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MOS管开关

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  • TA的每日心情
    开心
    2021-11-22 15:33
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    [LV.6]常住居民II

    跳转到指定楼层
    1#
    发表于 2020-5-25 14:55 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    本帖最后由 超級狗 于 2020-6-6 23:54 编辑 , A, h" J% |4 b7 L
    $ n! @0 ~" g5 t! W
    大家帮我看一下这个电路0 j  q; U2 G* ~4 u$ `9 |7 @; ]$ x
    AO3415的VGS是±8V的话,这个电路是不是会烧?
    % E" R2 U% f& K# a' \4 _本来想实现的功能是,使能为高时有12Vout输出,低时无输出。7 @+ g0 i. c) y8 m6 ]
    沿用的之前的设计,沒太在意,今天发现一个AO3415在这个输出没有接负载的情况下烧了,查手册看VGS是±8V。是这个原因导致的吗?
    4 f* ^7 O( @! d5 ?: A5 m怎么修改一下呢
    ! ]; \3 F$ d# E+ ^

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  • TA的每日心情
    开心
    2025-11-6 15:02
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    [LV.10]以坛为家III

    推荐
    发表于 2020-5-25 18:19 | 只看该作者
    topwon 发表于 2020-5-25 17:419 N" W; N4 X, ?! R# C3 b- p9 P6 A
    10K和100K分压的话,Vgs=-1.1V,偏小了点,这样导通电阻Ron会比较大,损耗和发热也就比较严重,我觉得10K ...

    + u0 O2 g5 C4 \# j3 s5 @一直这样用!
    ; V. W/ d0 W4 ~- ~5 m
    % h+ T: J7 T  D; O& b0 w. h4 x" z  v0 x

    点评

    试试把12V电源变成15V,看看电路有没有问题。  详情 回复 发表于 2020-6-24 11:07
    这是加了缓启动电路吧  详情 回复 发表于 2020-6-24 07:17
    这个100K确实能避免GS击穿,限流了,但如果是PWM应用,会大大增加MOS管的开关损耗  详情 回复 发表于 2020-6-18 12:37
    这电路和楼主的没啥区别,不过是WPM3401 VGS=±12V,能改也改改吧~  详情 回复 发表于 2020-5-27 12:45
    AO3401的Vgs上下极限电压是12V,你这样接的话,12V供电时Vgs应该比较临界了吧?栅极再单独加电阻对这个问题应该没有帮助吧?  详情 回复 发表于 2020-5-26 08:41
    正解!需要在Q1的栅极串一个电阻,否则容易将Q1击穿。  详情 回复 发表于 2020-5-25 20:19

    评分

    参与人数 2威望 +8 收起 理由
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  • TA的每日心情
    奋斗
    2020-4-9 15:05
  • 签到天数: 6 天

    [LV.2]偶尔看看I

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    发表于 2020-5-25 16:10 | 只看该作者
    应该是这个Vgs超限的问题。如果不能把Q1换成Vgs范围更高的其他PMOS的话,那就要改板了,在Q2的D极处增加一个串联电阻,与R1分压再控制Q1的G极,这样Vgs就不是-12V了。

    点评

    暂时可能不改板,就还是换器件吧。。 下次改板的时候再加上。。  详情 回复 发表于 2020-5-25 16:38

    该用户从未签到

    推荐
    发表于 2020-5-26 09:53 | 只看该作者
    1,Q1的D级加个1k~2k的假负载,并将大电容改小;大电容可以放到S级去;
    9 ^, v9 V+ |- \9 R: d! t2,Q2的D级串一个小电阻,比如100R,并在G级增加10k下拉电阻,默认不开启;另:npn(比如3904)会比7002性价比高。

    该用户从未签到

    推荐
    发表于 2020-5-25 20:19 | 只看该作者
    th2010-gc01 发表于 2020-5-25 18:19& ~& f$ {5 d" s: ~( H+ e
    一直这样用!

    $ `  l, H$ w* B+ f6 Q正解!需要在Q1的栅极串一个电阻,否则容易将Q1击穿。
    2 `* q* p+ b* |& x' _  e9 `! A

    点评

    Q1 栅极串电阻是何用意?没看出来,栅极串电阻有什么用啊。  详情 回复 发表于 2020-5-26 09:33

    该用户从未签到

    2#
    发表于 2020-5-25 15:33 | 只看该作者
    楼主,别急,帮你问问,或者你可以艾特一下版主看看
  • TA的每日心情
    开心
    2025-11-6 15:02
  • 签到天数: 1077 天

    [LV.10]以坛为家III

    4#
    发表于 2020-5-25 16:34 | 只看该作者
    Q1的D级串一个100K的电阻!

    点评

    Q2的D级吧,Q1的G级。 分压  详情 回复 发表于 2020-5-25 16:39
  • TA的每日心情
    开心
    2021-11-22 15:33
  • 签到天数: 81 天

    [LV.6]常住居民II

    5#
     楼主| 发表于 2020-5-25 16:38 | 只看该作者
    topwon 发表于 2020-5-25 16:105 z/ O+ N# V' ]' m2 }0 D4 ^3 x
    应该是这个Vgs超限的问题。如果不能把Q1换成Vgs范围更高的其他PMOS的话,那就要改板了,在Q2的D极处增加一 ...

    : J/ R" o- U  W3 F暂时可能不改板,就还是换器件吧。。
    - s6 D$ T" M: m# [下次改板的时候再加上。。( N  Q- d4 u7 u5 [8 V
  • TA的每日心情
    开心
    2021-11-22 15:33
  • 签到天数: 81 天

    [LV.6]常住居民II

    6#
     楼主| 发表于 2020-5-25 16:39 | 只看该作者
    th2010-gc01 发表于 2020-5-25 16:34; u: \3 k# i9 z3 d- e: d, R; t
    Q1的D级串一个100K的电阻!
    ( r, C7 d- r  I6 N# j! i
    Q2的D级吧,Q1的G级。
    ! w& M3 r" y6 o: ?分压9 K  b  p0 r! ^1 d' K5 i

    点评

    嗯嗯嗯,是在Q1的G极!Q2截止时12V通过10K和100K电阻再到Q1的G极!  详情 回复 发表于 2020-5-25 17:31
  • TA的每日心情
    开心
    2025-11-6 15:02
  • 签到天数: 1077 天

    [LV.10]以坛为家III

    7#
    发表于 2020-5-25 17:31 | 只看该作者
    庚0209 发表于 2020-5-25 16:39
    " G' o# {1 R) _Q2的D级吧,Q1的G级。! T' p* Y8 E) N+ M, m1 J
    分压

    3 ~' C4 H4 H6 N5 o$ h7 T" L嗯嗯嗯,是在Q1的G极!Q2截止时12V通过10K和100K电阻再到Q1的G极!

    点评

    10K和100K分压的话,Vgs=-1.1V,偏小了点,这样导通电阻Ron会比较大,损耗和发热也就比较严重,我觉得10K和20K分压,Vgs=-4V,是不是会比较好一点。  详情 回复 发表于 2020-5-25 17:41
  • TA的每日心情
    奋斗
    2020-4-9 15:05
  • 签到天数: 6 天

    [LV.2]偶尔看看I

    8#
    发表于 2020-5-25 17:41 | 只看该作者
    th2010-gc01 发表于 2020-5-25 17:31" N$ _6 O7 j4 @3 R* I
    嗯嗯嗯,是在Q1的G极!Q2截止时12V通过10K和100K电阻再到Q1的G极!
    : E# C, Q8 n$ W
    10K和100K分压的话,Vgs=-1.1V,偏小了点,这样导通电阻Ron会比较大,损耗和发热也就比较严重,我觉得10K和20K分压,Vgs=-4V,是不是会比较好一点。7 R6 m1 k: e% Y% D. C, T: g6 J

    点评

    一直这样用! [attachimg]271001[/attachimg]  详情 回复 发表于 2020-5-25 18:19

    该用户从未签到

    11#
    发表于 2020-5-25 23:30 | 只看该作者
    不错的分析
  • TA的每日心情
    奋斗
    2020-4-9 15:05
  • 签到天数: 6 天

    [LV.2]偶尔看看I

    12#
    发表于 2020-5-26 08:41 | 只看该作者
    th2010-gc01 发表于 2020-5-25 18:19$ O: w3 A2 E, f& c* H
    一直这样用!
    # t8 h2 m* T) e+ S
    AO3401的Vgs上下极限电压是12V,你这样接的话,12V供电时Vgs应该比较临界了吧?栅极再单独加电阻对这个问题应该没有帮助吧?
    & Z: d* I8 W1 W5 _4 J1 S
    7 b: m5 I, j4 k  u, D

    点评

    那你可以在Q2的D极再串接一个电阻分压一下!  详情 回复 发表于 2020-5-26 10:07
  • TA的每日心情
    开心
    2019-11-19 15:39
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    13#
    发表于 2020-5-26 09:33 | 只看该作者
    jacky401 发表于 2020-5-25 20:19% Y+ g1 @% t) a  f! V! }
    正解!需要在Q1的栅极串一个电阻,否则容易将Q1击穿。
    ) {3 S# d3 z. a5 \* n; Z
    Q1 栅极串电阻是何用意?没看出来,栅极串电阻有什么用啊。* x, R, m6 O/ y) g
  • TA的每日心情
    开心
    2019-11-19 15:39
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    14#
    发表于 2020-5-26 09:36 | 只看该作者
    Q1换个就好了,Vgs大点的PMOS,比如说Vgs极限大于-12V就可以。
    6 }: S) N) E- k% n. [3 ]  h
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