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本帖最后由 jacky401 于 2020-8-30 21:23 编辑 - L: N! W6 @/ I9 p% r$ w# N* Z
- g, r) H' J6 ~, R目录
" |6 {- h( B% G0 @/ l7 p 1、DDR4 关键技术! K/ o M# [5 E- v8 I/ ]5 f! I( @
1.1、DDR4与DDR3 不同之处: H; C; _- Y* u; d
1.2、POD 和 SSTL 的比较
, n) a( h! {# F2 k& r+ j0 ?1.3、数据总线倒置 (DBI)
( [( z, n2 }/ d7 f8 ~5 k1.4、ODT 控制
9 d! G* n" E, F, v) ?. |1.5、参考电压 Vref( f! f0 J: s, z. I
2、DDR4 Layout Routing 新方法
4 @4 _' s8 {; x$ b& A1 Q3 ^# F2.1、DDR4 信号组3 P% z6 y$ A/ i; P: t/ S. Q. B
2.2、DDR 信号等长约束
8 n+ W; I' P, l2 M" l8 k3、DDR4 Simulation
: Q) |' L; p/ G* J+ Q3.1、Pre-Simulation with HyperLynx
" F3 G$ R* ?- C) N( S( n. W, }6 i. u3.1.1、ADD/CMD/CTRL终端电阻取值
, m! g, z7 `. J; D# Y) z3.1.2、Data信号Stub的长度1 n5 v$ X2 S9 r6 ~1 `5 C
3.2、Intel SISTAI仿真4 k6 C) T! L2 y* Y# C- X
3.2.1、DDR通道建模; W+ e: l/ Z1 W1 j; C# _- {
3.2.2、Hspice仿真& d' M) ?& R3 c8 z& l+ h+ g
3.2.3、SISTAI仿真
$ y$ Z/ w# N9 J4、DDR4 RMT Margin 测试 Fail 问题实例
2 [3 {. m! i/ B+ Z$ t" M: o; D; w C4.1、设计情况$ B8 k/ w! q1 o% u5 A6 I' U
4.2、问题描述
/ B i- V% l, r y; j5 r, S4.3、Memory Margin Test, l2 E! o+ d- q4 k& P3 _
4.4、问题分析* f1 g/ ^+ C! ^4 I* K# w& C: s
4.4.1、Micron 8G 本体分析
; m+ A% |3 N: B1 s' z4.4.2、通过Simulation来分析问题: F) M( p t" |( O+ q
5、小结 G9 g: U: v# c" ^+ B8 A
+ e6 z& _! j G) g+ P# y
参考链接：0 t% X) C% K; c0 @+ F; N. r O
: U* O! @5 s: [2 |1 ^2 K
DDR4关键技术、PCB设计、仿真分析和问题处理
8 A/ i/ c% u# k- g' h, t5 R T7 ?1 I( ^2 P5 j# _9 Y
$ a/ d6 D( _+ `( q6 e: U: |! ]* N$ I | 
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发表于 2020-8-30 20:57
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