制造商- e2 L3 X& M4 U7 t8 [
| DiodesIncorporated0 g( b& C B4 \) V/ h0 \
|
产品种类/ g/ b* O% b3 |! Y; Q& {
| 双极晶体管-预偏置
2 ?+ [' z% |7 ?% R- p |
RoHS6 ]4 ] g! L) l, W0 W+ i
| 符合
1 J/ `( {7 T6 k" \ |
配置* Z0 n( A# U: ~- Q" K
| Single/ f' B& h8 N( U( q$ {, v2 B4 F
|
晶体管极性! b7 t+ |5 m' \; l b, y
| PNP
" a! U8 N, l# x; G! M- ^ |
典型输入电阻器
+ i' x# w, _3 @& Z3 q5 x | 3.3kOhms" V' Y; i' Q9 T$ q3 e, o7 B' N
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典型电阻器比率
4 t9 `& Y9 `1 }5 D" S C/ ^' g | 0.331 t& }/ |6 t7 c" o
|
安装风格0 @5 k8 w% m# D% P' H
| SMD/SMT1 I; ]7 Q% u9 q" O6 `
|
封装/箱体
- ?' ?" \/ B- \6 a7 T! F# s. w7 G | SOT-23-37 l" |5 \" u8 ?; l) L$ s) Z/ P
|
直流集电极/BaseGainhfeMin8 e, N9 j1 _& o: z1 A' Y7 P0 a5 K$ d
| 56/ A9 l7 f" K; E6 `8 G7 c) s) i
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集电极—发射极最大电压VCEO1 [" Y2 {; m. j! Q, m# \
| 40V4 S2 O" _/ h, o% f* c+ I
|
集电极连续电流" q; h+ B/ t* @9 b0 C1 X
| 500mA
4 Y4 U% {% y- X4 h |
峰值直流集电极电流: f$ M2 y* E2 O7 K
| 500mA
+ W# E5 N- g& h" O4 Y |
最小工作温度7 v+ D6 l1 [ q% c( X! U5 F
| -55C
+ N* h+ _8 u; D8 t8 E |
最大工作温度" i8 u9 e3 }2 X) L" Z9 P
| +150C- o: n6 y% G) V# }
|
系列
9 `3 J5 R! V5 @! r2 K8 z | DDTB1333 T& E/ b" n- q+ y, }# q5 L) Y
|
封装
% E% q* V9 p/ m+ w | Reel$ t- J$ Y* {% m# P1 p3 z
|
高度
: c- \8 N/ R, |! Y% H | 1mm
- y. x/ e, a: [8 A: D, G- v |
长度
, }7 M/ M8 o- O | 3.05mm
3 K) }7 y( R, H: d- { |
宽度 U' U }' C2 n6 F; C, s
| 1.4mm1 f/ H1 d, a0 F( z O: o! g
|
商标# X, a2 h7 j2 N
| DiodesIncorporated6 w, n6 y: X9 d( @
|
产品类型
4 x% `$ k/ i9 @. i8 A! V | BJTs-BipolarTransistors-Pre-Biased9 ?8 @# `$ ~8 a2 z. |& l
|
工厂包装数量
. H2 J% n7 m6 T: h- i | 3000
* U6 t2 ]7 \1 U; z |
子类别* b3 _7 k6 }( u2 M
| Transistors
; }% N6 P, u* W/ l" d |
单位重量
3 E/ J- [+ |$ @ | 8mg
7 l: b3 [/ M, p6 Y# | |