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失效分析# u, ?6 l! f; V; j5 n. p
7 n3 n; K+ b Y3 q+ F: I' D9 h+ R, Y失效分析的总章与目录。
/ g- h3 p- B* f2 G2 H
% j5 N: `0 L0 L! c1 K5 @; S/ H0 x# g
失效分析基础5 D" y8 f9 G& T7 q
" P& Z+ c u A' r- H9 a! o# T! J
l 可靠性工作的目的，失效分析的理论基础、工作思路
6 e2 x5 K4 Q1 `& I7 Y" {
6 {" W1 x. j8 `9 w' X+ }' dl 术语定义与解释：失效、缺陷、失效分析、失效模式、失效机理、应力……2 O1 _7 X7 w# U$ T$ T
- G) X- b4 }" F
l 失效分析的问题来源、入手点、输出物、相关标准 g* k' v) F& V
: L+ |: v* H0 T) R" D: c. U! W; ]- d8 B, W) t6 \# ~( A$ P3 i
失效分析技术方法：' Y. ^ R. z9 B0 R
1 h5 ?: I. @2 VA、失效分析的原则. G# Q; M& Q5 d- {) V& u4 X/ u
) a2 ]/ P! a1 k. X+ Z4 _; cB、失效分析程序
- P! a: e' ~: @! w7 a1 j- l 完整的故障处理流程
- l 整机和板级故障分析技术程序
- l 元器件级失效分析技术程序（工作过程和具体的方法手段介绍）
& H# y. S! A0 U$ @$ ]
/ C* h# G; V- m! D
( e+ M3 h2 z. ]5 O! ]
C、失效信息收集的方法与具体工作内容' e8 t5 _, C5 ` P( z+ B. N
- l 如何确定失效信息收集的关注点
- l 样品信息需要包括的内容
- l 失效现场外部信息的内容
- l 信息收集表格示例
- l 信息收集为后面技术分析工作贡献的示例
, ~; V6 e p7 w* d2 e+ }
% `+ ^, s. y) ~" g$ L% J- c- q/ z$ e4 A# }0 @
D、外观检查
7 t9 M8 T- W* y9 g0 N9 d- l 外观检查应该关注的哪些方面
- l 外观检查发现问题示例
- l 外观检查的仪器设备工具' o% `* K0 Q' @; v( m8 u
+ x1 P7 @& e# `- @( J3 J' `6 E$ B
E、电学测试3 ^6 o9 ?5 A+ c- ~6 D( E: o
- l 如何用电测验证失效模式和预判失效机理
- l 电测的具体方法
- l 几种典型电测结果的机理解析
- l 电测时复现间歇性失效现象的示例
- l 在电测中如何利用外部应力与失效机理的关联
- l 电测的常用仪器设备
4 ~" {* v# ?3 Q6 L& i
8 L: C8 K: N' b5 `" g5 k3 H1 M
0 w! v8 W3 I4 G6 zF、X－RAY; h* \1 E8 \+ t: Z
- l X-RAY的工作原理与设备技术指标
- l 不同材料的不透明度比较
- l X-RAY的用途
- l X-RAY在失效分析中的示例
- l X-RAY的优缺点
- l X-RAY与C-SAM的比较3 [7 E9 z) b2 y. J0 d* c" z
( @" t+ q m- _% H+ N$ B. v) c
( p6 s7 J7 y0 p w8 f! m8 JG、C-SAM3 z+ e8 w- A: A6 B: F# L
- l C-SAM的工作原理与设备技术指标
- l C-SAM的特点与用途
- l C-SAM、X-RAY在失效分析中联合应证的使用示例
- l C-SAM的优缺点( H) V9 B& n. j/ \! _: F
! l# ], U- A8 R
% E/ r# Z/ D) K4 c4 T0 A1 JH、密封器件物理分析! b$ ?* }' [, q/ Y+ k A
- l PIND介绍
- l 气密性分析介绍
- l 内部气氛分析介绍
- I、开封制样
- l 化学开封的方法、设备、技术要点介绍
- l 化学开封发现器件内部失效点的示例
- l 切片制样的具体方法与步骤
- l 切片制样发现器件和焊点内部失效点的示例( I! L( t: h R1 K2 y% F& l
l: u( V; I8 K
- M, w& D: e+ S% A F) s5 [; GJ、芯片剥层0 ^0 ]2 S$ \" _- h$ s+ g
- l 化学腐蚀法去除钝化层的具体方法，及其特点与风险
- l 等离子腐蚀去除钝化层的具体方法，及其特点与风险
- l 腐蚀钝化层后样品观察区的形貌示例
- l 去除金属化层的具体方法与示例
/ p# L0 j* y1 ^9 w
3 b( L2 K" f& x( H
1 l, N9 r; h( z2 `- i
K、失效定位－SEM
/ {4 n9 f5 f% M; o6 l- l SEM的工作原理与设备特点
- l 光学显微镜与SEM的性能比较
- l 光学显微镜与SEM具体成像区别示例5 N5 _5 @. v% A0 `
* L! n5 Q7 e: ^+ e/ D( A
3 A" n4 S6 [1 v" m( \
L、失效定位－成份分析
& _- K/ S8 Y3 o# y7 B4 s6 {- l 成份分析中的技术关注点经验
- l EDS、AES、XPS、SIMS、FTIR等成份分析仪器的用法比较
- l 成份分析在器件内部分析中的作用示例
, e$ u# m1 i2 \
3 U3 f5 w$ K T/ q$ H* N
. j1 h8 M6 y/ @4 x' p/ D3 c7 lM、内部热分析－红外热相
; d1 |* u3 R( ?+ E6 A6 b! T1 @ a9 L
N、内部漏电分析－EMMI9 n. C4 h6 u& |& j, g# g
4 I8 h1 W0 e8 s0 }. d- A
O、芯片内部线路验证－FIB- Y5 Q4 @$ d" D: [% k5 K
, o, z2 k8 h2 a( k/ H H! bP、综合分析与结论
. q y1 O. P) O- l 综合分析中的逻辑思维能力
- l 结论的特点与正确使用
: F+ `: L9 f: N/ a2 ~* E5 D3 B
0 K6 G3 h" G. `0 e% u9 L
- d0 U; B; A0 u4 G0 p) K' IQ、验证与改进建议
" o# P$ [# M* o5 w/ n* ?- l 根本原因排查与验证
- l 改进建议及效果跟踪
" v& h( E+ w$ b
: y9 D$ U6 x$ e& v+ j& V3 r/ Y5 r4 ?3 M1 o' g( y5 X- R# f) s
- d& [( q% W9 p" c各类失效机理的归纳讲解与相应案例分析：
" |) a; f5 k$ g) G% |5 P
7 F( z! `) v1 r/ U, }3 \8 `( E1、失效分析全过程案例
" v8 a5 H* G) C7 j9 Q) `0 S; X- A、失效信息收集与分析
- B、思路分析
- C、过程方法
- D、逻辑推导
- E、试验手段
- F、综合分析
- G、结论与建议
/ d1 B; n3 {% I" g4 V4 N
/ s. |" r. Y; k3 v2 Y6 |
) d9 Q" y9 a3 r d' K( V. W R2、静电放电失效机理讲解与案例分析
* t" e1 f, R. [& B- A、静电损伤的原理
- B、静电损伤的三种模型讲解
- C、静电损伤的途径
- D、静电放电的失效模式
- E、静电放电的失效机理
- F、静电损害的特点
- G、静电损伤的案例（比较器、单片机、微波器件、发光管、功率管）& V4 T: v) G C9 i
+ |% S, d, {8 m- S$ x8 {4 E' E: J% D4 n8 O
3、闩锁失效机理讲解与案例分析2 O) q( l, U9 }: }6 }% ?$ r
- A、闩锁损坏器件的原理
- B、闩锁损坏器件的特征
- C、闩锁损坏器件的案例（开关器件、驱动器件等）
- D、闩锁与端口短路的比较
- E、CMOS电路引起闩锁的外部条件
- F、静电与闩锁的保护设计
& O+ S! }' x* v
( X! e6 p- p0 \ t6 Y* `$ A6 f# M4 p
4、过电失效类失效机理讲解与案例分析, ?1 ]* g+ B9 p6 R
- A、过电的类型及特点（浪涌、过电压、过电流、过功率等）
- B、对应不同类型的过电的失效案例
7 I1 j/ c3 Q% R' a7 X X, W/ i
: B, R- C. Y2 z9 l6 }1 x* h7 S: N# Z* G n" V
5、机械应力类失效机理讲解与案例分析
% r+ h5 { h: q+ { j- A、机械应力常见的损伤类型
8 Q2 H' P. B1 e
- B8 i' Z, d, d0 ~. H% u
/ S# g* V; j9 n5 A {
6、热变应力类失效机理讲解与案例分析
/ W& u# o0 n( f, x' `5 }- A、热变应力损伤的类型和特征
" ~2 b% a6 G/ l8 L' m4 l
0 @) s0 x2 T; T! a5 p; A$ E
, E2 M* V' p: h3 A- `7、结构缺陷类失效机理讲解与案例分析
, J" k i8 Z' ^+ B9 P7 W" c% P' z- A、热结构缺陷的类型和特征
- B、发现缺陷的技术手段9 t! g# ?; Y5 q$ S* p. ~' w$ E
$ G1 c) G6 M6 s% A* ^7 c9 c$ C/ a4 g7 n: G- o
8、材料缺陷类失效机理讲解与案例分析 C& a/ [3 U0 A/ H
- A、绕线材料缺陷
- B、钝化材料缺陷
- C、引线材料缺陷
- D、簧片材料缺陷
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9 }' f/ d! j4 c# A
# c4 C; J6 V" p+ W9 u! X, L9、工艺缺陷类失效机理讲解与案例分析5 O; y" ?4 v+ M! ^1 R
- A、工艺缺陷的类型和主要特征，发现手段
; n+ o$ t; t2 y) B/ C# P
8 N4 p W" m) t0 s
+ i1 K6 z9 M8 w: h0 i10、应用设计缺陷类失效机理讲解与案例分析* s9 n3 u* h K
" Q- k3 m1 ?( e+ B. Z
11、污染腐蚀类失效机理讲解与案例分析- }% ]* k' ]9 m$ t
- A、污染的来源与类型，腐蚀的主要原理. G, C: R( F) f% N
8 F% f1 s, p* i. } G
/ C8 |$ r8 N. f12、元器件固有机理类失效机理讲解与案例分析
) Y, ^1 w- _% {; m- A、不同类型的元器件固有失效机理的归纳8 k O7 H2 d4 F( y- e. C
" r- h9 H6 h% F6 p8 S
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13、面目全非的样品的分析4 O: R$ h0 P: A& q5 g
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来自于—工业和信息化部电子工业标准化研究院 x8 u" F2 [+ S0 l6 R
; N- j: V/ O+ ^/ x% n( D《电子产品及元器件失效分析技术与经典案例解析》专题研讨
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: ^2 F [7 W# Z# r7 x
: m3 C5 r1 G$ d B/ b6 v6 f" ?
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发表于 2020-2-24 17:28
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