了解一下失效分析

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失效分析

失效分析的总章与目录。


/ D2 l0 @; t. O. _) B8 E失效分析基础
" m3 T( \$ P$ i4 j* I
: o' f! @: Y: @" bl 可靠性工作的目的，失效分析的理论基础、工作思路

l 术语定义与解释：失效、缺陷、失效分析、失效模式、失效机理、应力……
$ n8 ^2 N0 E% ~) t4 x
l 失效分析的问题来源、入手点、输出物、相关标准
0 ^# O; p7 e# d/ F" R+ k
3 S: I( C: ^3 u" K1 [1 R6 `4 A
失效分析技术方法：

: ]1 {3 \: c- _+ Z% MA、失效分析的原则
3 l/ N& V4 P9 d; A0 b+ t
B、失效分析程序

• l 完整的故障处理流程
• l 整机和板级故障分析技术程序
• l 元器件级失效分析技术程序（工作过程和具体的方法手段介绍）
  + [2 J7 d+ f* X! Q2 w! W

1 [* Q  `/ e7 L$ P
C、失效信息收集的方法与具体工作内容
- Y3 o$ k4 |" I6 }! o

• l 如何确定失效信息收集的关注点
• l 样品信息需要包括的内容
• l 失效现场外部信息的内容
• l 信息收集表格示例
• l 信息收集为后面技术分析工作贡献的示例
  ; d/ ?" m, K5 {& {

- ?$ w+ `# [' P: v& j. c
. x8 @5 `/ p& g1 e3 E- J8 ]D、外观检查

• l 外观检查应该关注的哪些方面
• l 外观检查发现问题示例
• l 外观检查的仪器设备工具
  

  J( E1 \' s) f4 F, i, |
6 N) `, x; z1 EE、电学测试
9 z3 m9 M  S7 t3 J% I% B1 {

• l 如何用电测验证失效模式和预判失效机理
• l 电测的具体方法
• l 几种典型电测结果的机理解析
• l 电测时复现间歇性失效现象的示例
• l 在电测中如何利用外部应力与失效机理的关联
• l 电测的常用仪器设备
  6 u' S! c1 T/ O0 T. Y

7 B. F. Z7 j3 V# hF、X－RAY
) r( W# y$ w6 h4 T- @. ]  t

• l X-RAY的工作原理与设备技术指标
• l 不同材料的不透明度比较
• l X-RAY的用途
• l X-RAY在失效分析中的示例
• l X-RAY的优缺点
• l X-RAY与C-SAM的比较
  7 Q0 k+ z+ e7 I

# M5 l: q) s& s& T
6 [5 b: v% G5 O" ?% Z" a7 e8 eG、C-SAM
& h9 ], ]) ?: t  ~4 a9 F

• l C-SAM的工作原理与设备技术指标
• l C-SAM的特点与用途
• l C-SAM、X-RAY在失效分析中联合应证的使用示例
• l C-SAM的优缺点
  

  O" d, O5 O% E( U- h6 H% k
H、密封器件物理分析
/ i5 L; M5 W3 u( T

• l PIND介绍
• l 气密性分析介绍
• l 内部气氛分析介绍
• I、开封制样
• l 化学开封的方法、设备、技术要点介绍
• l 化学开封发现器件内部失效点的示例
• l 切片制样的具体方法与步骤
• l 切片制样发现器件和焊点内部失效点的示例
  

/ J$ D+ L* g8 B2 ]; `: Y8 t
J、芯片剥层

• l 化学腐蚀法去除钝化层的具体方法，及其特点与风险
• l 等离子腐蚀去除钝化层的具体方法，及其特点与风险
• l 腐蚀钝化层后样品观察区的形貌示例
• l 去除金属化层的具体方法与示例
  

K、失效定位－SEM

• l SEM的工作原理与设备特点
• l 光学显微镜与SEM的性能比较
• l 光学显微镜与SEM具体成像区别示例
  ' S; X* z& u9 Q; h. `0 s: D

L、失效定位－成份分析

• l 成份分析中的技术关注点经验
• l EDS、AES、XPS、SIMS、FTIR等成份分析仪器的用法比较
• l 成份分析在器件内部分析中的作用示例
  1 Y$ W3 G( m* A) P# y' Q

& ~3 M' J2 o  |3 o% I
. ^2 u' F' w$ y4 p: y* a; nM、内部热分析－红外热相
3 o1 o3 o! E6 j  E) z* `2 a' s
' ~# y- H- d* o9 o2 X1 o, m- l! UN、内部漏电分析－EMMI
4 }+ W/ c. H6 }$ E- E$ U  _* u
" g8 ~* B# {: |) ~$ m4 |O、芯片内部线路验证－FIB

P、综合分析与结论

• l 综合分析中的逻辑思维能力
• l 结论的特点与正确使用
  

$ q2 z& i4 p9 X
Q、验证与改进建议

• l 根本原因排查与验证
• l 改进建议及效果跟踪
  

: T# d0 T; s7 d( p, Y
& F0 x% s. K  T( Z各类失效机理的归纳讲解与相应案例分析：
$ m: ^7 s& ^+ {
1、失效分析全过程案例
$ `  [* O; _) X; D+ j3 }% ]: w# l

• A、失效信息收集与分析
• B、思路分析
• C、过程方法
• D、逻辑推导
• E、试验手段
• F、综合分析
• G、结论与建议
  , p3 a; k+ r4 O% Y

+ r! g5 A0 v  d% P+ D9 ~5 {9 M& x1 X
, E$ }' K$ d( D- J9 f4 ?2、静电放电失效机理讲解与案例分析

• A、静电损伤的原理
• B、静电损伤的三种模型讲解
• C、静电损伤的途径
• D、静电放电的失效模式
• E、静电放电的失效机理
• F、静电损害的特点
• G、静电损伤的案例（比较器、单片机、微波器件、发光管、功率管）
  

8 i5 G$ U8 J5 m: R5 S( G' Q: A  ~# {
3、闩锁失效机理讲解与案例分析
& Q0 y* q9 e& u4 I1 V3 ^- X- I

• A、闩锁损坏器件的原理
• B、闩锁损坏器件的特征
• C、闩锁损坏器件的案例（开关器件、驱动器件等）
• D、闩锁与端口短路的比较
• E、CMOS电路引起闩锁的外部条件
• F、静电与闩锁的保护设计
  

# C/ l4 W9 b" F! `# b# e6 K8 f  W; a
4、过电失效类失效机理讲解与案例分析
) ?) C6 S4 I# l5 L, Q! v

• A、过电的类型及特点（浪涌、过电压、过电流、过功率等）
• B、对应不同类型的过电的失效案例
  2 ^6 M/ |3 U$ g

* F8 q& }4 d2 p8 y! y& ?2 t; I( ~5、机械应力类失效机理讲解与案例分析

• A、机械应力常见的损伤类型
  

6、热变应力类失效机理讲解与案例分析

• A、热变应力损伤的类型和特征
  " y2 q3 l! t7 W

$ p; f. ^  u  B9 }( T( s- X) ^
2 w3 v, N7 V' e6 j) ~% \5 ?7、结构缺陷类失效机理讲解与案例分析
* Y" Z9 G2 s0 S! p$ [! T1 z

• A、热结构缺陷的类型和特征
• B、发现缺陷的技术手段
  

) N; N% F  y5 T( R: l4 z% X
/ E5 n" B3 Z- n! H8、材料缺陷类失效机理讲解与案例分析
/ a. H, o4 F1 {6 K

• A、绕线材料缺陷
• B、钝化材料缺陷
• C、引线材料缺陷
• D、簧片材料缺陷
  ) _4 ?! Y, T( A

$ }4 i5 H5 ]( z4 y2 G) T, ~
6 S( D) R; N0 [6 q9、工艺缺陷类失效机理讲解与案例分析
+ N$ {5 g0 f; m: Q' p; z% Q5 H" s& ~

• A、工艺缺陷的类型和主要特征，发现手段
  $ C: ^5 X6 V  e, E! F

" l* Q" G9 V0 @3 I10、应用设计缺陷类失效机理讲解与案例分析
5 z2 L& Z1 R' a$ G. c+ H; S/ F7 m
11、污染腐蚀类失效机理讲解与案例分析

• A、污染的来源与类型，腐蚀的主要原理
  4 D0 S: Q/ m* Z6 e

3 w# Y% B9 @) q7 `' c
12、元器件固有机理类失效机理讲解与案例分析

• A、不同类型的元器件固有失效机理的归纳
  

8 R" y  {# f3 ~5 C( E13、面目全非的样品的分析

9 x6 w/ S' H( n4 I9 l& Y来自于—工业和信息化部电子工业标准化研究院
  Q; b$ [( B3 g* i; f
) l$ ^4 k' B' O1 Q+ _9 q' h3 U《电子产品及元器件失效分析技术与经典案例解析》专题研讨
- s/ E# k; o; G$ f& E
5 a- @: m& M$ G: }& E
  m1 J8 s" \( g; Z0 S
( u2 U+ G$ h) w) s/ a, _

ExxNEN

接触的少，不太能理解