大容量NOR Flash与8位单片机的接口设计

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% e0 _/ h+ n7 {) a# g0 g摘要:
短产品的开发周期，降低产品的制造成本。本文以NOR Flash 存储器SST39SF040和MCS-51系列单
+ c8 O6 B9 g' C  Z片机为例，详细介绍大容量NOR Flash 存储器与8位单片机的接口技术，给出硬件连接电路和扇区擦除
0 y4 j: m; @, }+ i3 I6 V操作的源程序代码。

关键词:NOR Flash存储器 接口设计 存储器扩展 8位单片机
" T: a& v0 H: y5 K7 q8 Y; E( I
引言:Flash存储器又称闪速存储器,是20世纪80年代末
7 O1 i  C( H: i逐渐发展起来的一种新型半导体不挥发存储器。它兼有
1 p2 p! Q+ a8 B( `$ d3 t: k! J( wRAM和ROM的特点，既可以在线擦除、改写,又能够在
掉电后保持数据不丢失。NORFlash是Flash存储器中
最早出现的一个品种,与其他种类的Flash存储器相比具.
有以下优势:可靠性高、随机读取速度快,可以单字节或单
6 u3 q6 s7 R. F% [% Z字编程,允许CPU直接从芯片中读取代码执行等。因此
NOR Flash存储器在嵌人式系统应用开发中占有非常重
要的地位。本文以SST公司的NORFlash芯片
  |) B( Q3 [$ Z- K3 U) aSST39SF040和MCS-51单片机为例,针对大容量NOR
0 Z! s% j& A' P6 h0 E6 KFlash在8位低档单片机中应用的特殊性,详细介绍了其
接口硬件和接口软件的设计方法。

1 SST39SF040芯片介绍
* G& [( Y- C' I, b! M( `; \0 [; wSST39SF040是SST公司最近推出的一种基于Super
! p% v: F$ a0 MFlash技术的NOR Flash存储器,属于SST公司并行闪速
% e, p  Z1 V2 I& U* |存储器系列;适用于需要程序在线写人或大容量、非易失
性数据重复存储的场合。
1.1芯片内部功能结构和外部引脚
* p- W: q, H- T- g3 \$ j; d# t+ u( v图1是SST39SF040的内部功能结构框图,由Super-
. X# s4 `( ~0 H% T3 W: G* f* |/ ZFlash存储单元、行译码器、列译码器、地址缓冲与锁存器、
输人/输出缓冲和数据锁存器以及控制逻辑电路等部分组
5 Q, M: J: S  x  Y成。图2是其外部引脚分布图,其中A18~A0为地址线,
! }- [1 T( j% H5 \7 KCE为芯片选通信号,0E可作为读信号，WE为写信号，
DQ7~DQ0为数据线。
4 B' e/ F; p7 F
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