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失效分析

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发表于 2020-2-5 16:06 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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( V6 F* s1 I. w* A3 Z7 Y6 G- \失效分析' w& _: o, F7 J$ b* S/ X' N8 g! A
失效分析的总章与目录。5 [1 F; N4 V4 V5 u& |

% y3 g- a" J: m1 T: {3 J失效分析基础* |: _- a& r2 @' l: [( R- v+ m& v4 X
l 可靠性工作的目的,失效分析的理论基础、工作思路5 ?+ ^; ~2 }2 ?4 R, ]$ L/ ^! v
l 术语定义与解释:失效、缺陷、失效分析、失效模式、失效机理、应力……! k7 _9 y5 q+ a) m% ^0 e& Z
l 失效分析的问题来源、入手点、输出物、相关标准) A3 J3 e* t  ^/ t' P) f

+ [3 U1 l  L3 k4 W0 l5 y失效分析技术方法6 @$ @0 p" A9 T- j/ N
A、失效分析的原则/ n2 ?; C6 A6 O' I! r9 ^# H1 A" N

' h, m: |) ~- B1 eB、失效分析程序
2 P. ?  h0 q( J! z3 R, F! x
  • l 完整的故障处理流程
  • l 整机和板级故障分析技术程序
  • l 元器件级失效分析技术程序(工作过程和具体的方法手段介绍)
    9 m2 o$ `8 B8 O+ h4 X, V
7 C$ p% |; S$ a; a  ]# U6 c; X
C、失效信息收集的方法与具体工作内容  W, X. x2 q) @: y% r
  • l 如何确定失效信息收集的关注点
  • l 样品信息需要包括的内容
  • l 失效现场外部信息的内容
  • l 信息收集表格示例
  • l 信息收集为后面技术分析工作贡献的示例
    ! A( U- H9 A/ Y

- x& p: j0 h" D! L) @D、外观检查
% ^" U1 c9 q7 G! ~- z3 g$ O6 N
  • l 外观检查应该关注的哪些方面
  • l 外观检查发现问题示例
  • l 外观检查的仪器设备工具7 F! V* [0 f+ }; z+ p
  F( c. a* v; _& \7 l
E、电学测试
5 y. Y, U* r$ O) H/ n* t; a; ]
  • l 如何用电测验证失效模式和预判失效机理
  • l 电测的具体方法
  • l 几种典型电测结果的机理解析
  • l 电测时复现间歇性失效现象的示例
  • l 在电测中如何利用外部应力与失效机理的关联
  • l 电测的常用仪器设备
    ! @! s* [# h) ]" a" I6 z) a0 {) X

# p4 |9 J8 m9 n1 X8 u( o' ^; fF、X-RAY- f. }% s: a0 Y6 G1 p6 l& D  o$ O
  • l X-RAY的工作原理与设备技术指标
  • l 不同材料的不透明度比较
  • l X-RAY的用途
  • l X-RAY在失效分析中的示例
  • l X-RAY的优缺点
  • l X-RAY与C-SAM的比较
    . x# N8 Q! m3 [* X1 g
! t4 \  l, Z( L( R7 c5 }- Q
G、C-SAM/ R  t* z# t6 g' Y; i( A9 k
  • l C-SAM的工作原理与设备技术指标
  • l C-SAM的特点与用途
  • l C-SAM、X-RAY在失效分析中联合应证的使用示例
  • l C-SAM的优缺点
    5 y$ N6 h* g6 F. \  u( |
5 v4 j$ C1 X1 \, |  F8 c. Z7 ?! |9 T
H、密封器件物理分析
" u7 C% }$ l9 c
  • l PIND介绍
  • l 气密性分析介绍
  • l 内部气氛分析介绍
  • I、开封制样
  • l 化学开封的方法、设备、技术要点介绍
  • l 化学开封发现器件内部失效点的示例
  • l 切片制样的具体方法与步骤
  • l 切片制样发现器件和焊点内部失效点的示例
    % z, u' g, \* O2 v! e# o

. @) z6 _' P9 g/ ?- R1 {J、芯片剥层
6 E! c" H. \3 q& A3 _
  • l 化学腐蚀法去除钝化层的具体方法,及其特点与风险
  • l 等离子腐蚀去除钝化层的具体方法,及其特点与风险
  • l 腐蚀钝化层后样品观察区的形貌示例
  • l 去除金属化层的具体方法与示例" h, |: B: r* I6 G- j- N7 u$ \

: F+ n" Z. c5 S$ zK、失效定位-SEM
& f! Z3 ~3 d, E2 t' k5 Z. }5 P" U. H
  • l SEM的工作原理与设备特点
  • l 光学显微镜与SEM的性能比较
  • l 光学显微镜与SEM具体成像区别示例
    7 r! R6 K2 s8 Y2 t1 d1 M& S2 p
' I& R& o# u6 i* j8 w2 w( l
L、失效定位-成份分析7 Q2 t0 q, X' R
  • l 成份分析中的技术关注点经验
  • l EDS、AES、XPS、SIMS、FTIR等成份分析仪器的用法比较
  • l 成份分析在器件内部分析中的作用示例
    4 s: i8 n+ w! h2 M# ]2 t5 F
& Y( H: f; K% b9 W/ f& e! m
M、内部热分析-红外热相
0 R9 `: i& g% v& t
& z7 W  |2 h3 _1 T  q/ DN、内部漏电分析-EMMI  a: w$ B. E' o# n: K
3 C% V/ O8 X8 \, U
O、芯片内部线路验证-FIB, G$ V9 M! g, k$ ^

  H- @: r) y! S; ?4 ~P、综合分析与结论
% u# i: M0 ^* h% y- L; X
  • l 综合分析中的逻辑思维能力
  • l 结论的特点与正确使用
    % j$ M5 d% u: |$ v% j* G3 \

; ^' I; w/ G2 h# qQ、验证与改进建议
* n& [8 U4 P, z3 G7 e
  • l 根本原因排查与验证
  • l 改进建议及效果跟踪
    * y+ ]4 b. _; N

& Z5 z8 c9 X% a" O, G* D. H) N% B, H6 B( b) `( J8 {. u
各类失效机理的归纳讲解与相应案例分析
( ^  N0 s- e* x5 V* D6 Z* W2 c# P, e. E) w% |" y
1、失效分析全过程案例
5 ~, M+ v) O1 O& R6 W. h
  • A、失效信息收集与分析
  • B、思路分析
  • C、过程方法
  • D、逻辑推导
  • E、试验手段
  • F、综合分析
  • G、结论与建议5 I0 h: A6 S; ~5 D+ K9 T3 ?

, x  a5 L4 ?' F# a( b% i7 t2、静电放电失效机理讲解与案例分析/ E, ~; E+ B# w  T$ F3 J
  • A、静电损伤的原理
  • B、静电损伤的三种模型讲解
  • C、静电损伤的途径
  • D、静电放电的失效模式
  • E、静电放电的失效机理
  • F、静电损害的特点
  • G、静电损伤的案例(比较器、单片机、微波器件、发光管、功率管)
    " R/ ~' L0 d( n& p- l# E
' K: f1 t) V9 _/ {. G3 A) g
3、闩锁失效机理讲解与案例分析3 s  Z2 E* k" Q/ |! l
  • A、闩锁损坏器件的原理
  • B、闩锁损坏器件的特征
  • C、闩锁损坏器件的案例(开关器件、驱动器件等)
  • D、闩锁与端口短路的比较
  • E、CMOS电路引起闩锁的外部条件
  • F、静电与闩锁的保护设计: j6 I9 b1 E2 a) {8 x
5 S! |1 i9 D, G; Q2 C: \# }$ \7 \
4、过电失效类失效机理讲解与案例分析
& ?+ b, Y: T  F
  • A、过电的类型及特点(浪涌、过电压、过电流、过功率等)
  • B、对应不同类型的过电的失效案例$ [& _# O' u" L
) `# x# f6 ^- Y& d
5、机械应力类失效机理讲解与案例分析
' ?) w5 P& z  d0 P' e: `
  • A、机械应力常见的损伤类型) q; R9 a' S1 t8 z8 e  H8 l

- X0 m# e! \' Y: U; A6、热变应力类失效机理讲解与案例分析
7 L" [6 c" j; W0 M5 a: p' Y
  • A、热变应力损伤的类型和特征) r5 l1 i" S0 s- c
* C. |; h7 l3 W5 F
7、结构缺陷类失效机理讲解与案例分析& V5 r" T. _2 t( t
  • A、热结构缺陷的类型和特征
  • B、发现缺陷的技术手段4 ~  r9 F, z5 G
% o( s) L3 a9 {1 l
8、材料缺陷类失效机理讲解与案例分析
& k9 l! b& T" w
  • A、绕线材料缺陷
  • B、钝化材料缺陷
  • C、引线材料缺陷
  • D、簧片材料缺陷
    & W+ m' C* b  B) S
1 C% {3 t" @) S# ~0 P, C
9、工艺缺陷类失效机理讲解与案例分析1 J3 W: S; x  {% m  i
  • A、工艺缺陷的类型和主要特征,发现手段
    $ @/ Z, l0 d* V& S$ n
. U/ Q) K6 O+ N- C( Z4 ?8 N; B
10、应用设计缺陷类失效机理讲解与案例分析$ B) A# \; s. ^( A/ i

( D; K$ W* J( r% ]* y( T! b1 M11、污染腐蚀类失效机理讲解与案例分析
6 p) n2 _; J' }( o: X, b
  • A、污染的来源与类型,腐蚀的主要原理
    & f+ V7 O& Y+ d& Q

  |3 y7 B8 b' F. z12、元器件固有机理类失效机理讲解与案例分析
( K2 [  Q! o0 r: M) x5 B2 P- s
  • A、不同类型的元器件固有失效机理的归纳
    6 \8 d9 x, v4 G1 ^  {

" W+ W  H: A! y( U) E; i13、面目全非的样品的分析
! E& h  c6 G( X7 Q
  e3 W1 v+ K* v  F: j来自于—工业和信息化部电子工业标准化研究院
1 @0 c& u/ _' L) {6 Y1 l) t& M$ p1 C& w7 j$ P, i5 @( Z0 Q
《电子产品及元器件失效分析技术与经典案例解析》专题研讨3 N( L( n( N( w( j' Y! Q! Z" K
9 ~! J9 o! f. b# I0 d
  • TA的每日心情

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