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楼主: mengzhuhao
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【问高手】关于多层板的布局布线的问题

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121#
发表于 2011-11-25 11:49 | 只看该作者
受教了!学习 不断 的学习突破!

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122#
发表于 2011-11-28 11:08 | 只看该作者
好帖

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123#
发表于 2011-11-30 20:30 | 只看该作者
很好的学习贴,讨论的都是高手啊!
头像被屏蔽

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124#
发表于 2011-12-5 23:29 | 只看该作者
提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽

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125#
发表于 2011-12-6 21:59 | 只看该作者
学习了

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126#
发表于 2011-12-7 10:34 | 只看该作者
谢谢,学习了

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127#
发表于 2012-1-14 22:53 | 只看该作者
我是刚接触layout的,半年时间,现在接到一块6.5G的板子,感觉不知道怎么弄,好纠结

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128#
发表于 2012-2-5 15:37 | 只看该作者
学习了,谢谢.

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129#
发表于 2012-2-6 16:49 | 只看该作者
太完美了

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130#
发表于 2012-2-19 11:49 | 只看该作者
厉害

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131#
发表于 2012-2-20 09:27 | 只看该作者
本帖最后由 DAA008 于 2012-2-20 09:56 编辑
" A' [! f' P* x; Z) c% _3 Z
clandey 发表于 2008-12-9 15:46 1 e* O0 g& B- z9 a
晶振的布局一般很靠近芯片,走线一般都很短,所以我也倾向走表层,也没见EMI有什么问题。不过我见过的晶振才 ...
5 \9 l6 C" ~; r( q
% f% |2 h, ?& \& V* R3 C
如果是石英震盪器送出給晶片的走線,建議是走得又短,又在外層。  B: E+ T% @9 @
誠如上方討論,走內層的好處是crosstalk又少,阻抗控制得又準。
# G5 f4 v7 T7 o! H* y3 @8 b3 Q, K0 G# Y, {
走線本身會有電容性,拉越長就越多,3 y2 x& g* @$ L) j( Q
若要走內層則無可避免得打額外的via,這又增加額外的電容性。
* `2 F% Q1 i* J1 {- ?7 K; w+ x
  B; v% }2 C$ |- I* w: L2 k這一點點電容性一般走線對一般串列訊號是很少差別的,& I1 |5 d- ^* f0 t8 k3 J. y) k
除非走線又長(ex:>15")速度又快(ex:>6Gbps)。
; Z9 W: i! |. e/ P) b但對於震盪器輸出的地方而言,這點點電容會影響震盪的頻率,
8 M  f+ {" P5 Z/ m電容越大影響就越多,會造成晶片接收clock訊號頻率差異而無法滿足spec。6 \$ ]# |. b9 z
/ r- l5 v2 _% Y! q
至於不是從震盪器出來的一般的晶片互傳的clock訊號,
" Q5 j% a0 a2 \( M1 e; [走得越長的話盡量把它埋到內層,短短的話就沒啥差了~7 F( R% s+ J9 s  n7 g, Z" _

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132#
发表于 2012-2-20 09:51 | 只看该作者
PL281 发表于 2008-5-4 09:35 . _6 m, M1 n8 _1 e
对阻抗控制很严格的线,我会选择TOP或者BOTTOM.原因如下:. p2 \1 R( I- [! g2 O
对于多层板,对于50ohm阻抗,内层往往只需要线宽 ...

) D( G0 t! E& ]. A+ c+ E" V, z7 R表层16mil??50ohm阻抗控制一般都是DDR方面的走线,内外层 基本在4-6mil 这个范围最好,你16mil你怎么布线? 要知道我们可以通过改变参考层与走线的距离来控制线宽的!合理的叠层,可以使走线线宽在合适的范围。; N+ w& X2 a4 c7 C& P
, D1 O: s! v7 b- w" c8 Z2 w
总之,抛弃了叠层单独说线宽多少,阻抗是多少都是没根据的!

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133#
发表于 2012-2-21 11:43 | 只看该作者
收获甚多!谢谢@!

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134#
发表于 2012-8-13 17:29 | 只看该作者
DING DING  DING

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135#
发表于 2012-8-31 11:33 | 只看该作者
好贴要加精啊
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