80c31单片机电路总剂量效应研究

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摘要:研究了80C31单片机电路在Coγ辐照环境中的响应特性及参数变化规律,通过对辐照
8 [+ z, E% v  L! d) k1 ^后其电离辐照敏感参数在室温和100 C高温条件下随时间变化关系的分析,讨论了电路总剂量辐
射损伤的机理。
4 d5 l* E9 g/ y0 l# y( Y/ C6 ?& v7 i关键词:单片机; 60Co γ辐照;辐射损伤;退火.

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有关电路总剂量辐射损伤的机理