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国产IC SGM2564防倒灌和浪涌抑制/ J' f& }+ U9 \5 o- B9 P9 J# ~
工程师在设计小系统时通常会选择小巧、简单、实用的负载开关来控制时序和降低功耗，但却时常为无法切断倒灌而烦恼。当开关两侧都可能供电，断开开关需要防止电流透过体二极管倒灌。基本的MOSFET开关是单向开关，不能阻断两个方向的电流。
( S. w# _6 b1 ^7 C 如果您正在被倒灌问题困扰，请看看SGM2564是如何解决这一问题的。
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设计理念 SGM2564系列产品的开关衬底控制独立于其它电路。 在双侧电源条件下：接通开关时，仅藉由ON引脚来控制接通和断开可能在任何一侧的电源、不管哪一侧电压较高；断开开关时，开关两侧的电压在SGM2564衬底控制电路内竞争、互锁，衬底被自动连接到低电压一侧、阻断电流通过。SGM2564的这一功能适合应用于脉冲供电、电容保持和系统局部被外来供电启动（如利用HDMI连接互操作）等场景。 SGM2564系列产品有浪涌电流抑制功能。 接通负载瞬间，如果不加专门控制，对负载侧电容的快速充电会导致电流浪涌、相当于电容被瞬间短路。电流的浪涌可引起源侧电压跌落，严重时还会导致宿主功能紊乱。SGM2564系列产品有两种浪涌抑制方式可选：一是电压软启动，即以受控的速度慢慢提升输出电压直到彻底接通；二是渐增恒流启动，限制启动过程输出到负载的电流。第一种方式有利于避免启动过程中出现电压回沟，如果负载在这过程中突然变大，输出电流仅受短路保护电流水平限制，它适合大储能电容负载和随电源接入启动的应用电路；第二种方式对电源冲击最小，由其恒流电流决定，但因在输出电压上升过程中负载启动可能引起回沟，它适合源侧供应能力有限的应用电路。 SGM2564系列产品的设计兼顾绿色环保。 工作电压范围低至1V，实现超低静态功耗，适合宽电压范围的物联网终端产品和便携设备设计。 ![]()
. W, J! A, J0 t/ X产品特性 " a4 t. [' \+ c. O
典型应用电路 ![]()
产品优势 Inrush控制，高可靠性 防倒灌 超低的静态功耗及超小尺寸 SGMICRO强大的供货能力保障供应链稳定 就近的服务支持 : T; t) ?) L, o2 x) y, }1 v" a
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发表于 2020-4-23 11:30
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