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高压低功耗同步升压控制芯片HB6803 " U( [0 N# ~# C h) K
/ S, L) X6 }# b$ {$ L3 I功能特性简述 l 高效率>90% l 同步N型MOSFET整流 l VCC宽输入范围：2.5V至24V l 1.5%的输出电压精度 l 高位电流采样 l 空载时低静态电流：60uA l 内置软启动 l 开关频率600/900KHz l 关断电流<8uA l PWM峰值电流模控制 l 轻载自动切换Burst模式 l 逻辑控制使能端 l Cycle-By-Cycle峰值电流限制 l 工作环境温度范围：-40℃～125℃ l DFN12L\TSSOP14L封装
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- Y& ?7 \, x Y* r) o" s1 h+ v1 e# J' W* O* B: W0 y1 T. |
+ p4 I4 Y0 F' _3 i: D1 b* a应用 l 移动电话 l 工业供电 l 通讯硬件 4 `9 g# o2 T& {( ^
概述 HB6803是一款恒定频率PWM电流模控制，驱动N型功率管的高效同步升压芯片。同步整流提高效率，减小功耗，并且减轻散热要求，所以HB6803可以应用在大功率环境。 2.5V到24V的输入电压支持供电系统和电池的较宽范围应用。根据负载情况的变化自动切换工作模式，在轻载Burst模式下静态电流低至60uA。 HB6803内置峰值电流限制和输出过压保护。在ENB逻辑控制为高时，芯片电流降至8uA以下。; |4 o; n9 y: o0 ?
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发表于 2019-12-31 15:52
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