TA的每日心情 | 开心
2020-7-28 15:35 |
|---|
签到天数: 2 天 [LV.1]初来乍到
|
EDA365欢迎您登录！
您需要 登录 才可以下载或查看，没有帐号？注册
x
第1章常用 晶体管原理简介) o; R/ ]( S& U' N0 f! u
1.1 背景
; H4 S N2 Z. I) p5 d/ T总体说来，凡是实际使用中的有源电路中往往都有半导体晶体管。在形形色色的电% i* e4 |7 l' q- e
子世界中，晶体管是绝大部分电路功能的实现者，是电子电路设计者必须掌握的基本要2 N6 u/ F* N- a4 y ?' Y
素。只有正确地理解掌握了基本的电路器件，才能设计出符合目的的，功能正常、性能可* Q: @- N: _$ }! |7 K% U t7 _+ a
靠的电路。在电子世界飞速发展的今天，掌握基本器件是正确、可靠地使用集成器件所必
# O4 V0 J- ^; m+ g. }7 M& R须的辅助条件。本文将列出几种最常用的晶体管器件进行简介。$ A2 e, }( B" i2 q5 b
1.2准备知识 N结简介
. B$ d- X. X6 B* @. _在硅[Si]、锗[Ge]、 砷化镓[GaAs]等 具有共价键的单晶本征半导体材料中，以特殊工
$ w: {4 h/ Y# [9 [* A7 k艺[如高温扩散、离子注入等]“搀杂”进一定浓度[10*-~10-l°]的其它特定原子，在不.( i; w S: [5 @% X3 c
破坏原半导体共价键的情况下，使“杂质”原子在品格的某些位置上替代原来材料的原
; ^$ ^4 l6 }; u* ]1 F子，因为原品体的共价键结构的存在，以及杂质原子与晶体原子的自由电子数目不相等，
7 L* G9 v6 B* H n1 }; ^, d那么在形成共价键后，杂质原子就会多出自由电子或者被共价键牵引而缺少了自由电子。
& D( R+ S5 d9 b7 f q- b1 s& U从整个材料特性看来仍然对外界表现出电中性，但在品格附近就会有多余的电子或者因缺
4 D v) m1 o. ~0 C' I) f少电子而形成了带正电的“空穴”。有“多余”电子的搀杂材料就称为Negative型半导8 M% o, l6 u0 l* e3 u
体，带“空穴”的搀杂材料就称为Positive型半导体。
: b- |: ]. H( }7 d) ]0 U' {3 Z# D从电路结构上说来，PN结是- -种特殊的材料接触结构:将P型半导体以及N型半导体
: g( l/ f$ t! }以特定的工艺进行原子级结合就可以形成PN结，PN结有这样的特点:因P型半导体中的空
% t" i" f# a( }; t, |穴、N型半导体中的电子互相“渗透”会形成-一个接触电场，方向为从N端指向P端。当分
$ q' e( k5 r7 F别在P、N端加上电压时，PN结将表现出宝贵的单向导电性: P极加正电压，N极加负电压
/ j& m e2 _) z) o: S+ d时接触电场被削弱，PN结导通; N极加正电压，P极加负电压时接触电场被增加，导致自7 @& ^4 {! E$ @ U! B U
由电子无法通过。在PN正向导通时，因接触电场的存在，将会在结上形成一固定压降，; [7 c/ W" p: }8 J- O# Y! V
硅PN结的压降一般为0.6V左右， 锗材料结的压降为0.3~0.5V左右。锗材料的温度敏感性很" e& n/ z8 P4 h! h6 z9 {' ^. Y! k
0 P- T; w, o! a3 F# S T6 \
* F9 A/ b5 V# j; r9 e |
|
/1 
发表于 2019-12-27 10:05
收藏
淘帖
支持！
反对！