80c31单片机电路总剂量效应研究

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摘要:研究了80C31单片机电路在Coγ辐照环境中的响应特性及参数变化规律,通过对辐照
2 N  V! l( [. d# ~* ?$ m$ m% w( j) ~后其电离辐照敏感参数在室温和100 C高温条件下随时间变化关系的分析,讨论了电路总剂量辐
( ?+ U( o1 S/ Q2 {0 i射损伤的机理。
# Z$ N. \4 I$ F- ~7 T0 ?关键词:单片机; 60Co γ辐照;辐射损伤;退火.
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有关电路总剂量辐射损伤的机理