基于MSP430单片机畿晶化监控 系统设计与实现

ByGrith4

摘要:针对非晶材料晶化过程的电特性,提出了晶化温度控制和电阻率测试的总体设计方案，
介绍了监控系统硬件和软件设计,并具体设计了以MSP430单片机为核心的智能温度控制和电阻
率测试装置。试验结果表明该系统既提高了控制精度和可靠性,降低了开发成本,又能准确及时地
6 M; N8 X: K& M2 A, S- p1 O! X实现非晶材料晶化过程电特性的在线动态研究。
" ]/ h5 ?9 ^- K( T7 l$ O关键词:晶化监控;组合自校正; MSP430
# y9 d" z' W: _- K4 v5 X0
引言
9 f# l& D4 l5 ?4 }1 C3 Q+ w  N非晶材料具有超高强度和- -定的韧性，而且价
" N, M/ o+ ?1 g* o1 l格低廉，具有广阔的应用前景,是有色金属新材料的
" y3 A) I, v2 D( l* X# e6 F研发方向之一。由于非晶材料在晶化过程中表现出
明显的电特性,而电特性是表征晶化过程晶核组织
& _- h2 D8 p+ }7 P( m7 U* [7 l% R2 u结构的一项重要指标,所以通过电阻率与温度的关.
系来研究非晶材料的晶化动力学过程，是- -种实用

有效的方法。为完成对非晶材料晶化过程电特性测
试,即电阻率在晶化突变点及亚稳相各特征点的测
7 ^. U6 \6 p2 K' n试,需要对晶化过程的温度进行精确控制，而且需要
依据不同的材料样品对温度进行灵活设置,所以需
: t: ]' U! ]* T& ?& a6 k要设计出一个通用的温度控制器。基于此该文提出
' W9 V, p* x% e2 ^$ N- @1 k% O了非晶材料晶化过程温度控制和电阻率测试的设计
2 v1 v! j, m6 `, S4 r3 P0 M. K& D方案,并具体设计了以MSP430单片机为核心的智
) M7 }2 h. @& c/ K5 i能温度控制和电阻率测试装置。同时采用
; t+ f5 \3 x1 K8 bMSP430F413单片机定时器实现信号采样和PWM
. Z+ Y$ S7 A& ?8 N5 e$ s6 [  A) l7 P控制,不仅降低了开发成本,而且为非晶材料晶化过
程电特性的研究提供了实时有效的途径。
1监控系统组成
系统由上位机和下位机两部分组成:上位机为
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采用MSP430F413单片机定时器实现信号采样和控制,降低了开发成本