TA的每日心情 | 怒 2019-11-20 15:22 |
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MTD,Memory Technology Device即内存技术设备,在Linux内核中,引入MTD层为NOR FLASH和NAND FLASH设备提供统一接口。MTD将文件系统与底层FLASH存储器进行了隔离。( p; a! |" B! W% W" r
0 K) i) t) @9 G5 ]- i) O( V
4 r3 U+ ~- j# C, }7 F. ^$ E" y+ W
7 a U! n3 \; N
如上图所示,MTD设备通常可分为四层,从上到下依次是:设备节点、MTD设备层、MTD原始设备层、硬件驱动层。
1 N b1 T' W& Z3 |
1 Q" |; ~& G$ k, h) a# hFlash硬件驱动层:Flash硬件驱动层负责对Flash硬件的读、写和擦除操作。MTD设备的Nand Flash芯片的驱动则drivers/mtd/nand/子目录下,Nor Flash芯片驱动位于drivers/mtd/chips/子目录下。: ]- l- J+ e$ {( @" h5 ? u
' e! z9 A1 T m! \
MTD原始设备层:用于描述MTD原始设备的数据结构是mtd_info,它定义了大量的关于MTD的数据和操作函数。其中mtdcore.c: MTD原始设备接口相关实现,mtdpart.c : MTD分区接口相关实现。% p- |2 n) w7 {1 k5 y, o
5 k* K& n. E P: Q
MTD设备层:基于MTD原始设备,linux系统可以定义出MTD的块设备(主设备号31)和字符设备(设备号90)。其中mtdchar.c : MTD字符设备接口相关实现,mtdblock.c : MTD块设备接口相关实现。, t1 K* w2 {! o E
) M& h8 S- ?# r4 m
设备节点:通过mknod在/dev子目录下建立MTD块设备节点(主设备号为31)和MTD字符设备节点(主设备号为90)。通过访问此设备节点即可访问MTD字符设备和块设备 # p2 B. h7 r* t6 D6 V! d6 z
' v' k1 \% y% }* k/ I9 k3 Z/ H
MTD数据结构:* n2 K p5 t Y d$ ?' O" E8 K3 @
, x) A- Z( i) E7 ^9 e6 ^1.Linux内核使用mtd_info结构体表示MTD原始设备,这其中定义了大量关于MTD的数据和操作函数(后面将会看到),所有的mtd_info结构体存放在mtd_table结构体数据里。在/drivers/mtd/mtdcore.c里:
/ ^) Q8 B) G8 h. \' @* J% Z$ {- y! T
9 v' C) W* ]$ D) E" I. d
struct mtd_info *mtd_table[MAX_MTD_DEVICES];
, V8 A2 o" c4 b2.Linux内核使用mtd_part结构体表示分区,其中mtd_info结构体成员用于描述该分区,大部分成员由其主分区mtd_part->master决定,各种函数也指向主分区的相应函数。6 h& L/ ~2 ]3 C6 D6 s0 J. p
6 R7 E1 Q$ a: [: jstruct mtd_part {! c; M8 X' [, n; r7 L
struct mtd_info mtd; /* 分区信息, 大部分由master决定 */
$ B) O$ _% a- O* N# e% { struct mtd_info *master; /* 分区的主分区 */2 g1 d7 v7 L9 l7 {; w, c
uint64_t offset; /* 分区的偏移地址 */
J6 | J; {( u' d7 P int index; /* 分区号 (Linux3.0后不存在该字段) */+ V) m/ Y8 O" D
struct list_head list; /* 将mtd_part链成一个链表mtd_partitons */# j j: J' {; u
int registered;
+ N: t& a, ^5 Y) X6 [ K0 Y; C9 t};
/ h3 d% v! ^' I/ T: O$ V5 gmtd_info结构体主要成员,为了便于观察,将重要的数据放在前面,不大重要的编写在后面。
) F: s q; E) {/ s' e" E+ |8 i
# A5 k; O" p$ |) q0 w3 cstruct mtd_info {! e* D1 | S% Q3 ^6 ]
u_char type; /* MTD类型,包括MTD_NORFLASH,MTD_NANDFLASH等(可参考mtd-abi.h) */( u% `! g# c! R3 T4 P
uint32_t flags; /* MTD属性标志,MTD_WRITEABLE,MTD_NO_ERASE等(可参考mtd-abi.h) */
: ^' O. h; v! H' q3 A* {& S uint64_t size; /* mtd设备的大小 */: s+ c+ ~, N9 U# s, M' ]6 p
uint32_t erasesize; /* MTD设备的擦除单元大小,对于NandFlash来说就是Block的大小 */
; i& R* t) X, p" f uint32_t writesize; /* 写大小, 对于norFlash是字节,对nandFlash为一页 */
) P- q! ]: K, }: K uint32_t oobsize; /* OOB字节数 */
, ?+ b9 _! I+ Y uint32_t oobavail; /* 可用的OOB字节数 */
+ M+ R2 I1 o w/ g3 q unsigned int erasesize_shift; /* 默认为0,不重要 */
- N' a: w v7 x; X6 b9 m" c unsigned int writesize_shift; /* 默认为0,不重要 */
S6 H/ A/ ^- v$ R) N unsigned int erasesize_mask; /* 默认为1,不重要 */
/ z; A e B0 N$ d0 S unsigned int writesize_mask; /* 默认为1,不重要 */
1 X* D+ N- [& z3 B: I const char *name; /* 名字, 不重要*/
: A4 D+ ~1 m ^7 V; ~8 y int index; /* 索引号,不重要 */" u; I$ O8 H+ y; u5 G
int numeraseregions; /* 通常为1 */
. O H% E1 ]% L struct mtd_erase_region_info *eraseregions; /* 可变擦除区域 */
1 x) V7 V$ |# `$ C# e" K7 e
1 C* ~3 M9 N9 P; G" w* ^6 s0 }3 S void *priv; /* 设备私有数据指针,对于NandFlash来说指nand_chip结构体 */7 i6 t8 {2 q! G9 p
struct module *owner; /* 一般设置为THIS_MODULE */
$ c% `7 r2 c1 U4 A ; F; |0 n2 h/ p( Z) ?& z7 c
/* 擦除函数 */
4 d" J. P8 S9 W$ B0 h0 b- Y int (*erase) (struct mtd_info *mtd, struct erase_info *instr);' @' d9 U8 _5 ~
$ A! V/ d. j* z! {* i) @ /* 读写flash函数 */
# C/ J% K4 s4 l0 V1 r+ { int (*read) (struct mtd_info *mtd, loff_t from, size_t len, size_t *retlen, u_char *buf);) K/ T0 O; e. N1 R/ o/ L
int (*write) (struct mtd_info *mtd, loff_t to, size_t len, size_t *retlen, const u_char *buf);- K( S+ ~6 ?$ M& Q# G
6 Q; z1 v9 X3 C+ E! A; @7 d$ U
/* 带oob读写Flash函数 */5 x2 K8 u6 L/ ~5 u
int (*read_oob) (struct mtd_info *mtd, loff_t from,
' e$ U9 [ ]1 j6 b7 Z* V/ o, w' }: p struct mtd_oob_ops *ops);
) @2 _6 t1 D: u5 n7 _" G int (*write_oob) (struct mtd_info *mtd, loff_t to,
8 p- v5 C! {* I) p0 Y3 p struct mtd_oob_ops *ops);
1 x$ E$ v \- N% c
& |2 v+ v3 m0 V A4 k int (*get_fact_prot_info) (struct mtd_info *mtd, struct otp_info *buf, size_t len); ]+ D! T0 C0 G7 M
int (*read_fact_prot_reg) (struct mtd_info *mtd, loff_t from, size_t len, size_t *retlen, u_char *buf);
+ N) l7 d8 H# g2 i% d5 V int (*get_user_prot_info) (struct mtd_info *mtd, struct otp_info *buf, size_t len);' u. l6 m' `, _- h" u
int (*read_user_prot_reg) (struct mtd_info *mtd, loff_t from, size_t len, size_t *retlen, u_char *buf);9 e% R7 c) U6 h6 ^+ N" G
int (*write_user_prot_reg) (struct mtd_info *mtd, loff_t from, size_t len, size_t *retlen, u_char *buf);
/ ]/ D% a: |* }+ O- a int (*lock_user_prot_reg) (struct mtd_info *mtd, loff_t from, size_t len);( Z" M2 j% F" S- J7 ]5 M. y9 [9 X* e0 }
. K% n0 L( B; U5 o, ]/ O int (*writev) (struct mtd_info *mtd, const struct kvec *vecs, unsigned long count, loff_t to, size_t *retlen);
; s. e2 n+ |" A5 J int (*panic_write) (struct mtd_info *mtd, loff_t to, size_t len, size_t *retlen, const u_char *buf);
7 w( ]- j- y5 D8 \/ e /* Sync */
2 [5 G3 F" c3 V1 z! l. e. X void (*sync) (struct mtd_info *mtd);
* D5 J# U6 L0 Q6 Y* w/ ~8 R4 o. M
3 M5 {+ U( p8 J, w: N1 G /* Chip-supported device locking */2 ?1 A% `/ I, E, o6 m( x
int (*lock) (struct mtd_info *mtd, loff_t ofs, uint64_t len);
5 u J6 I" x) P0 H0 F2 v B5 E; X int (*unlock) (struct mtd_info *mtd, loff_t ofs, uint64_t len);
. f# ?: r$ U6 y7 U0 k; r
7 g2 F6 o$ ~5 l5 { /* 电源管理函数 */: o1 e r2 P: b$ W
int (*suspend) (struct mtd_info *mtd);3 s* {; s+ k$ O8 p, o. A5 j |) @
void (*resume) (struct mtd_info *mtd);2 \% H* ?: Q% G5 n& |
7 A+ ? \& t* |3 K/ t+ x; O
/* 坏块管理函数 */5 P: T. s+ Q: s7 l1 L* B% E
int (*block_isbad) (struct mtd_info *mtd, loff_t ofs);% q) `8 `& p! U) y! Y
int (*block_markbad) (struct mtd_info *mtd, loff_t ofs);: A0 H+ r$ a7 ^, F
1 ~2 K& S4 z3 ~6 L+ | void (*unpoint) (struct mtd_info *mtd, loff_t from, size_t len);9 U; ?3 I% O3 a* \ x
unsigned long (*get_unmapped_area) (struct mtd_info *mtd,
5 Z5 A2 y q2 g' {' y/ Z unsigned long len,% n; `: s2 r3 \+ A
unsigned long offset,
8 B5 a- ~, t' w' ]% x* c unsigned long flags);
0 d# A" E8 h% }6 f& M- i struct backing_dev_info *backing_dev_info;+ B' `# h. ?4 x; y3 }# ^4 I# t( o
struct notifier_block reboot_notifier; /* default mode before reboot */
! L: {$ Z! C2 q8 l, d
$ G' A. ?% R D" c/ v3 {& K /* ECC status information */
& l. r' Z! E, X6 v' M struct mtd_ecc_stats ecc_stats;
) ]2 N, z7 @" C4 U int subpage_sft;; ~: Y1 a8 M+ U% R; x7 @
struct device dev;
0 O! R% a6 Q: r. a% W9 c int usecount;
2 Q4 B3 o2 R& F1 S* h+ g int (*get_device) (struct mtd_info *mtd);6 ~' g; g( F/ G3 `$ q9 L" j
void (*put_device) (struct mtd_info *mtd);
6 m! k+ m+ y% U& I};
7 J6 k* X/ |8 r! i# M3 k- smtd_info结构体中的read()、write()、read_oob()、write_oob()、erase()是MTD设备驱动要实现的主要函数,幸运的是Linux大牛已经帮我们实现了一套适合大部分FLASH设备的mtd_info成员函数。
9 F: _) v( g6 _% u- S2 F如果MTD设备只有一个分区,那么使用下面两个函数注册和注销MTD设备。
: l* W, \$ W! N! o$ ]( E& h$ R% u+ E v" I
% j; i6 }# a3 u3 v' i, N
int add_mtd_device(struct mtd_info *mtd)
% y8 K# W7 F- [. n0 y9 {1 Lint del_mtd_device (struct mtd_info *mtd)6 J/ V. B! Y: b S$ ~6 Y
如果MTD设备存在其他分区,那么使用下面两个函数注册和注销MTD设备。- O5 \9 j3 P$ K3 j( y$ q/ R
int add_mtd_partitions(struct mtd_info *master,const struct mtd_partition *parts,int nbparts)
- ]) h" l9 o! q3 ~5 M5 dint del_mtd_partitions(struct mtd_info *master)
) G' J2 r' h `6 J其中mtd_partition结构体表示分区的信息* R: D4 h; y; O9 M2 G' h! o. q
struct mtd_partition {
: p1 Z1 [9 }$ k4 K char *name; /* 分区名,如TQ2440_Board_uboot、TQ2440_Board_kernel、TQ2440_Board_yaffs2 */
! \* B T7 \ h7 {4 ~9 J1 }. k( s uint64_t size; /* 分区大小 */" V- C( \; y5 t& n& W1 U
uint64_t offset; /* 分区偏移值 */
1 d4 n \! @& c7 e4 x5 M uint32_t mask_flags; /* 掩码标识,不重要 */
z! W8 b9 o6 W" K, { struct nand_ecclayout *ecclayout; /* OOB布局 */ a2 D4 q( Z2 z% c
struct mtd_info **mtdp; /* pointer to store the MTD object */
\- \' |" O7 b8 M: T};
/ M% A8 e2 q8 A2 m' Z( z其中nand_ecclayout结构体:& f6 l: }+ O; R! Z& F2 D5 M
struct nand_ecclayout {
8 \6 Q( l6 D* P6 F. H7 {3 m __u32 eccbytes; /* ECC字节数 */" U: k& U( [0 C7 D( l
__u32 eccpos[64]; /* ECC校验码在OOB区域存放位置 */
" m6 d' b. ~: x# Z. i __u32 oobavail;
' b- I3 J5 W( w2 D /* 除了ECC校验码之外可用的OOB字节数 */; Y" Y+ ]1 K. Q& y. s' C6 t
struct nand_oobfree oobfree[MTD_MAX_OOBFREE_ENTRIES];
% {/ j+ `' `, s( K& y' h8 z, n};( X# E7 h# K. _
关于nand_ecclayout结构体实例,更多可参考drivers/mtd/nand/nand_base.c下的nand_oob_8、nand_oob_16、nand_oob_64实例。4 M7 M9 _ D. G9 K
MTD设备层:
3 P3 U: _2 k* x5 n" Y7 \mtd字符设备接口:
+ Q) z2 _( T# X! k( D
% G8 i% {. O4 Q- X7 r# G7 M& Z/drivers/mtd/mtdchar.c文件实现了MTD字符设备接口,通过它,可以直接访问Flash设备,与前面的字符驱动一样,通过file_operations结构体里面的open()、read()、write()、ioctl()可以读写Flash,通过一系列IOCTL 命令可以获取Flash 设备信息、擦除Flash、读写NAND 的OOB、获取OOB layout 及检查NAND 坏块等(MEMGETINFO、MEMERASE、MEMREADOOB、MEMWRITEOOB、MEMGETBADBLOCK IOCRL) # g' I9 G$ k1 J( D
( x9 w) | m+ S, }3 y6 i
mtd块设备接口:1 S% F* w/ l8 v/ ~
, ~6 ^3 M7 x, p8 |( d$ ]/drivers/mtd/mtdblock.c文件实现了MTD块设备接口,主要原理是将Flash的erase block 中的数据在内存中建立映射,然后对其进行修改,最后擦除Flash 上的block,将内存中的映射块写入Flash 块。整个过程被称为read/modify/erase/rewrite 周期。 但是,这样做是不安全的,当下列操作序列发生时,read/modify/erase/poweroff,就会丢失这个block 块的数据。
0 c9 A5 [: J% \1 m2 ]MTD硬件驱动层:
' U2 X3 F& [" ~8 c
1 L% f% L. F$ Z: a, x& K+ TLinux内核再MTD层下实现了通用的NAND驱动(/driver/mtd/nand/nand_base.c),因此芯片级的NAND驱动不再需要实现mtd_info结构体中的read()、write()、read_oob()、write_oob()等成员函数。9 i. K: V$ o1 z5 w0 A4 f, E
2 c) a$ h: F0 c& P( u+ J
MTD使用nand_chip来表示一个NAND FLASH芯片, 该结构体包含了关于Nand Flash的地址信息,读写方法,ECC模式,硬件控制等一系列底层机制。
/ c6 r9 B( }* l0 f
" ] B7 d: V- P E0 R4 H
0 H8 ]" Y" D) S+ H: z: }struct nand_chip {
) i# J; l5 M) x( } void __iomem *IO_ADDR_R; /* 读8位I/O线地址 */% L5 o$ E$ s6 d' J% P
void __iomem *IO_ADDR_W; /* 写8位I/O线地址 */' ?$ q e% Z5 J3 T# C5 ~, C
& j/ p8 O- E( s& M o! o /* 从芯片中读一个字节 */) F4 i Y3 \) p- B! [" Y- v5 m6 K/ Q
uint8_t (*read_byte)(struct mtd_info *mtd); . n( j! s; w4 z2 F. L
/* 从芯片中读一个字 */. X( ?7 r; s; s# B5 B t
u16 (*read_word)(struct mtd_info *mtd); 9 F9 f- s7 }6 P: Q) D( Y
/* 将缓冲区内容写入芯片 */. i1 _' _; k( Y T! [! y7 J* v* t
void (*write_buf)(struct mtd_info *mtd, const uint8_t *buf, int len); : z& t0 G" A, }0 A0 l$ e
/* 读芯片读取内容至缓冲区/ */
! [6 t' E) U" n, A& I" {/ _0 L( R void (*read_buf)(struct mtd_info *mtd, uint8_t *buf, int len);) }( d) z6 w9 Z7 W+ D
/* 验证芯片和写入缓冲区中的数据 */
9 T& ?/ @, ^# ~# s% H) ^7 x1 z$ Q int (*verify_buf)(struct mtd_info *mtd, const uint8_t *buf, int len);
' y4 c/ ~" {1 T! d- [: a /* 选中芯片 */
# ^2 v3 ~- o. b7 ` f: p7 W& O void (*select_chip)(struct mtd_info *mtd, int chip);
1 @ F+ m: n0 l( I6 ^ /* 检测是否有坏块 */
, {8 [/ I% g, ^. b( `2 q8 C int (*block_bad)(struct mtd_info *mtd, loff_t ofs, int getchip);
2 S: V7 X- X$ _5 x; f# j /* 标记坏块 */1 t6 B5 z9 l9 h$ B+ E; B
int (*block_markbad)(struct mtd_info *mtd, loff_t ofs);# O( p. b0 r9 _0 e5 z O* C
/* 命令、地址、数据控制函数 */ W& j% d0 P+ e3 | n; y. F
void (*cmd_ctrl)(struct mtd_info *mtd, int dat,unsigned int ctrl);
9 Q+ w7 w) ]4 J2 ~7 R Z0 u: A/ u /* 设备是否就绪 */
! t* ?$ s& g, `) i, O int (*dev_ready)(struct mtd_info *mtd);* j. @8 Z+ {: Y* T* V" Y
/* 实现命令发送 */
4 z. f" w0 \' d. C void (*cmdfunc)(struct mtd_info *mtd, unsigned command, int column, int page_addr);
8 i) c" e, ~+ ~. ^ int (*waitfunc)(struct mtd_info *mtd, struct nand_chip *this);
" r( P% d& G9 @9 k& e( k /* 擦除命令的处理 */* Q- b' c* W/ Q1 }+ U) a3 ^
void (*erase_cmd)(struct mtd_info *mtd, int page);+ ?" H% O' G% Q( i
/* 扫描坏块 */* y' p- O3 D$ J
int (*scan_bbt)(struct mtd_info *mtd);, Q3 E0 M1 }6 h. P$ W! I
int (*errstat)(struct mtd_info *mtd, struct nand_chip *this, int state, int status, int page);
7 H) a6 L- k8 B) \ /* 写一页 */
2 B/ w" m1 b) Y' O" \, {# o: r' w int (*write_page)(struct mtd_info *mtd, struct nand_chip *chip,4 _% d5 b) ]$ y7 j
const uint8_t *buf, int page, int cached, int raw);
* R7 s* W2 K/ Y1 }3 t3 W3 E
+ J4 u* j* ^1 y& f$ u% L! G int chip_delay; /* 由板决定的延迟时间 */# q8 G5 K1 {% e1 O: @- Q
/* 与具体的NAND芯片相关的一些选项,如NAND_NO_AUTOINCR,NAND_BUSWIDTH_16等 */6 ]# K2 t) L5 l: i% H) j
unsigned int options;
7 I- F; s( m3 y( y$ t5 M, N' P5 S) V3 W& r
/* 用位表示的NAND芯片的page大小,如某片NAND芯片
, I" C! b1 d$ ]# h, d% u * 的一个page有512个字节,那么page_shift就是9
# r" R X# o }! [ y' A! a/ N */7 |8 O( n1 G/ i1 R
int page_shift;2 c' p0 z9 V" S& e
/* 用位表示的NAND芯片的每次可擦除的大小,如某片NAND芯片每次可
- |# p: z4 L2 I! k * 擦除16K字节(通常就是一个block的大小),那么phys_erase_shift就是14
: G0 J$ f; p* M( f/ Y6 W { */
& i8 n; i$ u4 Q% c int phys_erase_shift;
7 p$ E r R" z1 U( l- X" S) Y! h /* 用位表示的bad block table的大小,通常一个bbt占用一个block,
) S$ \' k# E+ {/ t7 a/ ]; Y * 所以bbt_erase_shift通常与phys_erase_shift相等
8 E& X F0 V; a" g( L+ N; l+ t */; i8 Z) B( M3 ?0 H# j+ e0 I
int bbt_erase_shift;
2 o6 C2 y/ H# V3 ]4 ~6 O( O* Z /* 用位表示的NAND芯片的容量 */
& S+ X7 W4 n6 ^) S- _3 h* z0 [$ r int chip_shift;! S! I5 W- n$ P; C0 j o9 ?
/* NADN FLASH芯片的数量 */
' @: N5 B! I0 u4 x1 R' x1 J int numchips;7 k* Z ^2 z) p; D5 K
/* NAND芯片的大小 */
) f0 |$ a: x% A uint64_t chipsize;
) p" ? c/ ~( v1 V* _ int pagemask;
) b+ {' ^1 Z9 |; o int pagebuf;
- O/ i( \2 J2 Z& [) U- L' O/ B int subpagesize;3 ], G3 N$ a6 @$ g. S+ N8 [2 l
uint8_t cellinfo;
0 S4 V [( Y7 K/ c4 d/ B int badblockpos;
1 Y$ Y5 y M8 S8 H; o9 G- x nand_state_t state;
- L: ~/ O" E; n+ w! `9 s0 R/ g7 l uint8_t *oob_poi;
- y/ ?' }" K# A% ~( u9 a* T struct nand_hw_control *controller;
: n6 a! p6 X! O, N6 z" K struct nand_ecclayout *ecclayout; /* ECC布局 */2 Q. @# e+ p* D) g% d2 p; K
- t# }4 c& ^" q3 t
struct nand_ecc_ctrl ecc; /* ECC校验结构体,里面有大量的函数进行ECC校验 */
! _6 {$ M3 U7 R( h4 m5 s2 v struct nand_buffers *buffers;
0 Y5 r" D, c) E0 I( o$ w struct nand_hw_control hwcontrol;! `: X; w2 D& `) x# p$ U
struct mtd_oob_ops ops;
2 C+ g r* ~0 w uint8_t *bbt;7 M; F5 j% W; n
struct nand_bbt_descr *bbt_td;* A# \& F. E+ _1 f* W8 _
struct nand_bbt_descr *bbt_md;
8 J& Z8 b- x1 S- d2 @3 c. ^ struct nand_bbt_descr *badblock_pattern;
# r" b) h/ Z6 [* q+ e I void *priv;7 ]# {# E& E% ~1 K
};- B Y& h I2 _8 J$ r2 ^
x1 ], j" K9 O: L8 U最后,我们来用图表的形式来总结一下,MTD设备层、MTD原始设备层、FLASH硬件驱动层之间的联系。
- O5 |; G% o4 c/ x: u: C) H6 J; L8 f g, |0 d! b& u3 V* h
7 b4 h+ @- {. h7 D8 ]5 S/ T- C) c7 x, R. k ^; _
( P3 i* D! E* x# B: P" b4 g, {8 ?
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