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MOS管电路求解一下

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    开心
    2021-1-21 15:32
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    [LV.5]常住居民I

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    1#
    发表于 2020-5-21 16:31 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    / D( L6 O# U. G6 B2 ]+ }

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    发表于 2020-5-29 20:42 | 只看该作者
    kings9527110 发表于 2020-5-29 11:19# h+ L; P9 x7 k0 Q4 B6 N8 z
    “然而这个电压是经过近10K电阻接入栅极,保护动作电流只有零点几毫安,不会烧毁任何器件,绝缘栅更因为 ...
    , d6 K% B+ ^0 d* {5 A6 S# i" o2 D. Y
    你的确看图比我仔细,我没注意到楼主应用电路中源极悬空这个特点。这里更正一下,控制电压为+12V、V_USB输入为0V 的情况下,因源极悬空,AO3415内部的栅极保护二极管不会发生击穿保护动作,栅极G与漏极D之间会保持大约10.9V电压,源极S因为悬空,其电压会保持在栅极电压附近并略低于栅极电压。
    2 \1 h! z# g2 i
    3 S3 I- Y( L, x显然这种条件下电路和器件是安全的,不会有任何元件击穿。3 k3 L/ V7 P9 A8 T6 y
    + \( I' W& w, N
    AO3415数据手册规定的Vgs范围+/-8V是栅极保护二极管动作电压决定,楼主应用电路中不存在Vgs超过该范围的状况,也不存在超过AO3415任何其它极限参数的状况,所以这个电路并不存在所怀疑的隐患。
    1 p2 B! o1 o& E, V  V3 }
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    2020-4-9 15:05
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    [LV.2]偶尔看看I

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    发表于 2020-5-29 16:21 | 只看该作者
    kings9527110 发表于 2020-5-29 15:11
    & B* [5 J) t7 V- C/ P哈哈,还真有人科普啊。你也是版主,那你同意那位版主说的吗?这个保护管能否起到保护作用?

    / K2 l, T/ j$ Q% l& Q: r我只是打酱油的。随便说点个人看法。
    / v. O5 W$ g! Z* m0 W+ c按照楼主的电路,和你设置的特殊条件,只有+12V存在,+5.0V和V_USB都没有建立.1,不考虑5V与地之间的电路等效电阻,也就是5V电源完全悬空,那么S极应该也是悬空状态吧?此时G、S、D三脚电压基本相等,应该没有电压差,自然也没有超限的问题。* p+ l3 n# a' s7 _( i; g1 y

    : l" @* e3 @7 P2 g$ i7 b  R5 w 8 a7 I; x- |( S3 r/ Q4 D! _
    2,假设5V与地之间的电路有一定的等效电阻,比如100K欧,S极-Q2体二极管阴极-Q20体二极管阳极-D极-100K电阻-地,此回路电流极小,所以电压差极小,S极基本与地等电位,会存在Vgs=-10.9V超过-8V的问题。8 ]! g- Q3 @2 w
    " _* [  \! {2 b1 i3 F
    3,在G和S之间加一个齐纳稳压管(8.2V)来模拟前文所说的MOS管内置保护管,仿真结果看,Vgs是被钳位在一个比较低的电压-1.68V(实际电压应该与稳压管和限流电阻的参数有关,我这里是随便找了一个)。
      _( ~: l3 M' P( s, j 9 X( W* ?7 F" a
    所以,我的初步看法是,如果MOS管的确内置有G-S稳压保护管的话,G极前面又有限流电阻,应该是可以做到防止Vgs超限。
    + W4 ^. E9 t" {这方面我也不是专家,只是提出一个仿真验证方案,不一定符合实际情况,大家可以一起思考。) w% Y5 w. l& I" d$ T6 e

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    发表于 2020-5-24 11:17 | 只看该作者
    topwon 发表于 2020-5-22 13:32
    " ?- Q: E0 q. S: f当没有12V的时候,Q1体二极管先导通,此时S极电压5V,G极电压0V,Vgs=0-5V=-5V,Q1和Q2的mos管都开始导通, ...

    ) f5 q6 t1 w+ W, q版主您好,没有12V 的时候Q1体二极管先导通,这个是怎么解释呢?由于这两MOS 是共源极,我认为没有12V 的时候,Q1 ,Q2体二极管都导通了呀。

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    发表于 2020-5-23 03:05 | 只看该作者
    Pornlin 发表于 2020-5-22 11:04
    ) L; p' ~7 i  a$ [* j' |没记错的话这两个是PMOS,当为+12V时,Ugs=5.9V 应该会把两个管子都关断。

    0 g6 F* l. k. N" q你说的对。我没仔细看原理图,以为用的是NMOS管。谢谢指出。不过两种极性管子都可以用相同接法做成固态继电器,不同的是控制逻辑反过来。
    5 n  S2 _1 W  z% Q$ O: T6 a
    : N" P. e2 I; k; j0 M! k4 k# M& [楼主的电路,当+12V控制电压为0V时,电路导通,当+12V控制电压为+12V时,电路截止。
    , r4 k% k/ {6 o; G! Z

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    发表于 2020-5-22 22:11 | 只看该作者
    本帖最后由 s471513142 于 2020-5-22 22:17 编辑 3 w6 n6 s  f' `' a9 B
    " b2 E. ?' N  y
    仅从电路上分析:- W" f6 }- {+ a8 Q
    1. 12V没电,V_USB或 5V任意一个有电都会导致另一端有电,就是一个双通啊。: X; U' S1 y3 Q' R- M
    2, 12V有电,Q1,Q2通道关闭
    : x+ i  U7 V$ k  S3 `2 ^- l  R% E2 n: u8 h
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    2020-4-9 15:05
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    [LV.2]偶尔看看I

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    发表于 2020-5-22 13:51 | 只看该作者
    至于为何此处需要用两个Pmos管,而不是只用Q2一个来实现5V的控制呢?如果没有Q1,在12V存在的情况下,整机设计中我猜大概率会由12V生成+5.0V,这样+5.0V会由Q2的体二极管给V_USB(有可能是接了外部电池)反向供电,而加上了Q1,就能阻断电流,解决这个反向供电的问题了。
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    奋斗
    2020-4-9 15:05
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    [LV.2]偶尔看看I

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    发表于 2020-5-22 13:32 | 只看该作者
    当没有12V的时候,Q1体二极管先导通,此时S极电压5V,G极电压0V,Vgs=0-5V=-5V,Q1和Q2的mos管都开始导通,V_USB给+5.0V供电。
    # ~9 Y; a1 I8 l5 W当有12V的时候,Q1体二极管先导通,此时S极电压5V,G极电压=12*100/(100+10)=10.9V,Vgs=10.9-5=5.9V,Q1和Q2的mos管都关闭,V_USB不给+5.0V供电。

    点评

    版主您好,没有12V 的时候Q1体二极管先导通,这个是怎么解释呢?由于这两MOS 是共源极,我认为没有12V 的时候,Q1 ,Q2体二极管都导通了呀。  详情 回复 发表于 2020-5-24 11:17

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    发表于 2020-5-22 11:10 | 只看该作者
    学习学习,看看大神的解释

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    发表于 2020-5-22 01:28 | 只看该作者
    本帖最后由 canatto 于 2020-5-23 03:13 编辑
    3 d% B- F' @6 ~
    8 f* \6 I8 y: a. \- \  b这个是典型的固态继电器接法。两管共栅极、共源极,沟道同时导通、关断,导通时沟道电阻是两管Rds-on之和(一般几十毫欧),关断时两管的寄生二极管互相顶死,不会形成导电通路。+12V提供栅极控制电压,当它为零时,栅极相对源极为负电压,当它为+12V时,栅极相对源极大约有+5.9V电压,足以满足沟道完全导通条件。
    6 [+ i% T6 J0 c$ G1 o6 r更正:感谢Pornlin的指正。上面分析没注意到MOS管是P沟道的,所以控制逻辑应该正好反过来。
    ' [  H& \1 F% V8 G  x8 u1 J7 Y, i1 c
    “你说的对。我没仔细看原理图,以为用的是NMOS管。谢谢指出。& q1 V7 J  V7 ?2 F2 }/ O$ Y) q

    / W" W# E2 X  _两种极性管子都可以用相同接法做成固态继电器,不同的是控制逻辑反过来。 楼主的电路,当+12V控制电压为0V时,电路导通,当+12V控制电压为+12V时, 电路截止。”% N6 R6 @/ V; D5 [) X, ~, C

    点评

    没记错的话这两个是PMOS,当为+12V时,Ugs=5.9V 应该会把两个管子都关断。  详情 回复 发表于 2020-5-22 11:04
  • TA的每日心情
    开心
    2025-7-17 15:10
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    [LV.6]常住居民II

    2#
    发表于 2020-5-21 17:23 | 只看该作者
    有问题哦,GD -4.5V就导通,G级最高只能+8V。

    点评

    看AO3415规格书中的Vgs极限电压范围是-8V~+8V,图中电路参数应该没有超过这个极限(Vgs为-5V或+5.9V)。12V用两个电阻分压应该也是为了保证这个安全区的裕量足够。  详情 回复 发表于 2020-5-22 13:36
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    擦汗
    2022-3-7 15:11
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    [LV.8]以坛为家I

    3#
    发表于 2020-5-21 17:40 | 只看该作者
    楼主,这个电路的应用场景是怎样的?单个电路图不方便分析。
  • TA的每日心情
    开心
    2024-9-14 15:26
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    [LV.3]偶尔看看II

    5#
    发表于 2020-5-22 08:53 | 只看该作者
    Q1:隔离作用,相当于二极管;Q2:开关作用,VGS<VT<0时导通,图中VGS>0,Q2无法导通.
  • TA的每日心情
    奋斗
    2022-5-12 15:53
  • 签到天数: 259 天

    [LV.8]以坛为家I

    6#
    发表于 2020-5-22 08:57 | 只看该作者
    看看大神的解释

    该用户从未签到

    7#
    发表于 2020-5-22 09:45 | 只看该作者
    好厉害的电路
  • TA的每日心情
    开心
    2021-1-21 15:32
  • 签到天数: 40 天

    [LV.5]常住居民I

    8#
     楼主| 发表于 2020-5-22 10:34 | 只看该作者
    用于:5.0V后面接的是LDO,在外部有12V供电时用12V供电断开V_USB供电,在没有12V时用V_USB

    点评

    基础不牢,就怀疑在控制导通的情况下,由于寄生二极管存在,MOS的D漏极S源极是不是双向导通通过电流的。目前看来在耗尽层减少形成导电沟道后是可以双向流通电流的。具体压降和损耗这个不会分析。  详情 回复 发表于 2020-5-22 11:23
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    开心
    2021-1-21 15:32
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    [LV.5]常住居民I

    9#
     楼主| 发表于 2020-5-22 11:04 | 只看该作者
    canatto 发表于 2020-5-22 01:28
    , J4 y7 v2 Q! C% w; J这个是典型的固态继电器接法。两管共栅极、共源极,沟道同时导通、关断,导通时沟道电阻是两管Rds-on之和( ...

    0 {& p3 y6 j$ r. r3 m4 s) u没记错的话这两个是PMOS,当为+12V时,Ugs=5.9V 应该会把两个管子都关断。

    点评

    你说的对。我没仔细看原理图,以为用的是NMOS管。谢谢指出。不过两种极性管子都可以用相同接法做成固态继电器,不同的是控制逻辑反过来。 楼主的电路,当+12V控制电压为0V时,电路导通,当+12V控制电压为+12V时,  详情 回复 发表于 2020-5-23 03:05
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    11#
     楼主| 发表于 2020-5-22 11:23 | 只看该作者
    Pornlin 发表于 2020-5-22 10:348 }8 i% Y; t" ~! X
    用于:5.0V后面接的是LDO,在外部有12V供电时用12V供电断开V_USB供电,在没有12V时用V_USB

    ) H6 p* `5 E% K4 r" W) @基础不牢,就怀疑在控制导通的情况下,由于寄生二极管存在,MOS的D漏极S源极是不是双向导通通过电流的。目前看来在耗尽层减少形成导电沟道后是可以双向流通电流的。具体压降和损耗这个不会分析。
    " }$ t/ F- g8 b

    点评

    MOS管是否导通,应该只是受GS电压控制。DS之间的电流方向是没有关系的。事实上用PMOS管做的防反电路就是让电流从D流到S。可以把MOS管考虑为一个Rds阻值受Vgs电压非线性控制的电阻模型。  详情 回复 发表于 2020-5-22 13:43
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    2020-4-9 15:05
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    14#
    发表于 2020-5-22 13:36 | 只看该作者
    云海之波 发表于 2020-5-21 17:23
    " P) z' X8 C: X# ~  }, M有问题哦,GD -4.5V就导通,G级最高只能+8V。

    0 r6 k- A: E$ l9 J3 R, N+ f看AO3415规格书中的Vgs极限电压范围是-8V~+8V,图中电路参数应该没有超过这个极限(Vgs为-5V或+5.9V)。12V用两个电阻分压应该也是为了保证这个安全区的裕量足够。
    ; a" s7 {% T/ C1 B0 o* p0 }: F3 W; h8 I, g+ A5 }2 w, I4 }
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    2020-4-9 15:05
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    15#
    发表于 2020-5-22 13:43 | 只看该作者
    Pornlin 发表于 2020-5-22 11:23
    , Y! a6 v; f3 U基础不牢,就怀疑在控制导通的情况下,由于寄生二极管存在,MOS的D漏极S源极是不是双向导通通过电流的。 ...

    6 J8 p! `1 }! p2 YMOS管是否导通,应该只是受GS电压控制。DS之间的电流方向是没有关系的。事实上用PMOS管做的防反电路就是让电流从D流到S。可以把MOS管考虑为一个Rds阻值受Vgs电压非线性控制的电阻模型。
    : g+ S' o9 r- @/ J5 Q: L8 f9 o$ M, P) V( D; ]4 N1 J- L$ w
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