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1. Oops=undo，在setup/user preference中可以设置undo缓存空间及undo步数或者说是深度,范围是10到50步。
+ @6 X6 j. i9 |* N2 g& P( b) U! m8 `1 `7 t2 o. M1 v- S! F
2. 对于表贴pad，只需要设置 Top、Soldermask_Top 和 Pastermask_Top 三层即可；对于过孔pad，不需要设置 Pastermask_Top 层。
+ a) L6 |: \) |6 r! Z! `$ V6 d! H( l# T0 N/ _" a+ J
3. 做封装的时候必有silkscreen top, assembly top, place bound top,4 l/ y: n! n# D! r3 M
& {( Q( H/ Y* d) d u: N
display top 一般是在这个层上在器件的几何中心画一个十字，这样方便定位,
, ?2 H a) r& g6 t$ T7 K+ q: g. I. [/ A* X6 Y1 u9 W& n5 N
DFA bound top 的意思是Dedign For Assembly bound top,作DFA检查用。4 K( P, z# D. F+ T
0 E: C2 r& T/ C/ _/ `package的assembly是器件的外形,Ref Des的assembly是封装的名称,Component value的assembly写个Val就行了，可以不加的,
7 M; W. R7 R4 s# j W$ v/ |: x3 y5 {) X( Y& j
place bound top和DFA bound top定义成一样的，反映的是器件占用的面积，它们不一定和assembly一样，因为器件的外形和他占用的面积不完全一样，这个要依赖于布局布线的8 v- E0 k% S( ], B3 i
; b2 h. O0 e: O8 x+ K
考虑。; E' \" U: r# f# \
# l6 n; L2 V' h" k/ k% [; c& C' e$ e" V+ Y& k6 k$ o
4. 晶振附近的覆铜，电路中的晶振为一高频发射源，做法是在环绕晶振敷铜，然后将晶振的外壳另行接地。晶振附近的接地隔离带，一定要良好接地。1 @/ n4 Z$ K( d8 X; `% x/ W; l6 {- }5 X! X
/ F! t/ h' f) V( T, v) u
; O$ b( K* l7 r5. 多层板中间层的布线空旷区域，不要敷铜。因为你很难做到让这个敷铜“良好接地”。 |
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发表于 2010-3-15 16:24
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