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本帖最后由 jacky401 于 2020-8-30 20:59 编辑
6 W1 ~4 O G. [6 M& e2 u% W9 z2 V# i# W7 d1 s
目录 1 SDRAM简介 2 SDRAM工作原理 2.1 芯片初始化) ]7 j. y6 u$ }0 F8 Y* Y
2.2 行激活7 D" F+ U) d! \4 o4 _, E2 f) F3 ]
2.3 列读写1 S6 G/ G A7 F* ~! Z
2.4 数据输出（读）2 a$ B/ O" R! v; B/ ]
2.5 数据输入（写）; W1 K; v2 F! A8 ^: r+ W# ]. W
2.6 突发长度
- d: J; w% q1 C) k& a* d 2.7 预充电
J0 ^ l* M) @/ D 2.8 刷新
7 d' e+ L" D! `6 k0 H1 c3 M 2.9 数据掩码
' @2 s* \2 S, m0 e/ c' d0 l 3 硬件设计+ d+ @ U% N1 c/ \
4 参考资料
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SDRAM 工作原理详解% N! F3 R2 u" \8 L5 L
& m9 j5 {+ s. [2 G1 w SDRAM是一种可以指定任意地址进行读写的存储器，它具有存储容量大，读写速度快的特点，同时价格也相对低廉。因此，SDRAM常作为缓存，应用于数据存储量大，以及速度要求较高的场合，如复杂嵌入式设备的存储器等。 * f i/ d& ]2 \3 c6 E6 {
1 SDRAM简介 SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory），同步动态随机存储器。同步是指内存工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。 SDRAM具有空间存储量大、读写速度快、价格相对便宜等优点。然而由于SDRAM内部利用电容来存储数据，为保证数据不丢失，需要持续对各存储电容进行刷新操作；同时在读写过程中需要考虑行列管理、各种操作延时等，由此导致了其控制逻辑复杂的特点。 SDRAM的内部是一个存储阵列，你可以把它想象成一张表格。我们在向这个表格中写入数据的时候，需要先指定一个行（Row），再指定一个列（Column），就可以准确地找到所需要的“单元格”，这就是SDRAM寻址的基本原理。如图所示：
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! D% ~9 w3 W, M; n; b2 f7 ~
图1 SDRAM寻址原理
2 w5 V1 o, c. f x# H# Y2 s: \ 图中的“单元格”就是SDRAM存储芯片中的存储单元，而这个“表格”（存储阵列）我们称之为L-Bank。通常SDRAM的存储空间被划分为4个L-Bank，在寻址时需要先指定其中一个L-Bank，然后在这个选定的L-Bank中选择相应的行与列进行寻址（寻址就是指定存储单元地址的过程）。 对SDRAM的读写是针对存储单元进行的，对SDRAM来说一个存储单元的容量等于数据总线的位宽，单位是bit。那么SDRAM芯片的总存储容量我们就可以通过下面的公式计算出来： SDRAM总存储容量 = L-Bank的数量×行数×列数×存储单元的容量
4 t, I/ ]0 S7 \6 p SDRAM存储数据是利用了电容的充放电特性以及能够保持电荷的能力。一个大小为1bit的存储单元的结构如下图所示，它主要由行列选通三极管，存储电容，刷新放大器组成。行地址与列地址选通使得存储电容与数据线导通，从而可进行放电（读取）与充电（写入）操作。 0 `+ P. H" G3 }+ w1 t% }
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图2 SDRAM存储单元结构示意图 - i" L7 y+ n% k& v$ {
2 w. q, `/ {# P$ o" I 下图为SDRAM的功能框图，SDRAM内部有一个逻辑控制单元，并且有一个模式寄存器为其提供控制参数。SDRAM接收外部输入的控制命令，并在逻辑控制单元的控制下进行寻址、读写、刷新、预充电等操作。 / U: |, D1 X ~ R6 ? W8 {" f( j0 s
, Z- i6 f: M! `+ G 图3 SDRAM功能框图
' A D$ Q2 M, @9 ?2 SDRAM工作原理8 M+ V$ w" e# G" R% `
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发表于 2020-7-12 21:17
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