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高压低功耗同步升压控制芯片HB6803

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发表于 2019-12-31 15:52 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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高压低功耗同步升压控制芯片HB6803

/ P% r8 o7 s; ^9 B' N% t: b& c( i+ U% [1 Q# ]
功能特性简述
l 高效率>90%
l 同步NMOSFET整流
l VCC宽输入范围:2.5V24V
l 1.5%的输出电压精度
l 高位电流采样
l 空载时低静态电流:60uA
l 内置软启动
l 开关频率600/900KHz
l 关断电流<8uA
l PWM峰值电流模控制
l 轻载自动切换Burst模式
l 逻辑控制使能端
l Cycle-By-Cycle峰值电流限制
l 工作环境温度范围:-40℃~125
l DFN12L\TSSOP14L封装

3 R% P( g9 o" U+ ?/ U$ |( W9 v* R% \/ o" C! x
( p0 u/ N+ P1 r& n  L% H
& f* V$ [4 q5 x' Z
应用
l 移动电话
l 工业供电
l 通讯硬件

* u$ s$ \! q9 w
概述
HB6803是一款恒定频率PWM电流模控制,驱动N型功率管的高效同步升压芯片。同步整流提高效率,减小功耗,并且减轻散热要求,所以HB6803可以应用在大功率环境。
2.5V24V的输入电压支持供电系统和电池的较宽范围应用。根据负载情况的变化自动切换工作模式,在轻载Burst模式下静态电流低至60uA
HB6803内置峰值电流限制和输出过压保护。在ENB逻辑控制为高时,芯片电流降至8uA以下。
2 q7 W7 j! q4 E
9 ]0 n9 o( U- I$ ^- m4 P
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