MOS管开关

th2010-gc01

topwon 发表于 2020-5-26 08:41
AO3401的Vgs上下极限电压是12V，你这样接的话，12V供电时Vgs应该比较临界了吧？栅极再单独加电阻对这个问 ...

那你可以在Q2的D极再串接一个电阻分压一下！

huo_xing

一般的mos导通电压不超过20v都不会出问题。你这个可能启动瞬间gs电压超标。通常在设计时会在gs之间加个小电容作为缓启动。

yanggo

Q1的G极使用电阻侵夺，Q2打开的时候，Q1的G极电压控制在Q1的G极安全电压范围即可。话说，下边很多人回复了。论坛还是很活跃呀~~~

高数好难

th2010-gc01 发表于 2020-05-25 18:19:17
3 P9 x" Y. G; |3 d, X[quote]topwon 发表于 2020-5-25 17:41
. h- ^3 h5 {  _6 s10K和100K分压的话，Vgs=-1.1V，偏小了点，这样导通电阻Ron会比较大，损耗和发热也就比较严重，我觉得10K ...

一直这样用！

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) X3 {  n5 ~; R' v1 R( Z' A5 x4 n" s这电路和楼主的没啥区别，不过是WPM3401 VGS＝±12V，能改也改改吧~

Wj6345710

12V使能给进来，2N7002导通，3点电压为0V，AO3451的VGS是12V，所以Q1会烧掉，可以去换一个VGS电压为+/-20V的pmos

loveDNF四

看了一下规格书，VGS最大+-8。你这个确实超了，除此之外，MOS后接的电容，上电瞬间对MOS来说会出现短暂过流状态的。

综上请减小VGS可以电阻分压。大电解可以移到MOS的D级。

zx_01

感谢分享。

d6636

th2010-gc01 发表于 2020-05-25 18:19:17
[quote]topwon 发表于 2020-5-25 17:41
10K和100K分压的话，Vgs=-1.1V，偏小了点，这样导通电阻Ron会比较大，损耗和发热也就比较严重，我觉得10K ...

一直这样用！

" E& c( I2 a  c[/quote]

这个100K确实能避免GS击穿，限流了，但如果是PWM应用，会大大增加MOS管的开关损耗
' B/ j6 d, v( }: S

RuiChaoMa

在Q1的栅极与Q2漏极之间加一个10K电阻。就好了。

1149976385

th2010-gc01 发表于 2020-05-25 18:19:17
" `: |+ x, R9 l: p9 F2 {9 Z[quote]topwon 发表于 2020-5-25 17:41
1 G- B. s# W& h10K和100K分压的话，Vgs=-1.1V，偏小了点，这样导通电阻Ron会比较大，损耗和发热也就比较严重，我觉得10K ...

( ?* N) d6 \' `2 i4 V一直这样用！
, Z+ h1 w& B' c0 Y- t" d% q9 i4 k
[/quote]
6 X7 d' m' t8 Q# u
这是加了缓启动电路吧

zhaojinbao

加分压电阻是正解

kings9527110

th2010-gc01 发表于 2020-5-25 18:19
一直这样用！

试试把12V电源变成15V，看看电路有没有问题。

andy0831

不一定是这个原因，要看负债情况

bazhonglei

kings9527110 发表于 2020-6-24 11:07
% d9 P) G5 M3 X6 n9 o, F试试把12V电源变成15V，看看电路有没有问题。

G级电阻分一下压吧
/ Z9 O& F3 L" _3 l* o6 J1 @: i