找回密码
 注册
查看: 389|回复: 1
打印 上一主题 下一主题

80c31单片机电路总剂量效应研究

[复制链接]

该用户从未签到

跳转到指定楼层
1#
发表于 2020-1-21 15:38 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

EDA365欢迎您登录!

您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册

x
摘要:研究了80C31单片机电路在Coγ辐照环境中的响应特性及参数变化规律,通过对辐照
8 [+ z, E% v  L! d) k1 ^后其电离辐照敏感参数在室温和100 C高温条件下随时间变化关系的分析,讨论了电路总剂量辐7 Y8 y4 d( d$ R4 O* u
射损伤的机理。
4 d5 l* E9 g/ y0 l# y( Y/ C6 ?& v7 i关键词:单片机; 60Co γ辐照;辐射损伤;退火.) F4 b$ O8 y  p" M- z+ G2 |- P8 R
游客,如果您要查看本帖隐藏内容请回复
5 O! y1 T0 A# s8 M, A+ z

8 n  T4 |6 E% m( W

该用户从未签到

2#
发表于 2020-1-21 18:50 | 只看该作者
有关电路总剂量辐射损伤的机理
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

推荐内容上一条 /1 下一条

EDA365公众号

关于我们|手机版|EDA365电子论坛网 ( 粤ICP备18020198号-1 )

GMT+8, 2025-5-28 16:30 , Processed in 0.078125 second(s), 26 queries , Gzip On.

深圳市墨知创新科技有限公司

地址:深圳市南山区科技生态园2栋A座805 电话:19926409050

快速回复 返回顶部 返回列表