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摘要:针对非晶材料晶化过程的电特性,提出了晶化温度控制和电阻率测试的总体设计方案，$ e; n4 D% h& v) J, z0 f3 x0 @, O& j
介绍了监控系统硬件和软件设计,并具体设计了以MSP430单片机为核心的智能温度控制和电阻
Q$ t. x- F! z$ K% |率测试装置。试验结果表明该系统既提高了控制精度和可靠性,降低了开发成本,又能准确及时地
$ g; l, o: m3 q实现非晶材料晶化过程电特性的在线动态研究。
* M( K* L. `( r! j, j关键词:晶化监控;组合自校正; MSP430: P! s8 B. W4 b8 x; C* o5 \
0* a o, W# l0 O7 F1 W( ?* O
引言, I. @0 w2 N/ @; J+ d2 h* \
非晶材料具有超高强度和- -定的韧性，而且价( B8 [* Q [& M$ `1 [- @$ O8 S* T
格低廉，具有广阔的应用前景,是有色金属新材料的6 X2 {8 @; q4 ~' Z
研发方向之一。由于非晶材料在晶化过程中表现出2 A2 `3 e/ V) B0 e
明显的电特性,而电特性是表征晶化过程晶核组织6 N2 x7 V ?" K n5 U& `
结构的一项重要指标,所以通过电阻率与温度的关. U, W7 }) O# u" ~9 [! o
系来研究非晶材料的晶化动力学过程，是- -种实用- ], i; K2 C# O# q
* v% }/ |" T' Y4 R% E9 C( c
有效的方法。为完成对非晶材料晶化过程电特性测
5 F6 G0 q$ K5 c2 x8 V7 G9 w试,即电阻率在晶化突变点及亚稳相各特征点的测; i+ @) n( X& q) W
试,需要对晶化过程的温度进行精确控制，而且需要
- O& N- ?" q4 n/ {2 p依据不同的材料样品对温度进行灵活设置,所以需% ]% F( W* f; m2 N7 G
要设计出一个通用的温度控制器。基于此该文提出
* o# k+ `3 I* ]) [& ?了非晶材料晶化过程温度控制和电阻率测试的设计
4 d! O1 y. _& R8 ~方案,并具体设计了以MSP430单片机为核心的智
& \5 ?/ x, _. `能温度控制和电阻率测试装置。同时采用
6 P }$ ~1 \7 R7 D& L9 kMSP430F413单片机定时器实现信号采样和PWM) n; O/ T! f4 u- C/ K7 _
控制,不仅降低了开发成本,而且为非晶材料晶化过% M3 C8 ?$ @2 v2 ?
程电特性的研究提供了实时有效的途径。
7 H2 m! g2 y( V& E& J0 i1监控系统组成
" u7 i" }' U# L: A系统由上位机和下位机两部分组成:上位机为 ~/ ]% R4 u. B6 I' }
6 [8 F; n" l, j1 R; D; M6 r* d6 r3 o! a: u2 H
. n8 F6 G% r* ~- z$ H附件下载：2 L4 z5 I3 z e8 T
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发表于 2020-3-27 09:33
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