失效分析

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失效分析
失效分析的总章与目录。
1 }6 ^$ n4 h! f
失效分析基础
: v% p/ ^0 H" C  A; F" zl 可靠性工作的目的，失效分析的理论基础、工作思路
8 B0 t* U: o. Pl 术语定义与解释：失效、缺陷、失效分析、失效模式、失效机理、应力……
$ @  `9 X& B8 I' sl 失效分析的问题来源、入手点、输出物、相关标准

失效分析技术方法
A、失效分析的原则
4 G; y4 G& j0 L8 j; S8 T5 p* T3 A7 i
% B7 |3 F3 k+ r6 `B、失效分析程序

• l 完整的故障处理流程
• l 整机和板级故障分析技术程序
• l 元器件级失效分析技术程序（工作过程和具体的方法手段介绍）
  " q1 v; b9 E' h  n# z4 ]

C、失效信息收集的方法与具体工作内容
6 w6 Q; i/ M  J4 ~: w4 B

• l 如何确定失效信息收集的关注点
• l 样品信息需要包括的内容
• l 失效现场外部信息的内容
• l 信息收集表格示例
• l 信息收集为后面技术分析工作贡献的示例
  . V+ l) `: \$ ^- y0 z0 U" T

  s0 M" C4 W3 x3 C7 v6 ~D、外观检查
) z+ u6 u& z- z0 i: T

• l 外观检查应该关注的哪些方面
• l 外观检查发现问题示例
• l 外观检查的仪器设备工具
  

E、电学测试

• l 如何用电测验证失效模式和预判失效机理
• l 电测的具体方法
• l 几种典型电测结果的机理解析
• l 电测时复现间歇性失效现象的示例
• l 在电测中如何利用外部应力与失效机理的关联
• l 电测的常用仪器设备
  

F、X－RAY

• l X-RAY的工作原理与设备技术指标
• l 不同材料的不透明度比较
• l X-RAY的用途
• l X-RAY在失效分析中的示例
• l X-RAY的优缺点
• l X-RAY与C-SAM的比较
  

8 C9 r* B! \- a6 U7 q3 QG、C-SAM

• l C-SAM的工作原理与设备技术指标
• l C-SAM的特点与用途
• l C-SAM、X-RAY在失效分析中联合应证的使用示例
• l C-SAM的优缺点
  

H、密封器件物理分析
9 X( Q4 P; `2 p: q

• l PIND介绍
• l 气密性分析介绍
• l 内部气氛分析介绍
• I、开封制样
• l 化学开封的方法、设备、技术要点介绍
• l 化学开封发现器件内部失效点的示例
• l 切片制样的具体方法与步骤
• l 切片制样发现器件和焊点内部失效点的示例
  + V7 [* H1 D% B) g& u! ^

' Y  s- l; C( t7 W) l+ jJ、芯片剥层
9 {4 c# K8 |: t1 J0 |+ p1 L) g

• l 化学腐蚀法去除钝化层的具体方法，及其特点与风险
• l 等离子腐蚀去除钝化层的具体方法，及其特点与风险
• l 腐蚀钝化层后样品观察区的形貌示例
• l 去除金属化层的具体方法与示例
  

1 E- o. q6 t7 V; ]  p& UK、失效定位－SEM
: a; Q4 Y- d# T  S; B( H

• l SEM的工作原理与设备特点
• l 光学显微镜与SEM的性能比较
• l 光学显微镜与SEM具体成像区别示例
  

L、失效定位－成份分析

• l 成份分析中的技术关注点经验
• l EDS、AES、XPS、SIMS、FTIR等成份分析仪器的用法比较
• l 成份分析在器件内部分析中的作用示例
  

' d* u2 F9 o4 }# Z2 iM、内部热分析－红外热相
- p/ j- e( @9 h, [! _5 X9 ^
2 N) D: ]8 J/ S- Q! s3 K2 dN、内部漏电分析－EMMI
9 ~  Z  |: W" m1 L( `4 N* _7 a
O、芯片内部线路验证－FIB
+ y' A$ S- r8 K# i4 Q
; j/ P  L. I1 T7 CP、综合分析与结论

• l 综合分析中的逻辑思维能力
• l 结论的特点与正确使用
  

Q、验证与改进建议
) Y: k  K! d+ @; }

• l 根本原因排查与验证
• l 改进建议及效果跟踪
  5 B* s- z; g7 w

8 H( p9 b# \- D
# M+ R' z  R# ?1 \各类失效机理的归纳讲解与相应案例分析
6 ?5 j; U1 z) b7 j4 H2 X8 J0 ]
7 @; ]6 s* P7 a& `- ?/ S1、失效分析全过程案例
5 Z8 ^. {+ V1 _

• A、失效信息收集与分析
• B、思路分析
• C、过程方法
• D、逻辑推导
• E、试验手段
• F、综合分析
• G、结论与建议
  - c& |3 E) i; |' I

2 e8 H" S! R( j: X& o; z& c2、静电放电失效机理讲解与案例分析

• A、静电损伤的原理
• B、静电损伤的三种模型讲解
• C、静电损伤的途径
• D、静电放电的失效模式
• E、静电放电的失效机理
• F、静电损害的特点
• G、静电损伤的案例（比较器、单片机、微波器件、发光管、功率管）
  

3、闩锁失效机理讲解与案例分析
8 d) l9 C& Q$ f6 D- A& k

• A、闩锁损坏器件的原理
• B、闩锁损坏器件的特征
• C、闩锁损坏器件的案例（开关器件、驱动器件等）
• D、闩锁与端口短路的比较
• E、CMOS电路引起闩锁的外部条件
• F、静电与闩锁的保护设计
    @$ W/ u9 k. Y- f; @

4、过电失效类失效机理讲解与案例分析

• A、过电的类型及特点（浪涌、过电压、过电流、过功率等）
• B、对应不同类型的过电的失效案例
  ; B# w' o+ B; z2 ^  b" f  A, W

5、机械应力类失效机理讲解与案例分析
6 }5 Q' v, O0 U. E( Z( x

• A、机械应力常见的损伤类型
  

6、热变应力类失效机理讲解与案例分析

• A、热变应力损伤的类型和特征
  2 e3 b7 v# c5 s+ M

. W- r; i1 a0 h# e. u7、结构缺陷类失效机理讲解与案例分析
  @! u2 x) c9 X

• A、热结构缺陷的类型和特征
• B、发现缺陷的技术手段
  

8、材料缺陷类失效机理讲解与案例分析
- m5 b+ p! K1 }' r7 @

• A、绕线材料缺陷
• B、钝化材料缺陷
• C、引线材料缺陷
• D、簧片材料缺陷
  

7 e8 v, g# D# p8 Q" S! y) Y( V7 x9、工艺缺陷类失效机理讲解与案例分析

• A、工艺缺陷的类型和主要特征，发现手段
  2 U( D3 f' G- x4 T6 g! n0 r

10、应用设计缺陷类失效机理讲解与案例分析
. l, f( n6 ~7 v- ?9 G
11、污染腐蚀类失效机理讲解与案例分析

• A、污染的来源与类型，腐蚀的主要原理
  

12、元器件固有机理类失效机理讲解与案例分析
6 @# `+ M% o6 f2 ~! P  M1 H

• A、不同类型的元器件固有失效机理的归纳
  ) V% k1 D- m: `/ y' c

) f, v/ {1 T( q4 n13、面目全非的样品的分析

  J$ P+ |/ O8 x* k2 v. c7 P! e: A来自于—工业和信息化部电子工业标准化研究院

# v% `1 y9 g7 t# @/ ~9 T《电子产品及元器件失效分析技术与经典案例解析》专题研讨
7 R0 f- P( C4 K4 t# I

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