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本帖最后由 mengyijiu 于 2020-4-6 22:24 编辑
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1、串联电阻 R16 Q1 p" L/ n( E/ {
1）作用： 预防晶振被过分驱动又或者可讲用来调整drive level和发振余裕度；限制振荡幅度。
' W: C7 Z% W7 Z9 B& o( v' n- l, L 2）为什么：晶振过分驱动的后果是将逐渐损耗减少晶振的接触电镀，这将引起频率的上升，并导致晶振的早期失效（又可以讲drive level调整用）； 3）阻值的大小：几百K；
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. f; o& c+ Y3 S( I2 O; K2、并联电阻 R2
7 ]% C6 {* k. F 1）为什么：电路并联电阻是由于连接晶振的芯片端内部是一个线性运算放大器，将输入进行反向180度输出，晶振处的负载电容电阻组成的网络提供另外180度的相移，整个环路的相移360度，满足振荡的相位条件，同时还要求闭环增益大于等于1，晶体才正常工作。Xin和Xout的内部一般是一个施密特反相器，反相器是不能驱动晶体震荡的；: q Y, V, S. |# ]1 n0 Q4 P1 n
2）作用：配合IC内部电路组成负反馈、移相，使放大器工作在线性区；限流防止谐振器被过驱；并联降低谐振阻抗，使谐振器易启动；电阻取值影响波形的脉宽；
8 Z0 T- G+ [2 B5 u4 }& x 3）阻值的大小：100K～20M可以正常启振，但会影响脉宽比的；
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& A- b" `0 w/ F: Q, N! M. o注：串电阻是降低驱动功率，避免过激励，并电阻是为了帮助起振
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3、结论( \3 }: L; G! h& ?
晶振输入输出连接的电阻作用是产生负反馈，保证放大器工作在高增益的线性区，一般KHz晶振电路，并联电阻通常为10M欧；MHz晶振，并联电阻通常为1M欧左右。输出端串联电阻与负载电容组成网络，提供180度相移，同时起到限流的作用，防止反向器输出对晶振过驱动，损坏晶振。其值的大小通常为几百K 欧姆较多，具体大小需要通过调试，根据过驱程度去选定串接多大电阻。
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$ |* W) D' X7 P/ p( {6 M4、2个电容
6 e" g+ f- n2 U% F 2个电容是晶体的匹配电容，只有在外部所接电容为匹配电容的情况下，振荡频率才能保证在标称频率附近的误差范围内。最好按照所提供的数据来，如果没有，一般是20~30pF左右，太小了不容易起振。在某些情况下，也可以通过调整这两个电容的大小来微调振荡频率，当然可调范围一般在10ppm量级。
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发表于 2020-3-31 22:40
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发表于 2020-4-1 09:23
