|
EDA365欢迎您登录!
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
7 y- E! S- }2 R+ k0 v2 J
摘要:设计了用于有机薄膜器件的镀膜自动控制系统;整个自动控制系统以单片机为核心,可分为3个功能模块:人机交互、强弱
- X: i( T$ q5 p. ~' A- \8 S电转换、样品处理。人机交互由单片机来实现;强弱电转换由固体继电器来完成;样品处理包括镀膜速率自动控制和样品保护两个部, m0 w, P. m+ ]8 {6 E
分。控制系统体现了弱电控制强电的设计思路,系统采用了单片机、继电器、电磁阀和可调变阻器等器件以及程控可调电阻电路。所9 z6 W* h: i. N- M
设计的控制系统能克服目前有机薄膜器件镀膜系统的一些弊端,实现镀膜和镀膜速率的自动控制,并且能够避免有机半导体材料在真
1 ^$ X8 s' q% l空腔内的相互污染。
3 ]; S9 t8 w" a/ x关键词:用于有机薄膜器件的真空镀膜自动控制系统;单片机;固体继电器;电磁阀
5 z+ w& J' m* X4 Q4 l$ G% i0引言
# r: I0 w. a& \( _& h有机场薄膜半导体器件是电子信息技术发展的-一个重要方( W3 h. Q; [ q6 ~( v
向,其制备工艺和所使用的材料都很廉价[1,近年来越来越受
5 l5 a% I, K0 s* V- c, d3 g Z3 P到人们的重视,他们中最有前景的是有机电致发光二极管
& z0 ]" D) B0 H/ l) o* M5 w+ A(OLED)[2、有机薄膜晶体管(OFET)[3] 和有机太阳能电池
' _7 }$ S" g4 P; [% r& \(OPV)41]。真空蒸镀成膜是目前较为普遍的一种有机薄膜半
+ ~, w" V% l9 C! `导体器件制备方法。目前实验室的有机真空镀膜系统自动化程8 a6 N2 Z3 }9 F- I
度很低,在一个样品蒸镀完成时候,不能够智能控制样品的交3 _% r' X. ~' ^' k" B% D
替镀膜,需要人工来机械切换;不能自动控制薄膜蒸镀速率,' i4 k. J/ J9 j" }3 B/ T2 _ l
因此较难精确控制膜厚;在一个真空腔内放置了几个蒸发源,
1 G2 I5 T, L9 M' e& @因此在蒸镀一个样品时其他样品也会因此受到污染,这样很难$ A) b5 m' K; C( ~5 K9 x* X
精确控制膜的纯净度。本文设计了相关方案来解央现有系统的
- r( K. c/ k m. Z+ X
4 Q6 V- [9 o5 h. o I$ s" n. e9 ~不足之处。整个控制系统中,单片机起到核心作用[s5-0],通过
, U- }2 Q3 B6 a4 E2 i单片机的外接键盘即可控制镀膜系统。为解决样品的污染问
7 |6 W: u: j/ b3 q题,本系统在蒸发源上加一个电磁阀开关以密封蒸发源,保护
, x7 h/ |% \& u样品。在膜厚达到预定厚度时,电磁阀自动关闭,电流同时停* }- y" a' C* n. P! S
止加热。为避免固体样品中残余气体在开始通电时加热过快而
, g2 e- |% P, `9 ~过度膨胀,导致样品飞溅,也避免电流停止时蒸发源依然余热3 ^4 H) i- Q+ I6 z: W) ~
过大而继续蒸发样品,在蒸镀时采用程控可变电阻电路控制加$ `. j: S- T2 {& P' }) D1 H1 n
热速率,可以对整个样品和薄膜起到保护和精确控制作用。# [) f% d% }9 h) H+ A
1系统设计与功能3 p4 ?$ z! A8 Y
1.1系统框架
5 C1 I4 |. {+ j6 T! K+ P4 n整个控制系统的框架如图1所示,它可以实现: (1)多个7 d* M* l2 K0 s/ `1 R
样品自动交替镀膜; (2) 实时根据膜的厚度,自动调整样品镀
# p, N; I# _6 H E# N# X2 E. V膜速率并在必要时候停止样品镀膜; (3)避免样品接触到其他
9 O5 l- v, ^2 H8 Z/ ?样品蒸气而受到污染。
$ Z0 x+ M; a4 E( F控制系统可分为3个功能模块:人机交互、强弱电转换和
]# e$ O, K: j5 B' d样品处理。通常使用石英振荡器来测量膜厚,即为图中的测厚./ ]7 c. C* }5 H% s5 K) r
模块.
$ A! n C$ g6 p9 b' U$ g& {; S' Q9 v! q
整个控制系统的工作流程:先通过单片机的外接键盘输入! ^8 c P s8 t* a
各样品所需镀膜的厚度,然后按镀膜开始键,与第一个蒸发源
1 h* d+ r) X" O% x# \8 C相对应的I/O端口置“1", 相连的固体继电器导通,相应的蒸8 O y( U6 H) E8 v8 i
发源通电,同时相应的电磁阀打开。蒸发源上的有机半导体样/ A. J5 `# Z& T
品在被加热到一定程度时升华,样品气体通过电磁阀口输出,9 f: S4 `/ E" Y" F
在基片上成膜。在镀膜过程中,系统实时测量膜厚,通常膜厚
( b' a7 f7 I9 ?& i为模拟电信号,经过A/D转换将所测膜厚模拟信号转化为数: P, K+ p$ R+ q$ J: l
字信号,再输人单片机,单片机判断膜厚是否达到规定厚度。2 C( {7 m# m! R2 O' |
在镀膜过程中,由单片机控制镀膜速率,- -开始镀膜速率较
5 Z' @3 g( m, g慢,经过一段时间,变快,到该样品镀膜快结束时,又放慢至5 _# o l# H8 D9 n0 Z$ Q: @8 t
结束。一个样品镀膜结束,另一个样品镀膜自动开始,到最后
' e$ M* g. ^: i v- U: J所有样品镀膜结束,提示灯亮。
3 f7 V% L9 ?0 f$ T; S! y1.2 人机交互
2 i6 T8 m; f! n; E! l" r0 p单片机是人机交互模块中的核心器件,也是实现程序控制
% t& R7 D7 @) v$ e8 d的核心,操作人员通过按单片机外围键盘即能控制整个镀膜系
4 X, M8 J& z, I% q1 a- G统的运作。当键盘电路有按键按下,单片机即外部中断0,于
. h/ d' h$ R" W' P7 i! g是执行外部中断0的中断服务程序。中断服务程序是键盘的扫
8 D# x7 ~' A1 U9 t/ Y; c0 z; a |描程序,因键盘有机械触点,易发生抖动,因此在扫描程序之
5 B, U3 h: {! ~( }" x3 z3 y8 X, _9 `: F前,应该去抖。去抖动需加一廷时程序,两次读取端口数据,
! R8 F3 }, e" l! l4 e' S如果两次相同,则说明有键盘按下。2 H3 Q; D. `) z2 @+ C% ~3 u/ I
键盘扫描: 3X4 键盘(对有机真空镀膜系统足够),先置.0 B/ [2 ?& ?9 k# H, J1 U
第0列为“0”, 如果其中有一行输出为“0”, 则是0列的该行
% g6 C& O0 ?+ I2 T Q8 o! K有键按下,若没有则置第1列为“0”, 按键就是位于其中输出! O, U6 g9 Z( K. J9 Q/ n
为“0"的行。0 H9 r3 h+ g5 u. e" B$ F- w9 |
当CPU判断具体的按键按下了,如表1所示,单片机去.* o$ R0 w8 s% c8 A4 I
执行相应的中断服务程序。一开始人工输人膜厚,每输人一个.
" b5 M& ^+ i; ~6 ?4 W2 u1 Y& X膜厚,程序一个变量(代表膜层数)就加1.1 Y1 |5 \' Z% p6 X7 ?/ `
镀膜开始键按下,启动ADC0804 (即A/D转换),第一0 d- f4 G" u6 a- l( b
个蒸发源相应的单片机I/O端口置“1", 导通对应的固体继电1 Q. J& E& F; U2 \- d# H" q
器(SSR),样品受热,升华,在基片上成膜。测厚模块实时) e ~, p) }9 v; O7 B6 s0 ~0 `
输出基片当前的厚度,经ADC0804输人单片机,以判断当前0 G8 j, q4 M2 J7 m% Y& F) }
) K. G9 k' |4 s7 Y
" P4 x1 b9 u8 } b6 ?( ]0 t# Y
# F. U" d" P, ]) y) M
# A( |0 k) O: W! o
附件下载:
: W( [ c0 |. s5 L1 t! [* ?2 q7 L9 D
|
|