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5 o6 u7 t. q6 O/ D Y8 o4 E% M摘要:
5 @7 X/ z9 L# [: F短产品的开发周期，降低产品的制造成本。本文以NOR Flash 存储器SST39SF040和MCS-51系列单( r- u; R7 d3 k8 N
片机为例，详细介绍大容量NOR Flash 存储器与8位单片机的接口技术，给出硬件连接电路和扇区擦除" a" S8 D2 P7 ~* {
操作的源程序代码。
: B' T F% V+ y3 C* {$ u' x2 a( b1 J3 `
关键词:NOR Flash存储器 接口设计 存储器扩展 8位单片机
/ w) D5 g, D# G7 @0 x& c1 g: _ t1 V" w1 r0 R
引言:Flash存储器又称闪速存储器,是20世纪80年代末4 `! m$ A8 O* L1 ^
逐渐发展起来的一种新型半导体不挥发存储器。它兼有3 p3 S/ k3 n+ s# V" }5 g& P
RAM和ROM的特点，既可以在线擦除、改写,又能够在
/ q2 ^0 i8 e4 b7 A( @掉电后保持数据不丢失。NORFlash是Flash存储器中' K: A9 w1 V6 k( y/ I5 o, M$ ?% x- m
最早出现的一个品种,与其他种类的Flash存储器相比具.* F$ i- x; k) F: t3 T
有以下优势:可靠性高、随机读取速度快,可以单字节或单
( z v3 e; V# Z; d; U" }字编程,允许CPU直接从芯片中读取代码执行等。因此
b A$ y2 w" y% X; m x3 o0 }NOR Flash存储器在嵌人式系统应用开发中占有非常重
& |+ `8 N( @% ~2 Y) L* P, R要的地位。本文以SST公司的NORFlash芯片: \7 p$ O. Q6 C2 _! u
SST39SF040和MCS-51单片机为例,针对大容量NOR
3 ~! ^& A. |: \3 |Flash在8位低档单片机中应用的特殊性,详细介绍了其6 l9 B- e/ E# T0 l
接口硬件和接口软件的设计方法。
; q1 ~$ |. E, Q3 x" f: X; w5 v( t& H1 V9 o$ k o: ]
1 SST39SF040芯片介绍: _8 D: [# t6 N+ ]" k
SST39SF040是SST公司最近推出的一种基于Super
- v9 |5 n Q% oFlash技术的NOR Flash存储器,属于SST公司并行闪速
9 d( g& q* K" L6 k存储器系列;适用于需要程序在线写人或大容量、非易失
3 j" A/ ~& c& R1 t. D性数据重复存储的场合。
! i3 d9 ?6 ~" x2 g0 v1.1芯片内部功能结构和外部引脚6 T! }5 U6 x, y2 P K) _4 ?. h
图1是SST39SF040的内部功能结构框图,由Super-
0 K9 Q$ d6 X& }8 MFlash存储单元、行译码器、列译码器、地址缓冲与锁存器、! |8 _6 o0 G$ c( S( L( g: W
输人/输出缓冲和数据锁存器以及控制逻辑电路等部分组* K. j- T# |$ s% j ^6 e
成。图2是其外部引脚分布图,其中A18~A0为地址线,
$ k! U/ L$ x) }) @CE为芯片选通信号,0E可作为读信号，WE为写信号，
, b4 p6 E) S1 J% X0 t; PDQ7~DQ0为数据线。. V+ ?: z2 z! O% e0 d8 }/ A9 R Z
# k' A' b( |7 u3 r附件下载：6 b% D: l& x6 f( {, W; t P' q: V
; I' t: v. @6 y+ o! s
, u/ |. L: J7 I' ]1 Y- ], [7 Y& A6 o" V" Q5 }! c% H) z% C
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发表于 2020-1-21 13:54
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