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请教晶振电容在PCB的摆放问题

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1#
发表于 2020-6-23 17:33 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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偶平时设计过电容再到晶振,周围包地,晶振下保持干净完整平面。
5 Y6 h2 ?/ P1 T! i. ~( t- k) e+ Q8 o在一些硬件指导或者DEMO上有这两种做法:* W1 Z4 I7 r: ]' b+ V
1、有先过电容再到晶振;
  I! {# e5 {( i* F. {2、有先过晶振再到电容(以前听老工程师说这会产生STUB效应);
" g" P4 @' S+ ?: D& ^! H4 Y有些DEMO参考板客户强烈要求按DEMO板布局布线,毕竟这是调试没有问题。
+ [, N1 ~) S$ _平时没有机会调试,请大神解释下这两种处理方式。
. K7 m; W  u7 o; ?" e5 f
% f9 w" r7 j1 U* G+ \

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发表于 2020-7-20 19:24 | 只看该作者
这种频率的晶振对于电容的摆放位置要求不高

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参与人数 1威望 +5 收起 理由
超級狗 + 5 也對!

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  • TA的每日心情
    奋斗
    2020-4-9 15:05
  • 签到天数: 6 天

    [LV.2]偶尔看看I

    推荐
    发表于 2020-6-24 15:15 | 只看该作者
    靠近MCU越近越好,即引线越短越好;1 R* E( m; K5 J2 d
    -----一般是这样,但是有时候主芯片发热比较严重的话,要考虑温度对晶振稳定性的影响,可能还要考虑适当地拉远一些。

    该用户从未签到

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     楼主| 发表于 2020-6-24 10:11 | 只看该作者
    fisheryzh 发表于 2020-6-24 09:41% C3 f' [$ O/ z/ M6 W3 [
    到底是先过电容,还是先过晶体(晶振)这个不是原则。. {' _7 {  H% p; P! c$ z' ?) j5 {" V
    布局布线原则:
    ' _5 u2 q! D. e# t0 m) h. s2 ?1、减小寄生电容和寄生电感,晶体 ...

    2 C; V0 w4 }7 N$ m) r1、靠近MCU越近越好,即引线越短越好;
    # L$ K4 j4 }) ?/ p9 i- F2、等长倒是没有做过,一般加粗类差分处理,周围包地打孔;
    ! W7 x/ B( x; h. ?: |. t3、远离高频,敏感信号,热源,DCDC,继电器等干扰源;
    - c# d$ L( {  F( z1 j9 x4 l+ D4、基于结构所限有时也考虑放在晶体两边;  v9 x( G- `; A: l7 T+ n
    / Z0 x3 g9 R  u& O4 P6 q
    PS:1.基于以上设计,两种是否都OK,有仿真或者实操的帮解释下。0 C4 i1 G4 J+ D8 W
          2.有时做不到以上第三点,但是相邻或接近(如1-2MM内),晶体下还是保持干净,是否也是OK?7 Z% v6 R8 F3 W; l' d/ L

    该用户从未签到

    2#
    发表于 2020-6-23 17:55 | 只看该作者
    一般情况我都是第一种 后面几种有些参考板也遇到过 主要还是第一种 目前没遇到任何问题

    点评

    也是和你一样方式处理。  详情 回复 发表于 2020-6-24 09:11

    该用户从未签到

    3#
     楼主| 发表于 2020-6-24 09:11 | 只看该作者
    xxxxc 发表于 2020-6-23 17:55& I  d; b2 R# X- W3 d0 S
    一般情况我都是第一种 后面几种有些参考板也遇到过 主要还是第一种 目前没遇到任何问题

    * c  C8 u/ _" X6 X% M  i% C7 f也是和你一样方式处理。
    4 X* a( p" h, s6 m
  • TA的每日心情
    开心
    2020-3-16 15:23
  • 签到天数: 7 天

    [LV.3]偶尔看看II

    4#
    发表于 2020-6-24 09:41 | 只看该作者
    到底是先过电容,还是先过晶体(晶振)这个不是原则。
    # Q4 r1 k- X3 F布局布线原则:3 g7 z: r) m( p6 G2 T9 x
    1、减小寄生电容和寄生电感,晶体到MCU的引线等长,走线长度足够短,避免分叉;
    9 w7 w7 O5 t2 ^% r2、MCU的电源要有足够的滤波电容,保证高频干扰串入晶体电路;
    : I% z, @& e& F1 S3、晶体电路需要包地,包地的地线需要打过孔到gnd layer;# |9 J" W" R2 M5 q" b3 m1 d
    4、晶体电路远离高频信号;/ [0 ]! R- S( B  \2 E! ~/ O
    5、电容是放在晶体和MCU的中间,还是外面,依然实际器件尺寸和布局布线情况选定;

    点评

    1、靠近MCU越近越好,即引线越短越好; 2、等长倒是没有做过,一般加粗类差分处理,周围包地打孔; 3、远离高频,敏感信号,热源,DCDC,继电器等干扰源; 4、基于结构所限有时也考虑放在晶体两边; PS:1.基  详情 回复 发表于 2020-6-24 10:11

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  • TA的每日心情
    难过
    2025-8-4 15:43
  • 签到天数: 99 天

    [LV.6]常住居民II

    7#
    发表于 2020-6-26 08:52 | 只看该作者

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    8#
    发表于 2020-6-30 19:26 | 只看该作者
    没啥区别,这里的电容不是滤波用,是震荡电路。

    “来自电巢APP”

  • TA的每日心情
    开心
    2020-7-23 15:12
  • 签到天数: 9 天

    [LV.3]偶尔看看II

    9#
    发表于 2020-6-30 22:50 | 只看该作者
    我常用的都是第一种,没出现过问题!

    “来自电巢APP”

  • TA的每日心情
    无聊
    2024-4-26 15:13
  • 签到天数: 3 天

    [LV.2]偶尔看看I

    10#
    发表于 2020-7-1 08:41 | 只看该作者
    应该是先过晶振,后过电容

    “来自电巢APP”

    该用户从未签到

    11#
    发表于 2020-7-1 10:34 | 只看该作者
    这电容不属于滤波,所以位置只要就近晶振即可,振荡作用

    该用户从未签到

    12#
    发表于 2020-7-1 10:58 | 只看该作者
    学习学习,电容应该是滤波的作用吧

    该用户从未签到

    13#
    发表于 2020-7-2 08:41 | 只看该作者
    我都是先过电容再到晶振

    该用户从未签到

    14#
    发表于 2020-7-20 07:51 | 只看该作者
    这个情况基本没考虑过,因为看到的基本上都是第一种,所以习惯性的就喜欢用第一种

    “来自电巢APP”

    该用户从未签到

    15#
    发表于 2020-7-20 09:31 | 只看该作者
    ST官方关于晶振的处理分析文档的。

    AN2867 Oscillator design guide for STM8AFALS, STM32 MCUs and MPUs.pdf

    2.9 MB, 下载次数: 30, 下载积分: 威望 -5

    点评

    对,有些官方手册会有布局布线的指导说明。  详情 回复 发表于 2021-2-4 14:46
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