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小心遭误导,EEPROM容量小,一般存储程序段,使用I2C通信协议,ROM都是指只读存储器,EEPROM是电 ...; I/ m# c5 w$ B
lixc2008 发表于 2010-8-10 14:40 ![]() ( T& x5 N1 S& H
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) B% J6 s/ @1 W! ?! n) V; G NAND FLASH分SLC和MLC现在很多程序也在用SLC的NAND FLASH。
$ q7 n% |2 [* x) c: S5 `/ X5 Y什么是SLC和MLC) v8 R3 r9 X0 F$ B' Q
要认清问题,首先要搞明白什么是SLC和MLC,它们属于两种不同类型的NAND FLASH存储器,用来作为MP3播放器、移动存储盘等产品的存储介质。SLC全称是Single-Level Cell,即单层单元闪存,而MLC全称则是Multi-Level Cell,即为多层单元闪存。它们之间的区别,在于SLC每一个单元,只能存储一位数据,MLC每一个单元可以存储两位数据,MCL的数据密度要比SLC大一倍。3 _2 @3 H" x9 r; k& s1 N9 [1 ]
从名次解释上来看,当然MLC密度要大,自然有其优势,成本上来说,MLC也具有很大的优势。据了解,不少芯片厂商开始从SLC制程转向MLC制程,今年8月,三星正式从SLC转向MLC,今年10月份,三星已经开始大批量的生产MLC闪存芯片。目前三星采用的芯片编号为K9G****** K9L*****的芯片为MLC芯片,而现代采用编号为:HYUU**** HYUV***芯片也是MLC芯片。
: {- r( v# d! W8 \! \: Q+ `: @ 不过尽管MLC有其自身的优势,但是也掩饰不了其缺点。
6 m+ c7 v" J# C% ^, E* b5 m4 N$ } u1、读写效能较差
/ I% ]0 e5 M/ v! L8 K) t& H) X' N相比SLC闪存,MLC的读写效能要差,SLC闪存约可以反复读写10万次左右,而MLC则大约只能读写1万次左右,甚至有部分产品只能达到5000次左右。
' A$ O4 O" z* \, m! C2、读写速度较慢1 w+ h' M9 u* y. J3 V
在相同条件下,MLC的读写速度要比SLC芯片慢,目前MLC芯片速度大约只有2M左右。
r- {, r. }+ Y, b5 g% ~# X& G3、能耗较高
) o3 d/ L) q+ N# W" Z( M- }! F在相同使用条件下,MLC能耗比SLC高,要多15%左右的电流消耗。
. Z5 I" | \. K; q% j# ~$ H Y0 N 这些原因,很大程度上是取决于MLC制式改变,需要新的控制芯片支持,而部分MP3、闪存盘等产品仍然延续老式的设计,MLC就会带来各种问题,包括数据丢失、传输速度慢等缺陷。今年大批量SD卡被招回的风波,就是因为转用MLC芯片,没有新的主控芯片支持惹的祸,造成了很大的影响。2 \3 O: o, f' N$ l" q; c5 q
随着三星、东芝的MLC闪存芯片开始量产,MLC芯片应用也越来约广泛,由于全新的MLC芯片在存储密度等方面加大,对主控芯片的要求也越来越高。读写频繁的数码播放器和闪存盘等数码设备也加重了MLC闪存的出错几率,对于视频和音频这样的应用来说,必需具备控制芯片和ECC校验机制,目前有的主控芯片通过纯软件校验,这样,无形当中加重了主控芯片的负担。也有部分主控通过硬件的4bit ECC校验和软件校验相结合,从而减轻了主控负担,但是这只是在一定程度上减少出错的几率,MLC的芯片写入次数限制和传输速度等缺点是无法克服的。* S+ |5 \5 S7 U) @/ A
MLC在架构上取胜SLC,很多厂商目前都MLC做了很多的优化和开发,未来可能将是一个主流方向,但目前来说技术还不是很成熟。而成本上来说,MLC要便宜SLC芯片,所以不少厂商在原有架构上选用了MLC芯片,但却没有增加控制芯片或者ECC校验,使得不少问题则由此而生,使得不少行业人士也惊呼MLC为“黑芯”。所以目前大家在选购MP3、闪存盘等数码产品的时候,不能一味的只看价格,而需要更多层面的去考虑。到底选择SLC还是MLC芯片好?我们欢迎大家在下面发表自己的评论。 |
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