国产IC SGM2564防倒灌和浪涌抑制

21906ABC

国产IC SGM2564防倒灌和浪涌抑制
/ F, U6 R$ p( z: c6 s

工程师在设计小系统时通常会选择小巧、简单、实用的负载开关来控制时序和降低功耗，但却时常为无法切断倒灌而烦恼。当开关两侧都可能供电，断开开关需要防止电流透过体二极管倒灌。基本的MOSFET开关是单向开关，不能阻断两个方向的电流。
8 G1 j7 T4 f. a  Z- N( p

如果您正在被倒灌问题困扰，请看看SGM2564是如何解决这一问题的。

设计理念

SGM2564系列产品的开关衬底控制独立于其它电路。

在双侧电源条件下：接通开关时，仅藉由ON引脚来控制接通和断开可能在任何一侧的电源、不管哪一侧电压较高；断开开关时，开关两侧的电压在SGM2564衬底控制电路内竞争、互锁，衬底被自动连接到低电压一侧、阻断电流通过。SGM2564的这一功能适合应用于脉冲供电、电容保持和系统局部被外来供电启动（如利用HDMI连接互操作）等场景。

SGM2564系列产品有浪涌电流抑制功能。

接通负载瞬间，如果不加专门控制，对负载侧电容的快速充电会导致电流浪涌、相当于电容被瞬间短路。电流的浪涌可引起源侧电压跌落，严重时还会导致宿主功能紊乱。SGM2564系列产品有两种浪涌抑制方式可选：一是电压软启动，即以受控的速度慢慢提升输出电压直到彻底接通；二是渐增恒流启动，限制启动过程输出到负载的电流。第一种方式有利于避免启动过程中出现电压回沟，如果负载在这过程中突然变大，输出电流仅受短路保护电流水平限制，它适合大储能电容负载和随电源接入启动的应用电路；第二种方式对电源冲击最小，由其恒流电流决定，但因在输出电压上升过程中负载启动可能引起回沟，它适合源侧供应能力有限的应用电路。

SGM2564系列产品的设计兼顾绿色环保。

工作电压范围低至1V，实现超低静态功耗，适合宽电压范围的物联网终端产品和便携设备设计。

3 d4 m0 C2 n9 q9 Q: M% @% u# @  o

产品特性

• 超小封装尺寸WLCSP-1.45×0.95-6B

• 工作电压：1V至5.5V

• 超低导通电阻，VIN = 3.3V时，RON = 16mΩ（TYP），支持4A（MAX）电流能力

• 较低的待机电流：180nA（TYP）

• 支持低电压系统，满足各种小电池系统的供电要求

• 工作温度范围为扩展工业温度-40℃到+85℃

  
  

典型应用电路

产品优势

• Inrush控制，高可靠性

• 防倒灌

• 超低的静态功耗及超小尺寸

• SGMICRO强大的供货能力保障供应链稳定

• 就近的服务支持

  
  ( N- L! M' `  I; {% v

0 L' M  e  _+ z% E( e2 r6 ~/ w
/ V% n1 @' t) x, v8 O. \

wiwiwisju

SGM2564的这一功能适合应用于脉冲供电、电容保持和系统局部被外来供电启动（如利用HDMI连接互操作）等场景。