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本帖最后由 jacky401 于 2020-8-30 20:59 编辑 : k7 C, T3 ^) b) ` ?* {. G
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目录 1 SDRAM简介 2 SDRAM工作原理 2.1 芯片初始化' R: _6 M2 T( ]
2.2 行激活
$ p& T+ b; @3 V 2.3 列读写. u# e4 b- K8 M. |* m. D
2.4 数据输出（读）
( M/ f- N0 E+ F& \/ o* @3 l 2.5 数据输入（写）
5 T; u" X+ c/ Z' A1 d& X7 x 2.6 突发长度) T' t( T' ^; Y3 Z! U# ~. V
2.7 预充电
# V" Y5 A5 G( P3 h3 {3 a' O6 v# w7 A 2.8 刷新% |- \7 x, o! j* `
2.9 数据掩码
1 S. U6 Y0 Z+ n; Z& c3 [' K 3 硬件设计( B s" h: f) B
4 参考资料
$ B$ e% d- J! h4 y& l) [
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* Q$ M5 ^8 v: B3 Y/ U2 v v) P. Q6 C4 v! b& e R* M1 e7 @/ `: x% O
SDRAM 工作原理详解; C* E. p: k5 P( N( G/ @
+ k4 d/ M) h. p) P0 l5 e SDRAM是一种可以指定任意地址进行读写的存储器，它具有存储容量大，读写速度快的特点，同时价格也相对低廉。因此，SDRAM常作为缓存，应用于数据存储量大，以及速度要求较高的场合，如复杂嵌入式设备的存储器等。
3 U+ q0 K. D7 C. A! J% d1 SDRAM简介 SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory），同步动态随机存储器。同步是指内存工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。 SDRAM具有空间存储量大、读写速度快、价格相对便宜等优点。然而由于SDRAM内部利用电容来存储数据，为保证数据不丢失，需要持续对各存储电容进行刷新操作；同时在读写过程中需要考虑行列管理、各种操作延时等，由此导致了其控制逻辑复杂的特点。 SDRAM的内部是一个存储阵列，你可以把它想象成一张表格。我们在向这个表格中写入数据的时候，需要先指定一个行（Row），再指定一个列（Column），就可以准确地找到所需要的“单元格”，这就是SDRAM寻址的基本原理。如图所示： + m- m! Q- p9 a- M- u
6 G+ H, b! @( @% ]0 ~% E/ { 图1 SDRAM寻址原理
- ]. [( ~4 x L' m( o 图中的“单元格”就是SDRAM存储芯片中的存储单元，而这个“表格”（存储阵列）我们称之为L-Bank。通常SDRAM的存储空间被划分为4个L-Bank，在寻址时需要先指定其中一个L-Bank，然后在这个选定的L-Bank中选择相应的行与列进行寻址（寻址就是指定存储单元地址的过程）。 对SDRAM的读写是针对存储单元进行的，对SDRAM来说一个存储单元的容量等于数据总线的位宽，单位是bit。那么SDRAM芯片的总存储容量我们就可以通过下面的公式计算出来： SDRAM总存储容量 = L-Bank的数量×行数×列数×存储单元的容量
6 \2 O5 Y- C$ k* @1 P( } SDRAM存储数据是利用了电容的充放电特性以及能够保持电荷的能力。一个大小为1bit的存储单元的结构如下图所示，它主要由行列选通三极管，存储电容，刷新放大器组成。行地址与列地址选通使得存储电容与数据线导通，从而可进行放电（读取）与充电（写入）操作。
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图2 SDRAM存储单元结构示意图 3 f3 A4 D2 d, Q* F% ?( p
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下图为SDRAM的功能框图，SDRAM内部有一个逻辑控制单元，并且有一个模式寄存器为其提供控制参数。SDRAM接收外部输入的控制命令，并在逻辑控制单元的控制下进行寻址、读写、刷新、预充电等操作。 5 a# P3 N3 U% D! U: f
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图3 SDRAM功能框图
, o* J" }8 J6 _1 p D$ {2 SDRAM工作原理- d8 W$ ^% Y7 v' c5 A- g7 Q
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发表于 2020-7-12 21:17
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