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+ i5 b$ d. ^& h/ T; hDDR2布线规则(1)
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0 m& G. Q8 i' g; P5 R+ ^一、寄存器配置1 I" p: s7 H# E! _. W# V5 ]
1、在读数据时,打开主控端的0DI,关闭DDR2端的0ODT; 而在写数据时,则相反;数据线空闲时,则关闭两端的0DT。9 L, y; \5 z2 \. m
2、对于DDR2 800, 设置寄存器,使主控端和DDR2端的0DT阻值为502。
$ O& v! G1 X3 F+ _. U3、一般通过调整输出驱动强度以达到最好的信号质量;时钟线、命令线、数据线的延时-般可以独立调节,以满足时序要求。1 _! \9 }. y( a$ E
, a: i7 Z3 A' j, x5 f7 B二、叠层设置
' g' e& V7 H) u1、对于同一组数据线及其对应的DQ STROBE线, 如Q[7: 0]、DMO与DQSO、 DQSO#, 应布在同一层,以减小信号skew.
* u p; [( C. J% q0 B( ?8 e0 h2、DDR2信号线的参考平面最好是选择地平面(尤其是时钟线),如果基于成本考虑,不得不选用电源层作为参考面,则DDR2供电电源平面需包围整个DDR2走线范围,且边缘要留有余量,电源与地平面间的阻抗在整个带宽范围内要足够低。
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9 ^ Z# a) E8 g: }8 a* \( [三、线长匹配
. |* e! D' n9 c0 l. k& ?' |1、走线增加一个过孔,大概相当于增加了90mil的传输线长度。, B3 D( j" v/ W% B
2、对于走线长度应把封装内部引线长度计算在内。
0 O% R, T% G: Q& ^- {3、各信号线的长度匹配如下表: (控制线: CS、CKE、 ODT; 命令线: Address. BankAddress. RAS、 CAS、 WE; 数据线: DQ、DM)7 O7 @/ R' T: d' h
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4、时钟信号差分对的长度差应控制在5mi1以内。
# _: N7 E$ k. x" \7 \5、在能够满足布线空间的情况下,走线长度越短越好,- 般控制在5000mil以内, 可以以时钟线作为参考线。3 y ?* p. T% y6 Z: C
+ j `8 v0 ]* O* M9 I+ v四、串扰的抑制
+ O, D8 g$ e$ k. ~7 V" c' g) ~) y1、对于蛇行走线,各线段之间的间距应至少为走线宽度的两倍(边沿到边沿)。
0 [) g- {4 B0 @2、DDR2信号线与非DDR2信号线之间的间距应大于25mil。
% e% d8 ?3 c- M# f/ ~3、时钟、DQS等差分线与其它DDR2信号线的间距应大于20mil。3 A8 t* J1 _$ a
4、同一组命令线,同一组控制线或同一组数据线间的走线间距应大于走线宽度1.5倍(最好2倍以上),而不同组间的信号线间距应大于走线宽度的2倍(最好3倍以上)。
* ^: f* {: w+ N1 `+ o5、在扇出线区域,由于空间限制,不能满足走线宽度和间距要求时,可适当减小走线宽度及减小走线间距,但该扇出线长度应小于500mil。! y4 T3 @- `- W/ ^! O, s
6、扇出线过孔应尽量靠近焊盘,如有可能,最好打焊盘孔。
- G+ Q7 _8 K- U6 s% ~0 }3 B0 w" t7、每条信号线的过孔数最好不要超过两个。
0 _+ D/ s( e5 {: g2 S8、VREF参考电压线要有足够低的阻抗,且与其它DDR2信 号线的间距大于25mil。& B+ J$ y. E% t8 q4 S6 i
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五阻抗匹配
; H0 X j( I: m2 h2 g1、DDR2 800信号走线单端阻抗应设置成500: \7 e* k( P2 F4 l# T
2、对于控制命令线、时钟线要进行阻抗匹配,可采用源端串联匹配或末端并联匹配。(源端匹配具 有较小的驱动功率,但.上升沿时间是未端匹配的两倍,且-般驱动器的HI和L0驱动电阻不一样,较难得到精确的匹配阻值,源端匹配一般只适合于点对点拓扑)。* s6 t6 s# _% b2 y, |( ` }, X
3、对于单端信号线,源端端接电阻加驱动电阻值等于走线阻抗;而未端端接电阻等于走线阻抗,端接电压为DDR2供电电压的一半,通常需使用专用的DDR2端接稳压电源,在整个带宽范围内具有低阻抗,高动态响应能力等性能。% B/ o: e0 V1 E4 Q4 F: b; _
4、Clock、data strobe等 差分信号线应尽量设计成紧耦合差分对,即差分对内间距应小于走线宽度。走线应对称,如同时改变线宽,同时打过孔等。
q) k6 n) V$ ]( X6 K {% k5、对于Clock差分信号线,如有两个负载,则各分支线长度应尽量短且对称,每条分支线末端用2002电阻进行并联端接。" t& F0 c8 p4 A
6、并联端接电阻的走线长度应控制在250mi1以内。对于点对点拓扑的末端端接电阻,应放在接收器后面。
+ \" V3 d% F" G7 a9 k1 |7.对于控制命令线,如有多个负载,应采用星型连接,各分支线长度应短且对称,并在分支点进行阻抗匹配,阻值等于走线阻抗。(如图: 其中L2大于250mil, 小于1500mil; L3小于250mil; 各分支对称段的长度偏差应小于50mil)5 X: r5 |# a4 H
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8、有时为降低功耗,可以关闭0DT功能,此时, 对于点对点拓扑的数据线,可以在DDR端进行串 联端接;而对控制命令线不做匹配,但要加大走线间距(不推荐使用)。
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