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请教晶振电容在PCB的摆放问题

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发表于 2020-6-23 17:33 | 显示全部楼层 |阅读模式

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偶平时设计过电容再到晶振,周围包地,晶振下保持干净完整平面。9 O+ t2 n2 k+ q" U
在一些硬件指导或者DEMO上有这两种做法:2 b% S: n) z& Z  H( b  k
1、有先过电容再到晶振;
5 U9 w7 t7 m. J& o2、有先过晶振再到电容(以前听老工程师说这会产生STUB效应);
- z5 a' y" L( V- r0 A# X( u有些DEMO参考板客户强烈要求按DEMO板布局布线,毕竟这是调试没有问题。/ @1 H& g- J' E+ K; s
平时没有机会调试,请大神解释下这两种处理方式。  [8 w# l7 n* N" T6 \+ `
6 @/ P  {" Q0 W8 @6 W/ x
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  • TA的每日心情
    奋斗
    2020-4-9 15:05
  • 签到天数: 6 天

    [LV.2]偶尔看看I

    发表于 2020-6-24 15:15 | 显示全部楼层
    靠近MCU越近越好,即引线越短越好;
    2 S& e; U' V. J  U- A4 n( S: O-----一般是这样,但是有时候主芯片发热比较严重的话,要考虑温度对晶振稳定性的影响,可能还要考虑适当地拉远一些。

    该用户从未签到

     楼主| 发表于 2020-6-24 10:11 | 显示全部楼层
    fisheryzh 发表于 2020-6-24 09:41- D9 q( N* K. R  R% t" s+ n
    到底是先过电容,还是先过晶体(晶振)这个不是原则。$ ]. ~# \$ ^4 n
    布局布线原则:; b* a0 Z6 |5 J' X+ R
    1、减小寄生电容和寄生电感,晶体 ...
    * }$ ]& B7 D1 N# q; A
    1、靠近MCU越近越好,即引线越短越好;' ~5 @' L) L' E- A/ f, q5 ^# k6 w1 S
    2、等长倒是没有做过,一般加粗类差分处理,周围包地打孔;* U- s* E5 ^+ x' Y5 I! m
    3、远离高频,敏感信号,热源,DCDC,继电器等干扰源;5 |+ s. {0 D/ ?! V" X- V
    4、基于结构所限有时也考虑放在晶体两边;
    + A; ?4 t, F" ^5 u( w$ Z+ J. C' ], e/ I  P
    PS:1.基于以上设计,两种是否都OK,有仿真或者实操的帮解释下。
    ' j3 ]( t3 O' ]      2.有时做不到以上第三点,但是相邻或接近(如1-2MM内),晶体下还是保持干净,是否也是OK?; G$ O& ~0 ~5 ~/ C
  • TA的每日心情
    开心
    2020-3-16 15:23
  • 签到天数: 7 天

    [LV.3]偶尔看看II

    发表于 2020-6-24 09:41 | 显示全部楼层
    到底是先过电容,还是先过晶体(晶振)这个不是原则。
    7 G# R' ^+ @' W+ N0 G; x% m布局布线原则:
    ; v' M, @; N) ]8 e3 u. v1、减小寄生电容和寄生电感,晶体到MCU的引线等长,走线长度足够短,避免分叉;. \% P9 E6 k& D# k+ w
    2、MCU的电源要有足够的滤波电容,保证高频干扰串入晶体电路;
    9 H* E" A8 a1 n7 W8 J5 l' Q& c3、晶体电路需要包地,包地的地线需要打过孔到gnd layer;
    , G9 v6 c, y* D6 ]" j6 I7 t! x- X4、晶体电路远离高频信号;
    # t6 f3 X  ]5 Q8 U( S5、电容是放在晶体和MCU的中间,还是外面,依然实际器件尺寸和布局布线情况选定;

    点评

    1、靠近MCU越近越好,即引线越短越好; 2、等长倒是没有做过,一般加粗类差分处理,周围包地打孔; 3、远离高频,敏感信号,热源,DCDC,继电器等干扰源; 4、基于结构所限有时也考虑放在晶体两边; PS:1.基  详情 回复 发表于 2020-6-24 10:11

    评分

    参与人数 1威望 +10 收起 理由
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    该用户从未签到

    发表于 2020-6-23 17:55 | 显示全部楼层
    一般情况我都是第一种 后面几种有些参考板也遇到过 主要还是第一种 目前没遇到任何问题

    点评

    也是和你一样方式处理。  详情 回复 发表于 2020-6-24 09:11

    该用户从未签到

     楼主| 发表于 2020-6-24 09:11 | 显示全部楼层
    xxxxc 发表于 2020-6-23 17:55' h8 c, I# F, ~2 f9 d, Q
    一般情况我都是第一种 后面几种有些参考板也遇到过 主要还是第一种 目前没遇到任何问题
    9 |1 `+ X7 ~/ i1 v' B% Z2 d
    也是和你一样方式处理。3 V9 s" u7 e. I4 f0 x) V
  • TA的每日心情

    2020-8-19 15:08
  • 签到天数: 6 天

    [LV.2]偶尔看看I

    发表于 2020-6-26 08:52 | 显示全部楼层

    该用户从未签到

    发表于 2020-6-30 19:26 | 显示全部楼层
    没啥区别,这里的电容不是滤波用,是震荡电路。

    “来自电巢APP”

  • TA的每日心情
    开心
    2020-7-23 15:12
  • 签到天数: 9 天

    [LV.3]偶尔看看II

    发表于 2020-6-30 22:50 | 显示全部楼层
    我常用的都是第一种,没出现过问题!

    “来自电巢APP”

    该用户从未签到

    发表于 2020-7-1 08:41 | 显示全部楼层
    应该是先过晶振,后过电容

    “来自电巢APP”

    该用户从未签到

    发表于 2020-7-1 10:34 | 显示全部楼层
    这电容不属于滤波,所以位置只要就近晶振即可,振荡作用

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    发表于 2020-7-1 10:58 | 显示全部楼层
    学习学习,电容应该是滤波的作用吧

    该用户从未签到

    发表于 2020-7-2 08:41 | 显示全部楼层
    我都是先过电容再到晶振

    该用户从未签到

    发表于 2020-7-20 07:51 | 显示全部楼层
    这个情况基本没考虑过,因为看到的基本上都是第一种,所以习惯性的就喜欢用第一种

    “来自电巢APP”

    该用户从未签到

    发表于 2020-7-20 09:31 | 显示全部楼层
    ST官方关于晶振的处理分析文档的。

    AN2867 Oscillator design guide for STM8AFALS, STM32 MCUs and MPUs.pdf

    2.9 MB, 下载次数: 21, 下载积分: 威望 -5

    点评

    对,有些官方手册会有布局布线的指导说明。  详情 回复 发表于 2021-2-4 14:46
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