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XM8A51216采用异步SRAM接口并结合独有的XRAM免刷新专利技术，在大容量、高性能和高可靠及品质方面完全可以匹敌同类SRAM，具有较低功耗和低成本优势，可以与市面上同类型SRAM产品硬件完全兼容，并且满足各种应用系统对高性能和低成本的要求，XM8A51216也可以当做异步SRAM使用，称为新型国产SRAM芯片也不为过,
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XM8A51216是基于TLC DRAM（三态 DRAM）和RFDRAM（免刷新DRAM）专利技术而成的新型存储器。与传统的DRAM和SRAM不同, a" f! Q U$ w
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XM8A51216具有以下几个技术特点：7 D+ W' g! s5 w) Y- ]/ J, S/ x
1、数据读取速率快于DRAM产品10倍，延时10ns左右；
% W5 |- o& p8 o* P4 D/ A0 O% T2、容量覆盖Megabit到Gigabit；
( t. c/ d9 o+ K- A3、可以节省40%左右的存储阵列功耗；& I* b8 U+ |5 X* d! G" c, b
4、从用户端不需要考虑刷新机制，可以随时访问。
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规格书下载
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XM8A51216.pdf
(719.73 KB, 下载次数: 1)
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6 O( I" v7 ^0 i. rXM8A51216封装图) D* w8 Z& L2 p% }* E8 ?- w+ m- m
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型号表：8 T$ o$ \- V. M3 A) I
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Density | PartNumber | BW bit | Vdd | Speed | Package | 64Mb | XM8A04M16V33A | X16 | 3.3V | 10/12ns | TSOP1(48)/TSOP2(54)/BGA(48) | 64Mb | XM8A08M08V33A | X8 | 3.3V | 10/12ns | TSOP1(48)/TSOP2(54)/BGA(48) | 32Mb | XM8A02M16V33A | X16 | 3.3V | 10/12ns | TSOP1(48)/BGA(48) | 32Mb | XM8A04M08V33A | X8 | 3.3V | 10/12ns | TSOP1(48)/BGA(48) | 16Mb | XM8A01M16V33A | X16 | 3.3V | 10/12ns | TSOP1(48)/BGA(48) | 16Mb | XM8A02M08V33A | X8 | 3.3V | 10/12ns | TSOP1(48)/TSOP2(44)/BGA(48) | 8Mb | XM8A51216V33A | X16 | 3.3V | 10/12ns | TSOP2(44)/TSOP1(48) | 8Mb | XM8A01M08V33A | X8 | 3.3V | 10/12ns | TSOP2(44)/TSOP1(48) | 4Mb | XM8A25616V33A | X16 | 3.3V | 10/12ns | TSOP2(44)/BGA(48) | 4Mb | XM8A51208V33A | X8 | 3.3V | 10/12ns | TSOP2(44)/BGA(48) |
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发表于 2020-4-30 15:58
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