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本帖最后由 jacky401 于 2020-8-30 21:23 编辑 ; J) O* F0 a5 ]3 ]1 d
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目录
# ^1 F ~# I: O2 f. y p$ n; A# D' o 1、DDR4 关键技术
" M0 _/ K; E R j( l1.1、DDR4与DDR3 不同之处
* E# {0 g$ w. |1.2、POD 和 SSTL 的比较8 |1 s5 e* e& {( {: q
1.3、数据总线倒置 (DBI)
& }$ A$ c: t/ Q1 w& P4 W1.4、ODT 控制1 B* c4 J |/ V3 M% M9 j" U7 x
1.5、参考电压 Vref$ s" r" G& N" _- U
2、DDR4 Layout Routing 新方法
( F% L+ t: P2 a- V" x2.1、DDR4 信号组
8 v& s$ }% v# v+ U2.2、DDR 信号等长约束. v+ K" f% C) M! i- F* ]
3、DDR4 Simulation, `6 c0 Z' c' H, n8 W& r
3.1、Pre-Simulation with HyperLynx
! w6 @1 ~# d5 |; [/ [. L3.1.1、ADD/CMD/CTRL终端电阻取值
/ Y/ Q: t' j: J4 ~3.1.2、Data信号Stub的长度 I" X* q8 H) x7 _5 C. a
3.2、Intel SISTAI仿真
; a" z1 v( ]) l7 f- Q3.2.1、DDR通道建模6 M3 e/ k6 Z) C- k# M/ M2 [
3.2.2、Hspice仿真. J3 g! f: J7 b& J( e' M" j9 n
3.2.3、SISTAI仿真
3 V' _, J- ?0 A3 g4、DDR4 RMT Margin 测试 Fail 问题实例6 K# J. l3 F: o% n: L' `& ]" s
4.1、设计情况9 @/ J( ]7 _- z8 i
4.2、问题描述5 h: n: F* v# \
4.3、Memory Margin Test
i* e2 E1 H4 ?' f5 c% E7 B4.4、问题分析& U0 T9 k7 C, w; B
4.4.1、Micron 8G 本体分析
0 g1 E, t9 r$ b- j, N1 J4 Q K4.4.2、通过Simulation来分析问题
! }, m( U( v' E3 r/ Y3 ~5、小结$ u$ y' t' S) L& O0 i) m' @2 s/ d4 w
% b/ h: O* Z3 V
参考链接：
! N3 K0 B( y3 y% a7 t, x% v% B $ n+ H, P4 K4 p# X3 }1 m/ i
DDR4关键技术、PCB设计、仿真分析和问题处理 6 ~, P' N8 R; C! q
, ]% i- s3 G4 `% c) ?
* A& ~$ s6 r" T( C6 m
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发表于 2020-8-30 20:57
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