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摘要:为探索大直径单晶体生长系统的最佳旋转波形和控制参数.研制开发了晶体坩埚多波形旋转控制系统。主要部件采用
5 y3 k& t; d; v2 f m- t. Y嵌入式单片机、交流伺服电机及D/A转换器等。提出了一种用D/A转换器实现交流伺服电机高精度调速的优化算法,提高
, |) m2 x# b6 `9 z! U& w9 ]了控制精度。简化了编程方案。试验证明该系统性能可靠,工作稳定。现已正式投入使用。
. v. Z; }( u l& G- Q$ A9 v+ Z$ S. D/ {" c
1引言
0 p) s! F! ?. Z$ ~5 F# U随着微电子的不断发展,大体积高质量单晶体材料的优越7 Y& ~) M/ d8 m! P! }
性能愈来愈受到人们的晴来。尤其国防高科技装备。但大体积高
6 w# \; E2 {# q( V& z2 b质量单晶体材料的生产却是一个技术难题。理论研究发现,影响
+ W. N) ^' ^. y! n单晶体生长的主要因素是热质对流。寻找最有控制规律。严格控
/ ~' g5 v# q4 {. N5 f制热质对流,在单晶体生长过程中就显得尤为重要。为获得高质0 U4 Y2 F* U/ `+ Z0 M
量的单晶体,除了按晶体生长要求提供合适的温度场外,通常采. a4 x7 V7 Z! N8 h9 C9 ~
用坩埚加速旋转技术来产生热质对流,以改变晶体生长界面前
' N( C+ r0 R$ T沿热量和质量传输条件,其工作示意图如图1所示。0 u" m/ ]- [) J+ @( A, X5 p2 O
/ K, M$ ~/ D2 t# B3 f% i! x7 p2 n理论和实验研究表明,合适的坩埚旋转方式能较好地控制
, d6 X; j2 H$ n. J晶体生长界面的形状。增强界面的稳定性.减小溶质边界层的
: i* N: K( A5 e' G% E厚度,加快液相传质。允许晶体以较高的速度稳定生长。为了寻1 D% C0 t# u5 v/ G
求晶体生长最理想的旋转方式,基于交流伺服电机实现的多波
+ \- j. C& S5 E& k6 @, @形旋转控制系统应运而生。它能够使交流伺服电机产生梯形
, p7 O5 `( P" s- v& j波,正弦波,三角波和矩形波等多种形式的旋转。从而使坩埚在, O3 ^& r4 G0 ^: _. Y1 b
做缓慢平稳下移的同时,也做相应的旋转运动。它在一个周期
1 w; P/ w2 V- D% c! l) q/ R4 h5 i$ e
图2坩埚旋转控制规律图/ f/ D; {, ], I( N8 X& `/ o
为了进一步探索晶体生长质量与旋转波型的关系,寻求单晶
% m7 H5 E* u. t1 g/ \# _$ N; I体生长的最佳旋转波形和参数。根据旋转规律和流体稳定性理论# e9 F$ I' v0 L
要求,设计正、反转最大转速nt,112在l—600转份范围内可任意3 C8 Y* h, w. T! l& d5 t- @
可调。升降速时间Tl可在l—100秒内任意可调。匀速运行时间! Q% G( r: I$ D( u
T2、T3可在肚_200秒内任意调节。正弦波的半周期T可在5-200
) V9 A& ~. \$ z秒内可调。除此之外,还要求在T1段上的速度变化为线性。5 ?* H. @. i6 X& v
2硬件电路设计8 z. g5 s5 b# z
2.1伺服电机的选择
- U" S, C2 q2 g4 h$ t伺服电机有直流和交流之分。目前松下交流伺服电机系统
8 u9 g* f K, a3 ~* b# i5 e性价比较高。它有交流伺服驱动器和交流伺服电动机两部分组& I4 ~( O; e9 v# b. s/ [/ o8 A# k
成,内设速度反馈和位置反馈。具有控制精度高,性能稳定,成本
8 Y* Y, U Z: G' W3 \! k较低,调试维修方便等优点。它有三种控制方式:位置控制。速度
, `6 z x% C: _ ]8 b# f1 D控制,转矩控制。由于本课题要求实现速度控制,故选择用速度- |4 u" F9 o# {9 ]: d3 t9 p# l7 q4 U
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附件下载: 3 V& D3 y3 b+ I9 r$ W; ?& a
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