TMS320C6678开发例程使用手册(2)

Tronlong小分队

加载GEL文件
' ^- w( C7 v1 Y$ w$ R- P! Q- jGEL文件主要用于在仿真调试的过程中对CPU进行初始化，如PLL、DDR等，还可以执行一些调试操作。例程中使用"DSP_C6678.gel"文件进行初始化（路径："光盘资料/Images"），配置如下CPU为1.0GHz，DDR3等效频率及对CPU风扇进行控制，其中风扇控制使用定时器15，DDR3时钟修改为1300MT/s。
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4 y& x! X! ~1 g6 p: e. q- f! a点击CCS菜单"Run->Debug"，弹出以下类似界面，可以看到C66xx_0到C66xx_7核，每个核都是可以单独加载GEL文件和程序镜像的。
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右击对应的DSP核，在弹出的界面中选择"Open GEL Files View"选项，右下角会弹出"GEL Files(TMS320C66xx)"对话框
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2 M$ J; K' C9 x, j% R. y在对话框内点击右键，在弹出的界面中选择"Load GEL"。选择光盘资料Images目录下的GEL文件"DSP_C6678.gel"，再点击确定，接着右下角的"GEL Files(TMS320C66xx)"对话框会出现Success提示语句，如下图：
" M0 o. s5 R) }/ L
% c' F7 G7 g' \! T) ~2 a2 [CCS连接开发板CPU
右击对应的DSP核，选择"Connect Target"选项，会显示Suspended状态。这说明CCS已经和开发板CPU正常连接起来了。

8 q6 _8 \2 t, J备注：如果此处提示"No source****"的信息，不是错误信息，可以将其忽视。
0 ^) u+ l6 r8 o! D; m5 I连接后将自动初始化开发板，如下图所示：
6 N: H! a: f) c' e3 O) O9 o
加载程序镜像文件
, W/ m; j3 ]( r: z点击"Run->Load->Load Program"，选择程序镜像文件（光盘Images目录下有用于演示的MyC6678.out文件，现象为核心板流水灯现象），可选择并点击OK。接着点击绿色三角启动按键，程序即可正常运转起来。

烧写程序到FLASH
8 y6 P* Z) j4 A: |4 h. J以下步骤实现将编译完的生成的.out程序烧写到NAND FLASH。由于开发板的EEPROM烧写了IBL(Intermediate BootLoader)，也就是二级引导程序，支持直接启动ELF格式的二进制.out文件，因此可将生成的.out文件烧写到NAND FLASH或NOR FLASH并脱机运行。依赖IBL的支持，可直接烧写CCS中编译出的.out文件，而不需要经过任何转换。需要注意的是，.out文件中包含有很多调试信息，所以文件较大，具体烧写步骤如下。
$ ]* M, q( q( I& \. L- A加载烧写工具程序
如需烧写NAND FLASH，将光盘"Demo\Flash Writer"目录下的NandFlashWriter.out、nand_writer_input.txt文件和需要烧写的.out程序拷贝到同一个非中文路径下，并修改需要烧写的.out程序文件名为app.bin。
如需烧写NOR FLASH，将光盘"Demo\Flash Writer"目录下的NoRFlashWriter.out、nor_writer_input.txt文件和需要烧写的.out程序拷贝到同一个非中文路径下，并修改需要烧写的.out程序文件名为app.bin。
6 a: o/ H* Y! q打开CCS集成开发环境，加载GEL文件并连接CPU，然后加载烧写工具程序文件NandFlashWriter.out或NorFlashWriter.out，如下图所示：

. k7 c; E- u, E& l/ p0 x% S1 F点击CCS菜单栏"View->Memory Browser"，在弹出的界面中点击"Save Memory"按钮，然后在下拉框中选择"Load Memory"，如下图所示：
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点击运行按钮，开始烧写程序，烧写成功后Console提示信息类似下图：

1 ?6 V- q' ?" e! e% W, Q/ {* I
9 D* `7 {% Z- a, o4 X' r# e' I# s点击Next，在弹出的界面中输入起始地址：0x80000000，数据类型输入：32bits，然后点击Finish等待加载完成，如下图所示：
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点击运行按钮，开始烧写程序，烧写成功后Console提示信息类似下图：
4 q" M- N! V1 x+ u* r
拔掉仿真器，开发板打到对应的启动档位，重新上电程序即会正常运行。
下部分请留意之后推文。
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