TA的每日心情  | 怒 2024-8-26 15:16 | 
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一部可支持打电话、发短信、网络服务、APP应用的手机,通常包含五个部分: 射频、基带、电源管理、外设、软件。  
6 }( g# y7 k# I9 w& h射频: 一般是信息发送和接收的部分; 基带: 一般是信息处理的部分; 电源管理: 一般是节电的部分,由于手机是能源有限的设备,所以电源管理十分重要; 外设: 一般包括LCD,键盘,机壳等; 软件: 一般包括系统、驱动、中间件、应用。  
% s* ]' _" {* G在手机终端中,最重要的核心就是射频芯片和基带芯片。 射频芯片负责射频收发、频率合成、功率放大;基带芯片负责信号处理和协议处理。 那么射频芯片和基带芯片是什么关系?  
& _! q" r  y. C( w: _射频芯片和基带芯片的关系  
/ L# B( m/ y8 I, ^- W: u2 g射频(Radio Frenquency)和基带(Base Band)皆来自英文直译。 其中射频最早的应用就是Radio——无线广播(FM/AM),迄今为止这仍是射频技术乃至无线电领域最经典的应用。  
* Y2 W; @; r4 k, b基带则是band中心点在0Hz的信号,所以基带就是最基础的信号。 有人也把基带叫做“未调制信号”,曾经这个概念是对的,例如AM为调制信号(无需调制,接收后即可通过发声元器件读取内容)。  
( h) P% r; d; O但对于现代通信领域而言,基带信号通常都是指经过数字调制的,频谱中心点在0Hz的信号。 而且没有明确的概念表明基带必须是模拟或者数字的,这完全看具体的实现机制。 8 v) ~5 |+ C- Q7 v* K: M 
言归正传,基带芯片可以认为是包括调制解调器,但不止于调制解调器,还包括信道编解码、信源编解码,以及一些信令处理。 而射频芯片,则可看做是最简单的基带调制信号的上变频和下变频。  
7 N8 s  B% c' H- _所谓调制,就是把需要传输的信号,通过一定的规则调制到载波上面让后通过无线收发器(RF Transceiver)发送出去的工程,解调就是相反的过程。  
: c0 n$ g- n1 S8 E% J工作原理与电路分析 - Q0 ^4 w/ T4 t7 s8 e 
射频简称RF射频就是射频电流,是一种高频交流变化电磁波,为是Radio Frequency的缩写,表示可以辐射到空间的电磁频率,频率范围在300KHz~300GHz之间。 每秒变化小于1000次的交流电称为低频电流,大于10000次的称为高频电流,而射频就是这样一种高频电流。 高频(大于10K);射频(300K-300G)是高频的较高频段;微波频段(300M-300G)又是射频的较高频段。 射频技术在无线通信领域中被广泛使用,有线电视系统就是采用射频传输方式。 # n+ n3 `; U4 T8 U( [9 Q' m 
射频芯片指的就是将无线电信号通信转换成一定的无线电信号波形, 并通过天线谐振发送出去的一个电子元器件,它包括功率放大器、低噪声放大器和天线开关。 射频芯片架构包括接收通道和发射通道两大部分。. f2 B8 _, B  d7 ]- i8 R 
  射频电路方框图  
. U0 Z) v- Y2 t4 v, A6 h7 W7 r接收电路的结构和工作原理 3 r4 Q: t! G% e0 b9 t# ^6 k 
接收时,天线把基站发送来电磁波转为微弱交流电流信号经滤波,高频放大后,送入中频内进行解调,得到接收基带信息(RXI-P、RXI-N、RXQ-P、RXQ-N);送到逻辑音频电路进一步处理。  
/ |& r' f# A& ?, C4 J6 W' Q该电路掌握重点:1、接收电路结构;2、各元件的功能与作用;3、接收信号流程。 ; L/ ~& `! E& ^' p  O8 j 
1.电路结构 接收电路由天线、天线开关、滤波器、高放管(低噪声放大器)、中频集成块(接收解调器)等电路组成。 早期手机有一级、二级混频电路,其目的把接收频率降低后再解调(如下图)。 
4 j  O/ |. d4 I4 G- h& W  接收电路方框图  
/ V! S# B8 J9 s$ ?) k2.各元件的功能与作用 / K+ v: K- C2 W3 \ 
1)、手机天线: 结构: (如下图) 由手机天线分外置和内置天线两种;由天线座、螺线管、塑料封套组成。$ B7 s9 _1 \9 @+ G. y: c7 I 
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作用: a)、接收时把基站发送来电磁波转为微弱交流电流信号。 b)、发射时把功放放大后的交流电流转化为电磁波信号。  
5 e- I3 _: n7 _* ]' w. e3 A/ {2)、天线开关: 结构: (如下图) 手机天线开关(合路器、双工滤波器)由四个电子开关构成。 
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作用:完成接收和发射切换; 完成900M/1800M信号接收切换。  
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逻辑电路根据手机工作状态分别送出控制信号(GSM-RX-EN;DCS- RX-EN;GSM-TX-EN;DCS- TX-EN),令各自通路导通,使接收和发射信号各走其道,互不干扰。 - O- v( z* }. N( Y# g8 `3 X 
由于手机工作时接收和发射不能同时在一个时隙工作(即接收时不发射,发射时不接收)。 因此后期新型手机把接收通路的两开关去掉,只留两个发射转换开关;接收切换任务交由高放管完成。  
+ n! X1 ]3 ]( H4 x6 I3 P$ u3)、滤波器: 结构: 手机中有高频滤波器、中频滤波器。 作用: 滤除其他无用信号,得到纯正接收信号。 后期新型手机都为零中频手机;因此,手机中再没有中频滤波器。  
" u' C! Y4 `. J) E# [# l4 @4)、高放管(高频放大管、低噪声放大器): 结构: 手机中高放管有两个: 900M高放管、1800M高放管。 都是三极管共发射极放大电路;后期新型手机把高放管集成在中频内部。+ r  G2 }. Y) j' |$ H4 }% \ 
  高频放大管供电图  
8 q# U, B. O: t2 ?1 j作用: 
% W0 e0 P5 n' }原理:! f3 Y+ d4 V$ e7 n  r3 @( ?) g0 z0 o1 ? 
5)、中频(射频接囗、射频信号处理器): 结构: 由接收解调器、发射调制器、发射鉴相器等电路组成;新型手机还把高放管、频率合成、26M振荡及分频电路也集成在内部(如下图)。 2 ^3 K! b; P( N9 ^ 
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作用: a)、内部高放管把天线感应到微弱电流进行放大; b)、接收时把935M-960M(GSM)的接收载频信号(带对方信息)与本振信号(不带信息)进行解调,得到67.707KHZ的接收基带信息; c)、发射时把逻辑电路处理过的发射信息与本振信号调制成发射中频; d)、结合13M/26M晶体产生13M时钟(参考时钟电路); e)、根据CPU送来参考信号,产生符合手机工作信道的本振信号。  
6 D  J. O0 Y4 R& m1 R3.接收信号流程 " ~! r5 f& t* ? 
手机接收时,天线把基站发送来电磁波转为微弱交流电流信号,经过天线开关接收通路,送高频滤波器滤除其它无用杂波,得到纯正935M-960M(GSM)的接收信号,由电容器耦合送入中频内部相应的高放管放大后,送入解调器与本振信号(不带信息)进行解调,得到67.707KHZ的接收基带信息(RXI-P、RXI-N、RXQ-P、RXQ-N);送到逻辑音频电路进一步处理。  
4 i, O) V: M  |5 ^2 \4 l) n/ A  x- Q发射电路的结构和工作原理 ; ~5 ~( b$ r% @4 d3 F 
发射时,把逻辑电路处理过的发射基带信息调制成的发射中频,用TX-VCO把发射中频信号频率上变为890M-915M(GSM)的频率信号。 经功放放大后由天线转为电磁波辐射出去。  
* h2 D" B1 d+ b6 l( u- M. X该电路掌握重点:(1)、电路结构;(2)、各元件的功能与作用;(3)、发射信号流程。 2 {* L6 A  P6 W" {( _5 g, G7 | 
1.电路结构 发射电路由中频内部的发射调制器、发射鉴相器;发射压控振荡器(TX-VCO)、功率放大器(功放)、功率控制器(功控)、发射互感器等电路组成。 (如下图) 
  e# ~( k# {1 W/ g  发射电路方框图 # f) d) Y8 T$ u4 R0 ~$ e8 O! e 
2.各元件的功能与作用  
# E  M+ J/ y! e5 n4 ^) B# G1)、发射调制器: 结构: 发射调制器在中频内部,相当于宽带网络中的MOD。 作用: 发射时把逻辑电路处理过的发射基带信息(TXI-P;TXI-N;TXQ-P;TXQ-N)与本振信号调制成发射中频。  
1 m! \; T% p+ c: }9 M3 D9 L2)、发射压控振荡器(TX-VCO): 结构: 发射压控振荡器是由电压控制输出频率的电容三点式振荡电路;在生产制造时集成为一小电路板上,引出五个脚: 供电脚、接地脚、输出脚、控制脚、900M/1800M频段切换脚。 当有合适工作电压后便振荡产生相应频率信号。 3 `- S" R" g. i8 f 
作用: 把中频内调制器调制成的发射中频信号转为基站能接收的890M-915M(GSM)的频率信号。  
* ~1 O2 x, x9 ^0 |: E- U" f原理: 众所周知,基站只能接收890M-915M(GSM)的频率信号,而中频调制器调制的中频信号(如三星发射中频信号135M)基站不能接收的,因此,要用TX-VCO把发射中频信号频率上变为890M-915M(GSM)的频率信号。 ! l3 J% ~2 D" d( Y9 B7 c 
当发射时,电源部分送出3VTX电压使TX-VCO工作,产生890M-915M(GSM)的频率信号分两路走:a)、取样送回中频内部,与本振信号混频产生一个与发射中频相等的发射鉴频信号,送入鉴相器中与发射中频进行较;若TX-VCO振荡出频率不符合手机的工作信道,则鉴相器会产生1-4V跳变电压(带有交流发射信息的直流电压)去控制TX-VCO内部变容二极管的电容量,达到调整频率准确性目的。 b)、送入功放经放大后由天线转为电磁波辐射出去。  
4 `' ?5 g% L+ @6 t9 U0 k从上看出: 由TX-VCO产生频率到取样送回中频内部,再产生电压去控制TX-VCO工作;刚好形成一个闭合环路,且是控制频率相位的,因此该电路也称发射锁相环电路。 " v' V* k7 D& `0 c: M 
3)、功率放大器(功放): 结构: 目前手机的功放为双频功放(900M功放和1800M功放集成一体),分黑胶功放和铁壳功放两种;不同型号功放不能互换。  
$ g/ w" M1 J' R" H5 Q5 h9 F- p作用: 把TX-VCO振荡出频率信号放大,获得足够功率电流,经天线转化为电磁波辐射出去。  
2 s2 a) j6 ?6 ~. S, x8 K) F8 o值得注意:功放放大的是发射频率信号的幅值,不能放大他的频率。 , A" m6 c4 S: Q 
功率放大器的工作条件: a)、工作电压(VCC): 手机功放供电由电池直接提供(3.6V); b)、接地端(GND): 使电流形成回路; c)、双频功换信号(BANDSEL): 控制功放工作于900M或工作于1800M;d)、功率控制信号(PAC): 控制功放的放大量(工作电流); e)、输入信号(IN);输出信号(OUT)。 4)、发射互感器: 结构: 两个线径和匝数相等的线圈相互靠近,利用互感原理组成。 作用: 把功放发射功率电流取样送入功控。 原理: 当发射时功放发射功率电流经过发射互感器时,在其次级感生与功率电流同样大小的电流,经检波(高频整流)后并送入功控。  
9 h3 \  L$ Y( d5)、功率等级信号: 所谓功率等级就是工程师们在手机编程时把接收信号分为八个等级,每个接收等级对应一级发射功率(如下表),手机在工作时,CPU根据接的信号强度来判断手机与基站距离远近,送出适当的发射等级信号,从而来决定功放的放大量(即接收强时,发射就弱)。  
+ N- t3 Y8 R+ U$ a( _附功率等级表: 
) C$ o6 X( y9 e0 F$ k; G5 N! F![]()  
4 ]0 [$ ?8 V& f; G2 r6)、功率控制器(功控): 结构: 为一个运算比较放大器。 作用: 把发射功率电流取样信号和功率等级信号进行比较,得到一个合适电压信号去控制功放的放大量。 原理: 当发射时功率电流经过发射互感器时,在其次级感生的电流,经检波(高频整流)后并送入功控;同时编程时预设功率等级信号也送入功控;两个信号在内部比较后产生一个电压信号去控制功放的放大量,使功放工作电流适中,既省电又能长功放使用寿命(功控电压高,功放功率就大)。  
4 X$ ~, x2 m# v5 {; G9 P# ?4 [- i3.发射信号流程 当发射时,逻辑电路处理过的发射基带信息(TXI-P;TXI-N;TXQ-P;TXQ-N),送入中频内部的发射调制器,与本振信号调制成发射中频。 而中频信号基站不能接收的,要用TX-VCO把发射中频信号频率上升为890M-915M(GSM)的频率信号基站才能接收。 当TX-VCO工作后,产生890M-915M(GSM)的频率信号分两路走: ) e6 X/ K; v1 S$ J9 \ 
a)、一路取样送回中频内部,与本振信号混频产生一个与发射中频相等的发射鉴频信号,送入鉴相器中与发射中频进行较;若TX-VCO振荡出频率不符合手机的工作信道,则鉴相器会产生一个1-4V跳变电压去控制TX-VCO内部变容二极管的电容量,达到调整频率目的。 b)、二路送入功放经放大后由天线转化为电磁波辐射出去。 为了控制功放放大量,当发射时功率电流经过发射互感器时,在其次级感生的电流,经检波(高频整流)后并送入功控;同时编程时预设功率等级信号也送入功控;两个信号在内部比较后产生一个电压信号去控制功放的放大量,使功放工作电流适中,既省电又能长功放使用寿命。 国产射频芯片产业链现状 # P1 ]# H5 F# R8 e7 ^8 y 
在射频芯片领域,市场主要被海外巨头所垄断,国内射频芯片方面,没有公司能够独立支撑IDM的运营模式,主要为Fabless设计类公司;国内企业通过设计、代工、封装环节的协同,形成了“软IDM“”的运营模式。 
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射频芯片设计方面,国内公司在5G芯片已经有所成绩,具有一定的出货能力。 射频芯片设计具有较高的门槛,具备射频开发经验后,可以加速后续高级品类射频芯片的开发。 , Y& I4 N8 a; Z! o4 Q2 B 
射频芯片封装方面,5G射频芯片一方面频率升高导致电路中连接线的对电路性能影响更大,封装时需要减小信号连接线的长度;另一方面需要把功率放大器、低噪声放大器、开关和滤波器封装成为一个模块,一方面减小体积另一方面方便下游终端厂商使用。 为了减小射频参数的寄生需要采用Flip-Chip、Fan-In和Fan-Out封装技术。 % M/ @5 j0 R# _1 l: ^" K 
Flip-Chip和Fan-In、Fan-Out工艺封装时,不需要通过金丝键合线进行信号连接,减少了由于金丝键合线带来的寄生电效应,提高芯片射频性能;到5G时代,高性能的Flip-Chip/Fan-In/Fan-Out结合Sip封装技术会是未来封装的趋势。 
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Flip-Chip/Fan-In/Fan-Out和Sip封装属于高级封装,其盈利能力远高于传统封装。 国内上市公司,形成了完整的FlipChip+Sip技术的封装能力 
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