制造商
6 i: H; v1 ], M | DiodesIncorporated
6 t. f, s h' k( S* w# Z |
产品种类
- E$ Z+ B3 t! D( J4 I/ q9 f | 双极晶体管-预偏置! k# M- J" c7 c t
|
RoHS
, X# C, R0 Y1 h" U! W( e- z; B8 o& L | 符合
" ^# T2 m: H1 s" i* e1 H/ C U( X |
配置
I5 z- B3 |. m4 K/ v | Single: Y( @% A4 L5 k; i7 d* K- r1 z
|
晶体管极性
# \# S/ o6 n$ S, |! \& b6 O8 i | PNP, t% M( t+ O' I2 r& c
|
典型输入电阻器) S" E e& c: g% i; e* I
| 3.3kOhms
) Q! G5 a& r W |
典型电阻器比率. V5 u; [$ n5 z2 Z/ `' T7 O& {' M
| 0.33
# m9 H+ X3 p* w0 a- g- b' ~8 m |
安装风格4 F* K; n+ U* c7 y
| SMD/SMT
, D7 ^+ e) t& f* i |
封装/箱体# o& g2 j6 K% j0 S, J
| SOT-23-3% u2 x. p. t( b# }+ ~1 C
|
直流集电极/BaseGainhfeMin
: P3 \3 w# H: R$ d" G" x6 g Z8 Z+ a | 56
. p! b. F% K5 b7 b |
集电极—发射极最大电压VCEO" F5 a; D0 [7 d0 `% w
| 40V& b, J& P) F6 {: @) u
|
集电极连续电流( x. m- X) f4 D$ B# Q1 l5 U
| 500mA: Q4 r2 F) ^( w5 {. R: r+ |
|
峰值直流集电极电流
$ \" D- K) v& ^, L | 500mA% g2 }1 y( t3 V3 i+ T3 W
|
最小工作温度3 O. D, I, \+ e) |# I( B+ E
| -55C x0 M: U% `/ z0 b) \' o
|
最大工作温度! D( [+ B2 z& j, u$ A( G
| +150C
9 J- i. h3 Y8 W& [7 G4 h( F |
系列
6 }7 p: }* o8 V* W% S! R | DDTB1330 R8 x7 ?6 d; A: H
|
封装
/ S4 j$ ]- n! `$ U# u9 ~$ M& t- n | Reel4 j3 b0 I( A. K" G0 o+ E% j
|
高度
# u9 V( @4 T- G& S c# P& [( u | 1mm1 Y0 v0 T) X0 V0 c
|
长度! b& K/ h* y* c
| 3.05mm$ a$ d% z, ?" h3 c+ E6 r
|
宽度
2 f |! B4 {3 Q$ |; } | 1.4mm
; P# ?, r$ w( _$ ~2 i! ^7 D |
商标
/ Q! n1 b* v* G# b; ` | DiodesIncorporated
$ o% V X; C" E1 o |
产品类型8 e+ W0 X" r/ i( F9 r
| BJTs-BipolarTransistors-Pre-Biased
6 U, T2 N' ^" b |
工厂包装数量/ m9 B/ @2 z2 p3 e0 [0 h
| 3000
$ S2 m0 V; Z$ l2 n |
子类别/ P5 d9 E" Y3 T5 W- C- I
| Transistors$ ?/ B. Q3 Q( @1 c8 D2 l8 f9 Q
|
单位重量# K* q; y+ X j0 w/ W
| 8mg
4 W. x* F; k, n7 I. i' e7 Z |
/1 
发表于 2019-12-26 10:53
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