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SRAM它也由晶体管组成。接通代表1,断开表示0,并且状态会保持到接收了一个改变信号为止。这些晶体管不需要刷新,但停机或断电时,它们同DRAM一样,会丢掉信息。SRAM的速度非常快,通常能以20ns或更快的速度工作。静态ram中所谓的“静态”,是指这种存储器只要保持通电,里面储存的数据就可以恒常保持。SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。因此SRAM具有较高的性能,
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SoC随着工艺进步设计复杂度增加,embeded sram也越来越多。在40nm SoC产品Sram一般在20Mbits左右,当工艺发展到28nm时Sram就增加到100Mbits。如果考虑AI产品,Sram估计更多。如何更好的测试Sram就成为量产测试的重中之重。
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SRAM的性能
( f* o' q2 J- p5 F$ w; b& M2 N·memory compiler的选择' @% x3 C; E7 G8 ^4 \/ w
对于一个memory size大小确定的memory block,Column Mux越大,Row address位宽越小:. b1 H2 o) X# x: g
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- memory读写的访问速度就高 (row译码选择快)
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- memory的面积大(cell和cell的横向距离大于纵向距离,column mux增加很增加bits per wordline--横向,减少wordline数--纵向,横向尺寸增加远大于纵向)5 R8 |7 F. y2 @! L1 L2 Z
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- 因为一次选择的row地址对应的cell多,功耗也会增加
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电流功耗
% I' |* _, h9 y总电流功耗包括dynamic power和leakage power。不同的sram cell单元(比如HPC,HDC等等)功耗指标不同,体系结构设计需要在面积,速度和功耗之间寻找平衡。% T- d3 p- f( \! U- R
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-leakage current是永远存在的' m0 S% q; ?6 a
% k, l8 `0 q: [! O. G4 a
Poweroff模式(cell+periphery off)< Retention模式(cell ON+periphery OFF) < Standby模式(cell+periphery on)
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: g0 r1 i; W, e& x" r1Mbits memory的standby/Ret leakage电流在0.2mA左右,poweroff leakage电流在0.03mA左右。
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2 K! g, n) |% }# y2 A8 F-dynamic current:column mux,读写速度,读写辅助电路等都会影响动态电流
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如果在常温状态下leakage current比较大,在高温或者大的dynamic current时必须注意thermal runaway的风险,因为温度升高leakage current会增加很快,总功耗的增加会进一步增加温度,形成正反馈。3 z' @) T. V# C
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SRAM的其他特性7 { [; k; |* w0 M4 ~3 S) W
SRAM的读写时间可以做成self-timing,当读写被时钟上升沿trigger以后,SRAM内有dummy bitline+dummy driver来驱动计时器得到读写的时间。得到读写时间后,用该时间访问实际sram cell保证读写时间ok。
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SRAM的结构
$ C( N) t$ \4 \ o1 N) k一个6T sram cell的经典结构如图所示:( C8 B: l! O4 M' u8 _9 A$ c
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这些SRAM cell集合成如下图的多个bank的memory block,每个bank有bank address使能;在一个bank内Row address选择一个完整的wordline,Column address选择某组IO bitlines。% V& I5 O, K2 w
举个例子说明如下:
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* g" Y: {- p0 v, J3 B一个memory block是4096x32 cm16,该memory size = 4096*32= 128k bits, row address is 8bits (4096/16 = 256 wordlines), column address is 4 bits(0~15), Wordline bits = 32*16 = 512 bits.
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