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请教晶振电容在PCB的摆放问题

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1#
发表于 2020-6-23 17:33 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
偶平时设计过电容再到晶振,周围包地,晶振下保持干净完整平面。- ]- {; _* H) g: ?
在一些硬件指导或者DEMO上有这两种做法:9 i+ b6 r8 F4 f! |( b5 r9 e
1、有先过电容再到晶振;
9 n4 O9 w& ], H& e) X8 M/ b2、有先过晶振再到电容(以前听老工程师说这会产生STUB效应);' ]7 ]- P3 ]9 z5 q" K9 ]
有些DEMO参考板客户强烈要求按DEMO板布局布线,毕竟这是调试没有问题。. `  R- ?  |- a" I  K1 e1 X+ |7 K; ^
平时没有机会调试,请大神解释下这两种处理方式。: D: s4 ?0 m& p3 v; v* o; b- g2 G
% s% x* n6 }  {! A9 J+ @7 T+ p' k$ @/ N

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发表于 2020-7-20 19:24 | 只看该作者
这种频率的晶振对于电容的摆放位置要求不高

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参与人数 1威望 +5 收起 理由
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  • TA的每日心情
    奋斗
    2020-4-9 15:05
  • 签到天数: 6 天

    [LV.2]偶尔看看I

    推荐
    发表于 2020-6-24 15:15 | 只看该作者
    靠近MCU越近越好,即引线越短越好;: ?" u& O) z" _4 A0 ?3 N7 A2 e2 w' E. \3 H
    -----一般是这样,但是有时候主芯片发热比较严重的话,要考虑温度对晶振稳定性的影响,可能还要考虑适当地拉远一些。

    该用户从未签到

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     楼主| 发表于 2020-6-24 10:11 | 只看该作者
    fisheryzh 发表于 2020-6-24 09:41/ M' A4 q! I! |! D0 s- y
    到底是先过电容,还是先过晶体(晶振)这个不是原则。
    6 s" m# t  r5 U0 R7 n3 z1 J; D布局布线原则:9 k- I/ l' U$ P( F9 {7 P, ]: R
    1、减小寄生电容和寄生电感,晶体 ...

    1 o- D* H; D' }1、靠近MCU越近越好,即引线越短越好;- Y. ~1 j/ Z/ g
    2、等长倒是没有做过,一般加粗类差分处理,周围包地打孔;
    . G6 w5 S/ _2 n" p0 E3、远离高频,敏感信号,热源,DCDC,继电器等干扰源;
    7 w+ T' x, H1 n( L! @4、基于结构所限有时也考虑放在晶体两边;
    " f) T0 y* R* X) d: P1 o) J8 h3 Z3 |2 M, J
    PS:1.基于以上设计,两种是否都OK,有仿真或者实操的帮解释下。
    $ T6 }8 P; N5 ^# d      2.有时做不到以上第三点,但是相邻或接近(如1-2MM内),晶体下还是保持干净,是否也是OK?% q8 D$ R' H3 E% T* v

    该用户从未签到

    2#
    发表于 2020-6-23 17:55 | 只看该作者
    一般情况我都是第一种 后面几种有些参考板也遇到过 主要还是第一种 目前没遇到任何问题

    点评

    也是和你一样方式处理。  详情 回复 发表于 2020-6-24 09:11

    该用户从未签到

    3#
     楼主| 发表于 2020-6-24 09:11 | 只看该作者
    xxxxc 发表于 2020-6-23 17:55
    " Z4 j; [  g$ M8 R, P1 R# L" Z4 B  F一般情况我都是第一种 后面几种有些参考板也遇到过 主要还是第一种 目前没遇到任何问题

    : H8 _. h1 U" e9 c1 M0 @也是和你一样方式处理。
    : h- ?1 f5 V7 H5 L3 V1 [2 n4 S
  • TA的每日心情
    开心
    2020-3-16 15:23
  • 签到天数: 7 天

    [LV.3]偶尔看看II

    4#
    发表于 2020-6-24 09:41 | 只看该作者
    到底是先过电容,还是先过晶体(晶振)这个不是原则。$ r0 z) Y9 ]7 j* ?2 o
    布局布线原则:/ a& ^! _- }5 y7 H* B% W
    1、减小寄生电容和寄生电感,晶体到MCU的引线等长,走线长度足够短,避免分叉;7 m+ E8 l* a$ U0 _0 c4 t
    2、MCU的电源要有足够的滤波电容,保证高频干扰串入晶体电路;) V  A9 a0 g9 E. s5 R
    3、晶体电路需要包地,包地的地线需要打过孔到gnd layer;
    1 t  z! w; T; ]2 m7 i2 G4、晶体电路远离高频信号;
    / l$ M) k1 m. l5 z5、电容是放在晶体和MCU的中间,还是外面,依然实际器件尺寸和布局布线情况选定;

    点评

    1、靠近MCU越近越好,即引线越短越好; 2、等长倒是没有做过,一般加粗类差分处理,周围包地打孔; 3、远离高频,敏感信号,热源,DCDC,继电器等干扰源; 4、基于结构所限有时也考虑放在晶体两边; PS:1.基  详情 回复 发表于 2020-6-24 10:11

    评分

    参与人数 1威望 +10 收起 理由
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  • TA的每日心情
    郁闷
    2025-7-9 15:16
  • 签到天数: 98 天

    [LV.6]常住居民II

    7#
    发表于 2020-6-26 08:52 | 只看该作者

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    8#
    发表于 2020-6-30 19:26 | 只看该作者
    没啥区别,这里的电容不是滤波用,是震荡电路。

    “来自电巢APP”

  • TA的每日心情
    开心
    2020-7-23 15:12
  • 签到天数: 9 天

    [LV.3]偶尔看看II

    9#
    发表于 2020-6-30 22:50 | 只看该作者
    我常用的都是第一种,没出现过问题!

    “来自电巢APP”

  • TA的每日心情
    无聊
    2024-4-26 15:13
  • 签到天数: 3 天

    [LV.2]偶尔看看I

    10#
    发表于 2020-7-1 08:41 | 只看该作者
    应该是先过晶振,后过电容

    “来自电巢APP”

    该用户从未签到

    11#
    发表于 2020-7-1 10:34 | 只看该作者
    这电容不属于滤波,所以位置只要就近晶振即可,振荡作用

    该用户从未签到

    12#
    发表于 2020-7-1 10:58 | 只看该作者
    学习学习,电容应该是滤波的作用吧

    该用户从未签到

    13#
    发表于 2020-7-2 08:41 | 只看该作者
    我都是先过电容再到晶振

    该用户从未签到

    14#
    发表于 2020-7-20 07:51 | 只看该作者
    这个情况基本没考虑过,因为看到的基本上都是第一种,所以习惯性的就喜欢用第一种

    “来自电巢APP”

    该用户从未签到

    15#
    发表于 2020-7-20 09:31 | 只看该作者
    ST官方关于晶振的处理分析文档的。

    AN2867 Oscillator design guide for STM8AFALS, STM32 MCUs and MPUs.pdf

    2.9 MB, 下载次数: 30, 下载积分: 威望 -5

    点评

    对,有些官方手册会有布局布线的指导说明。  详情 回复 发表于 2021-2-4 14:46
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