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本帖最后由 jacky401 于 2020-8-30 21:23 编辑 4 P! S* b) {3 N# @' R& Z
6 O! U% p8 P o W" n% F
目录
1 W, r% v# b& ` 1、DDR4 关键技术7 \0 D, t" f8 S! ]$ s- s
1.1、DDR4与DDR3 不同之处) j) j# n! }2 a, j$ B+ O' h
1.2、POD 和 SSTL 的比较
( K1 }, R* l$ x1 N( E! \" ~1.3、数据总线倒置 (DBI)% T7 o V4 p9 m1 t1 N
1.4、ODT 控制2 t {& B* ~9 a! t* J) X: {& \
1.5、参考电压 Vref
$ a4 ?6 x* j7 N" X" `9 F- Z2、DDR4 Layout Routing 新方法7 z* ?/ l: J% K# j! [1 H3 G$ b
2.1、DDR4 信号组4 y8 R1 @1 Q. I3 c- G
2.2、DDR 信号等长约束
2 M2 n6 M: [2 ` Z6 y3、DDR4 Simulation
5 `9 L* s8 a7 l% I. |3.1、Pre-Simulation with HyperLynx" Y5 k) @5 ~8 r. C+ |. M1 Q
3.1.1、ADD/CMD/CTRL终端电阻取值
+ b1 v5 S7 e7 \* G. Q3.1.2、Data信号Stub的长度
Z: ^4 Q- R# O+ [' Z" m" u3.2、Intel SISTAI仿真, y; ]$ M, r6 K; H
3.2.1、DDR通道建模
) |2 m2 T. h8 a3 E$ R" k3.2.2、Hspice仿真
/ h" _ C+ G7 Q+ Q- A1 A3.2.3、SISTAI仿真
/ K$ Y# {. V: N) h& s4、DDR4 RMT Margin 测试 Fail 问题实例9 C$ T7 J: x( W6 o
4.1、设计情况
2 t, Q+ V5 P1 T1 b4.2、问题描述
) ^) d& w" x' R- d: R* u4.3、Memory Margin Test
+ k9 z9 j3 w8 T/ E3 z4.4、问题分析, D ?2 Z! u1 l! X! g9 v: f# e
4.4.1、Micron 8G 本体分析
. X% w1 ], }2 N# g: v+ f$ j4.4.2、通过Simulation来分析问题- b6 I' T% r! `4 G7 I1 y
5、小结! F# E4 h$ U: ~" _* q8 \: o5 i
0 Y' {0 Z! T. f4 y1 b% N8 t参考链接：
3 ]- t D( r% J; o 8 L% U. R$ R. z
DDR4关键技术、PCB设计、仿真分析和问题处理
8 F$ d- @0 l h* i! h/ }
( ?6 x W: l8 t# [# T! m2 x: v6 Z6 {- ], p) s& E: `5 }
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发表于 2020-8-30 20:57
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