国产SRAM芯片XM8A51216随机X型存储器

英尚微电子

     

% r; r! \% m- d% pXM8A51216采用异步SRAM接口并结合独有的XRAM免刷新专利技术，在大容量、高性能和高可靠及品质方面完全可以匹敌同类SRAM，具有较低功耗和低成本优势，可以与市面上同类型SRAM产品硬件完全兼容，并且满足各种应用系统对高性能和低成本的要求，XM8A51216也可以当做异步SRAM使用，称为新型国产SRAM芯片也不为过,

4 \" Q6 h3 `$ }) e* ~1 lXM8A51216是基于TLC DRAM（三态 DRAM）和RFDRAM（免刷新DRAM）专利技术而成的新型存储器。与传统的DRAM和SRAM不同,
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# {% k: S' a; |. c" TXM8A51216具有以下几个技术特点：
: k& w2 x6 f! S. N; p! H: ^4 j* `) k) D1、数据读取速率快于DRAM产品10倍，延时10ns左右；
2、容量覆盖Megabit到Gigabit；
" M0 g9 @0 k# D3、可以节省40%左右的存储阵列功耗；
4、从用户端不需要考虑刷新机制，可以随时访问。
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2020-4-30 15:57 上传

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XM8A51216封装图

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- G+ B9 W9 I) _; }$ X2 w型号表：

Density	PartNumber	BW bit	Vdd	Speed	Package
64Mb	XM8A04M16V33A	X16	3.3V	10/12ns	TSOP1(48)/TSOP2(54)/BGA(48)
64Mb	XM8A08M08V33A	X8	3.3V	10/12ns	TSOP1(48)/TSOP2(54)/BGA(48)
32Mb	XM8A02M16V33A	X16	3.3V	10/12ns	TSOP1(48)/BGA(48)
32Mb	XM8A04M08V33A	X8	3.3V	10/12ns	TSOP1(48)/BGA(48)
16Mb	XM8A01M16V33A	X16	3.3V	10/12ns	TSOP1(48)/BGA(48)
16Mb	XM8A02M08V33A	X8	3.3V	10/12ns	TSOP1(48)/TSOP2(44)/BGA(48)
8Mb	XM8A51216V33A	X16	3.3V	10/12ns	TSOP2(44)/TSOP1(48)
8Mb	XM8A01M08V33A	X8	3.3V	10/12ns	TSOP2(44)/TSOP1(48)
4Mb	XM8A25616V33A	X16	3.3V	10/12ns	TSOP2(44)/BGA(48)
4Mb	XM8A51208V33A	X8	3.3V	10/12ns	TSOP2(44)/BGA(48)

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XM8A51216也可以当做异步SRAM使用，称为新型国产SRAM芯片也不为过,

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