制造商" f4 O A6 b* {. N% W# l* \+ T
| DiodesIncorporated
& C3 B$ N) l1 i; {: _8 @- h |
产品种类/ p2 n4 S& h8 _
| 双极晶体管-预偏置
1 O1 ~: n# q4 B* b7 b( v |
RoHS
) ? V' p2 h* I. O) ^ | 符合
/ ]* Q/ o: {# q% N4 `2 k |
配置
' f w2 ]% r2 u: a$ I | Single3 {# w' s! d! q" y: t
|
晶体管极性
( T1 o% l; W& X6 v | PNP
$ ?; A+ u o$ @0 ]; y4 d* P8 j! |9 D |
典型输入电阻器5 u6 z- g! E L$ I/ i8 T7 Z3 @9 u
| 3.3kOhms
8 k$ z9 Q4 i& P1 e1 d7 C# o( c! \ |
典型电阻器比率
$ I: [* ?' Z, M | 0.33
6 ~8 A% }5 [3 R5 X+ Y# p9 G |
安装风格
: w0 C. |' ?' c2 g6 _/ ? | SMD/SMT
& l7 r* | [$ S6 q8 G |
封装/箱体: K2 v9 {6 E' m0 Y" k
| SOT-23-3" g& W! T: ~7 G6 w2 C+ M
|
直流集电极/BaseGainhfeMin5 z3 p: k1 U/ ? @: D4 h& X
| 565 i7 Y Z, V# g: ^3 k* a
|
集电极—发射极最大电压VCEO
( y0 E7 b% O; b: s | 40V
; w& c9 o) M+ O( E- [1 K% } |
集电极连续电流0 L9 k+ U. C" T" b' T# t- N
| 500mA
- C. ]' T3 b1 z; `' c |
峰值直流集电极电流- v# k3 ~9 p6 d# `$ k( j
| 500mA
4 U1 ]9 N$ i- S, k |
最小工作温度1 @ K! r( P. _3 Q' V, y- W
| -55C" a; K& A8 z! S* j I
|
最大工作温度
2 U, y1 h( k- c! a5 S. y6 y: ~ | +150C
, I4 [8 ~7 ^! @$ P |
系列: g' J, @9 N6 i; V# A
| DDTB1333 O5 h/ V' f5 h, @
|
封装
! k4 E+ x+ L- z8 Q1 |; Z | Reel; w& V9 |1 V( O6 k4 o( k
|
高度
. a5 x/ b2 V5 f; Z! p, {3 A2 a+ r | 1mm
* Y' o k1 a) x# B( i |
长度
6 X5 u% g: t( L$ A* C1 o; J | 3.05mm
/ ^# J4 A! u+ D N5 R3 P9 e. R3 Q |
宽度
1 G V) C: m4 { F5 x/ I& w# h& o | 1.4mm. I& X, J3 k, E
|
商标
( f, a' Q5 z) N7 U* f | DiodesIncorporated
, E% Z, B" ]8 F R |
产品类型
# K4 Y; i/ c" r; K* j | BJTs-BipolarTransistors-Pre-Biased
2 B5 V8 m0 d2 C& F" Y- S |
工厂包装数量
, I9 d) ]/ f8 d" r0 h: k | 3000
+ ^( m0 X7 l1 `5 b F- I |
子类别
" w' D1 B! m' `1 c" ^ | Transistors
& n' `* f( Z% L |
单位重量3 {6 A6 \; T5 F8 r* A
| 8mg+ ]% K* y; m7 U9 f; C
|