制造商
+ E/ c* ~0 B( n1 C8 l8 c- \" C | DiodesIncorporated
+ |5 ^: I- l; a: k% m H% C |
产品种类
) y _$ n! O8 O; _: U) ?8 z | 双极晶体管-预偏置
/ M2 r/ n K+ v3 C" M |
RoHS1 ~+ t: J$ i8 U" Y, M& |
| 符合9 D u/ q+ A: a7 T1 k/ j
|
配置$ c# x7 B0 x' L5 J) I; z5 `* W5 R
| Single$ C" I; r3 f& D
|
晶体管极性
7 m1 p6 ]" s }$ f5 M | PNP
" Q$ j8 n$ u6 [$ ?! E* v |
典型输入电阻器9 Q! F1 P( q( w2 @4 a' [3 ]. }2 C
| 100kOhms
6 @7 M" D1 @# R- v! q2 F/ Z |
安装风格
6 E, V# O# @8 x | SMD/SMT; a( ^, H+ P* E P% l
|
封装/箱体$ o5 ~* y0 x" z9 d. W# Z3 \- l$ A
| SOT-23-3+ o6 e1 U, E1 i4 l
|
直流集电极/BaseGainhfeMin& d2 N" _: W5 z6 `
| 100
6 U, o6 L# _2 m/ @ |
集电极—发射极最大电压VCEO
/ m1 G% d T9 } u; m+ J | 50V# j+ h+ W. W! s: p- B9 N
|
集电极连续电流2 O+ n" H& `% H: {$ C9 _
| 100mA4 @! ?9 b5 g7 d7 C
|
峰值直流集电极电流& C6 Q3 ?5 r3 [1 e& a5 J( C
| 100mA
1 f7 q& } [$ B# I4 i X |
最小工作温度
# K; E( @9 [# H' n* V | -55C
0 u2 W$ Q6 u; Q; Y2 d |
最大工作温度
- `8 ]) r3 u* d) S" R' F | +150C
+ y; ?' x( Z" n" P8 q+ b: z1 M |
系列
- J$ i# n% i+ r$ ~ | DDTA115 L" b* V' a: d! D
|
封装
! e% j+ G% I" y | Reel
1 e$ G9 H; z1 E, N/ { |
高度
: Z& q5 O+ X6 `6 x# O F- |. z | 1mm6 P l b/ M9 t! Z
|
长度
% S! ]: Y! p. A$ x2 j | 3.05mm
2 E- ^! O+ _: \+ m O0 |4 U |
宽度
3 a9 {: X; w2 i | 1.4mm
# G* i3 z; A: q8 N0 ?$ X |
商标. { o) {* D- [
| DiodesIncorporated
! c0 v+ M0 p* H) x$ s6 o3 u |
产品类型 g0 ]+ [( Q2 ~+ }. d( r
| BJTs-BipolarTransistors-Pre-Biased3 w6 O8 V( G- t; p0 L
|
工厂包装数量
( q( ]4 h( U0 i# }4 F | 3000. l1 A8 `; C. i2 y3 l. l% w1 c; j3 r
|
子类别
* l8 f+ Z2 _5 S2 D | Transistors
/ n& z9 j$ q, f, _/ K |
单位重量
2 }" j3 R& g1 k# ]$ G7 [7 V | 8mg
c3 V5 ?! W+ F |