K& F/ I) M, w6 l: d
3.1.1、ADD/CMD/CTRL终端电阻取值
" N( C5 |' H# H9 ^+ c3.1.2、Data信号Stub的长度
5 P% y+ V5 |5 N5 m3.2、Intel SISTAI仿真
) I" u0 C2 D- y% O& _5 D3.2.1、DDR通道建模
7 i5 i' M" A2 ` k8 j' {' M3.2.2、Hspice仿真
. v$ Z$ w% S& p: c6 F" p3 @3.2.3、SISTAI仿真
- _& @: f& _6 R4、DDR4 RMT Margin 测试 Fail 问题实例) e9 b; `3 ^/ k5 |4 b4 u) Y" g
4.1、设计情况
. ~! ^; l) M1 S; [, ^4.2、问题描述1 T! d5 w, R# T7 ]) v$ R% i2 ?
4.3、Memory Margin Test
* b) D% F8 f. K8 N: \8 S4.4、问题分析
9 ^+ V4 ~0 U/ x' F# q4.4.1、Micron 8G 本体分析
! ~& C2 M% g+ { n7 G0 d4.4.2、通过Simulation来分析问题
4 s! N0 r0 y$ g5、小结
% k3 m% V4 y' F/ h( l
! K* @1 o1 F5 j2 _9 a参考链接：
8 E, I2 Z9 ?' k, x
$ x- L$ A1 P' a( e+ B+ |" s6 n+ F% sDDR4关键技术、PCB设计、仿真分析和问题处理 + d: f0 B7 S- v# c2 F& X
7 s5 [+ X6 I' E/ S1 f( }6 R5 l$ B# ^4 H. _
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