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摘要:基于准浮栅 MOS 晶体管的工作原理、电气特性及等效电路的系统分析,采用 TSMC 0.25μm 2P 5MCMOS工艺的CMOS准浮栅技术,提出了 0.8 V 运算放大器,最大直流开环增益可以达到 76.3 dB ,相位裕度为 75?单位增益频率为 1.05MHz。设计了 0.8 V 一阶 CMOS 开关电容高通滤波器,滤波器输入输出电压范围为 0～0.8 V ,截止频率为 100 KHz。$ i. Z( J7 \& E# W& a
关键词:CM O S;准浮栅;超低电压;运放;模拟开关;滤波器8 ^0 i: x% }, o$ s8 }! w1 }
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随着集成电路技术向超深亚微米技术的发展,以及便携式电子信息产品应用的不断发展,促使集成电路的电源电压越来越低,并在今后的两三年内将出现电源电压小于 1 V 的应用系统及片上系统(SO C )芯片,所以研究超低电压的高性能模拟集成电路设计方法及关键技术是非常必要的。目前实现超低压模拟集成电路的关键技术可分为三种:亚阈值、衬底驱动和浮栅技术[1 ]。基于MOSFET 亚阈值特性设计实现的模拟电路,可以在低电源电压下正常工作,并保证较大的输出信号幅值和较低的功耗,但是由于亚阈值电路的驱动电流能力较小,且不能保证设计精度和良好的特性,所以只适合部分电路设计。
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发表于 2020-2-26 14:26
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