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摘要:为探索大直径单晶体生长系统的最佳旋转波形和控制参数.研制开发了晶体坩埚多波形旋转控制系统。主要部件采用
2 s$ I* }4 m. }0 h嵌入式单片机、交流伺服电机及D/A转换器等。提出了一种用D/A转换器实现交流伺服电机高精度调速的优化算法,提高# D# Q4 {: ]' y4 @
了控制精度。简化了编程方案。试验证明该系统性能可靠,工作稳定。现已正式投入使用。& W* ~8 `" ?& O* n. N( m
- }6 \' V9 s- t: J! ]1 c( M, m1引言: e& k6 K* H: J3 ?/ q9 `
随着微电子的不断发展,大体积高质量单晶体材料的优越
5 [7 j5 o2 r" U# x/ _性能愈来愈受到人们的晴来。尤其国防高科技装备。但大体积高
- y( k F) b& B+ m j P质量单晶体材料的生产却是一个技术难题。理论研究发现,影响5 k8 l; d3 }( Y1 E# D
单晶体生长的主要因素是热质对流。寻找最有控制规律。严格控
) x+ ~ z$ r( G6 Q$ O9 I8 q制热质对流,在单晶体生长过程中就显得尤为重要。为获得高质
) _/ g7 R& V$ z7 }量的单晶体,除了按晶体生长要求提供合适的温度场外,通常采
; \: c% W- F: \; O" r" A8 e用坩埚加速旋转技术来产生热质对流,以改变晶体生长界面前
- \, P1 t2 |0 m, `3 O5 K沿热量和质量传输条件,其工作示意图如图1所示。
2 i' S6 s! g& s: s* a0 F _) }# ^6 z) U/ \
理论和实验研究表明,合适的坩埚旋转方式能较好地控制( u! k, G+ F! \% G: q \
晶体生长界面的形状。增强界面的稳定性.减小溶质边界层的* Y: d" N, ?/ Z/ s% }. L
厚度,加快液相传质。允许晶体以较高的速度稳定生长。为了寻! e, C5 m1 D# Y# ]: H
求晶体生长最理想的旋转方式,基于交流伺服电机实现的多波7 d& W$ N$ u6 D4 h1 e( ]! m( O5 U
形旋转控制系统应运而生。它能够使交流伺服电机产生梯形
6 w- o1 J a3 u. V- V: c6 r波,正弦波,三角波和矩形波等多种形式的旋转。从而使坩埚在
" \7 @, ]$ w. t3 T做缓慢平稳下移的同时,也做相应的旋转运动。它在一个周期* ?6 E r& a2 L% ]4 b
) B0 _- q( P/ D# ?. n A& @
图2坩埚旋转控制规律图% Q* ^: H9 W/ ^
为了进一步探索晶体生长质量与旋转波型的关系,寻求单晶- i* i+ X* Q$ Z9 q7 j1 g
体生长的最佳旋转波形和参数。根据旋转规律和流体稳定性理论, g r& f9 I& x* d
要求,设计正、反转最大转速nt,112在l—600转份范围内可任意
3 z$ f& S1 c, s4 Y可调。升降速时间Tl可在l—100秒内任意可调。匀速运行时间) O( ]2 A* ?& f/ D2 K( ]
T2、T3可在肚_200秒内任意调节。正弦波的半周期T可在5-200
$ e- @3 ^, }6 f- E9 }秒内可调。除此之外,还要求在T1段上的速度变化为线性。6 R. O# n6 e2 b; _$ N* Y
2硬件电路设计: r$ t9 Z2 i# [, v2 e! W! H
2.1伺服电机的选择
% d) i; V1 S2 Z" l3 y/ b+ Z伺服电机有直流和交流之分。目前松下交流伺服电机系统6 u. G( l. ~. I; r: q: _5 t1 T/ X
性价比较高。它有交流伺服驱动器和交流伺服电动机两部分组
( `2 s+ j- G1 |1 N6 X成,内设速度反馈和位置反馈。具有控制精度高,性能稳定,成本
8 V8 r# o1 o; m9 w+ q$ K% U5 d较低,调试维修方便等优点。它有三种控制方式:位置控制。速度
. v9 d( }, v( Q控制,转矩控制。由于本课题要求实现速度控制,故选择用速度
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附件下载: ! [9 Z8 A5 N# v: u! S
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