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摘 要：通过研究应力前后GaAs PHEMT器件电特性的测量,分析了GaAs PHEMT退化的原因,从实验中得出高场下碰撞电离的电离率与器件沟道电场峰值的关系曲线.对高场下碰撞电离率的实验曲线进行拟合,可以得到碰撞电离率与器件沟道电场峰值的量化关系,由此可以对GaAs PHEMT器件的电性能和可靠性进行改善和评估.进一步改进GaAs PHEMT的击穿电压,将需要严格控制沟道中的碰撞电离.
3 g. L# l8 @. C9 G g6 n3 g1 _关键词：高电子迁移率晶体管, 碰撞电离率, 可靠性评估) d2 D& b9 B- c% O' e1 g
分类号：TN3 文献标识码：A
7 {# M) W h2 M9 D文章编号：1000-3290/2003/52(10)/2576-04 |
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基金项目：国家自然科学基金(批准号: 60206006)和国防预研基金(批准号: 00J8.4.3DZ01)资助的课题.
9 u# f* g8 y" n作者单位：刘红侠（西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071）
: Z; Y; n: U4 H6 L, T1 d 郑雪峰（西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071） j, D; n2 J" V" ~ |& B. F
韩晓亮（西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071） , J# E2 q9 g8 r* R ^: _+ b q
郝跃（西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071） 3 U2 I9 F5 M7 @; R0 I( `; Z
张绵（信息产业部十三所,石家庄,050002） |
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发表于 2020-4-29 10:06
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