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本帖最后由 4317mjh 于 2020-6-15 22:57 编辑
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7 J5 M7 n+ N8 j案例2: PCB layout:
+ P. _$ T& |8 X6 d 背景:做电机驱动器开发时,在思考,怎么验证我的设计的长期可靠性。或者说当前配置下,板上的MOSFET是否长期可靠,后来想到了如下几个方法: A、 满功率输出的情况下,检测MOSFET的VDS在全过程,有没有超过VDSmax; B、 满功率输出的情况下,检测MOSFET的封装上部的温度,有没有超过手册范围; C、 满功率输出的情况下,检测MOSFET在全过程中,是否都在SOA内。
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5 k7 A& i$ O0 W/ u# t! h其实A和C,是有重叠的;SOA已经包含了VDS电压的要求;经过一番整改A和B都达标了。但是开关过度过程的SOA情况,因为我始终没个底,开关过程中的电流峰值会达到什么水平,会不会超出了SOA允许范围,会不会影响MOSFET的长期可靠性。 为了解决这些困惑,我就开始想办法测试MOSFET开关过度状态的SOA。 7 W6 g4 e+ {& Z) V7 y5 j9 s% v
开关过程的SOA检测的关键: ①在于电流的检测。开关状态的电流,是一个高频大电流,驱动器的工作电流是50A,从开关波形上看,应该需要100Mhz的带宽。高频大电流本身,就是一个很强的干扰源。 ②如何减少由于测量,而引入的插入电感;或者说插入电感必须足够小,否则会影响我原电路的工作。或者说,所测的电流和原来已经不一样了。 6 C, Z& U5 ]& E: B4 Q( j( z
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5 T. C) N! F8 ^2 c8 d7 u* o 高频大电流检测方案:(稳定50A左右,开关速度在10ns~20ns左右) - l! s3 |7 K7 O6 X+ ]
+ J( s+ {8 c8 c) o \ ①普通合金采样电阻;2520; 直接串进去,然后用示波器(隔离变压器)+接地环测试; 测试的效果,过冲很大,5mΩ的采样电阻,测出的峰值电压,达到10V,即10V/5mΩ=2000A。 ②电流探头; 像PEM公司的,基于罗氏线圈的电流探头,频响可以到30Mhz; 像Pearson公司的,基于变压器的电流探头,频响可以到200MHZ,但是只能测交流电流,并且对电流的rms值有要求。 ③同轴分流器; 目前看到的最佳方案,带宽可以做到1G以上。 下图是5mΩ的同轴分流器,黄色是电流实测电流波形。
1 `) \9 G( u; z7 O: o ④同轴分流器+去嵌; 之前在是德科技和泰克科技的一些在线研讨会上,有提到,他们的解决方案,就是同轴分流器+去嵌。
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- c9 M a5 Y0 w& `6 {0 p; B0 \摘自网上的一篇论文: GanPower的研讨会资料: % }, n4 v: K9 W8 w. u t9 |
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总结:也是借第三代宽禁带半导体的东风;因为他们的开关速度也非常快,在第三代宽禁带半导体的研发、生产过程中,也需要对MOSFET的SOA进行测量。所以,泰克、是德科技,这些仪器厂商,有提供相关测试的解决方案,比较前沿,也就是最近的事情。 还有一些第三代宽禁带半导体的生产厂商,也有一些这一块的资料。 3 B/ r, Z/ ~0 Y
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