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请教一个NMOS管供电的电路

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  • TA的每日心情
    奋斗
    2022-6-11 15:23
  • 签到天数: 5 天

    [LV.2]偶尔看看I

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    1#
    发表于 2019-12-25 13:40 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    x
    . @& Q) l, g! `, y$ d  s
    如图,NMOS管正常不应该是由D到S导通,但在这个电路图中电源接的S,D端为输出,包括G端的连接方式也不太明白,请问该电路图是什么原理?跟上面连接的二极管有关系吗?3 n8 K" S7 Q8 {! Y

    该用户从未签到

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    发表于 2019-12-26 23:39 | 只看该作者
    防反电路,PMOS是对的。压降低
  • TA的每日心情
    奋斗
    2020-4-9 15:05
  • 签到天数: 6 天

    [LV.2]偶尔看看I

    推荐
    发表于 2019-12-26 11:08 | 只看该作者
    YOTC 发表于 2019-12-26 09:35
    1 p- n- I  d% e' F请问体二极管导通时,S端电压值VBAT-0.6V吗?

    4 g; s" m  t4 w/ w2 Y. ~3 Y! |是不是-0.6V要看MOS管规格书中关于体二极管Vf(也有会标注为Vsd、Vds)的参数。3 f! D) i& v) v1 I) s0 k8 w

    点评

    谢谢,请问你说的Vds就是下图红色圈起来的值吧? [attachimg]235426[/attachimg] 做为防反接,用了MOS管,二极管是不是就可以不用了,两者没必要一起上件吧(TI的文件好像是说MOS可以改善二极管的缺点,图上画的应  详情 回复 发表于 2019-12-26 15:47
  • TA的每日心情

    2025-3-20 15:56
  • 签到天数: 138 天

    [LV.7]常住居民III

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    发表于 2019-12-25 16:31 | 只看该作者
    感谢分享,学习
  • TA的每日心情
    奋斗
    2020-4-9 15:05
  • 签到天数: 6 天

    [LV.2]偶尔看看I

    推荐
    发表于 2019-12-25 14:30 | 只看该作者
    本帖最后由 topwon 于 2019-12-25 14:33 编辑
    : [# c( f, G& z# S
    . q# K9 p, Y3 G+ w MOS管防反接电路应用_TI.pdf (34.75 KB, 下载次数: 86)
    3 r: H# q6 `: ]' b7 D- H MOS管防反接电路应用_IRF.pdf (93.72 KB, 下载次数: 51)
    # y6 ^; `. W% Z  {! w  a' {3 {" \) r& p! E* V; b, j
    高端电源开关(用PMOS)和低端电源开关(用NMOS)的两种接法都有给出。

    点评

    谢谢分享!: 4.0 支持!: 4.0
    谢谢分享!: 4 支持!: 4
    谢谢分享  发表于 2019-12-25 15:11

    评分

    参与人数 1威望 +5 收起 理由
    超級狗 + 5 踢哀(TI)的文檔不錯!^_^

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  • TA的每日心情
    奋斗
    2020-4-9 15:05
  • 签到天数: 6 天

    [LV.2]偶尔看看I

    2#
    发表于 2019-12-25 14:07 | 只看该作者
    这个设计图应该是画错了。高端电源开关应该用PMOS管。接法是D接输入,S接输出,D10一般情况下也不需要安装,因为可以用MOS管工艺形成的体二极管(PMOS中由D->S)实现。电路作用,防反接电路。电路原理,电源正接时,体二极管正向导通,S极电压高于G极超过VGSon时,MOS管导通分流。目的,相比用二极管做的防反电路,减小了正向压降损耗。

    该用户从未签到

    4#
    发表于 2019-12-25 15:02 | 只看该作者
    防反接电路
  • TA的每日心情
    奋斗
    2021-1-4 15:01
  • 签到天数: 16 天

    [LV.4]偶尔看看III

    5#
    发表于 2019-12-25 15:19 | 只看该作者
    这个设计图应该是画错了。防反接电路一般用PMOS。
  • TA的每日心情
    奋斗
    2020-4-9 15:05
  • 签到天数: 6 天

    [LV.2]偶尔看看I

    6#
    发表于 2019-12-25 15:58 | 只看该作者
    Lanceoo00 发表于 2019-12-25 15:19- b' D0 _0 A8 V: \4 B1 a+ j
    这个设计图应该是画错了。防反接电路一般用PMOS。

    7 T! A' d1 a) t$ K$ \* k2 ]! ENmos防反电路也有啊。关键看MOS管的位置,切断电源的要用pmos,切断地的要用nmos。pmos一般来说比较贵,导通电阻也会大一些。nmos的话会有地电平浮动的问题。
    2 z2 n7 @7 y- e: b

    点评

    同意你的观点  发表于 2019-12-26 08:33
  • TA的每日心情
    奋斗
    2019-12-30 15:44
  • 签到天数: 2 天

    [LV.1]初来乍到

    8#
    发表于 2019-12-25 19:44 | 只看该作者
    请问在VBAT供电瞬间,在MOS没有导通之前,S端电压值是如何由零电平升到开启电压(上电瞬间S端应该是零电平吧)?靠的是体二极管吗?谢谢
    . i- F  @' a  o# s- M
    5 S6 Q9 b* Z6 y; a% |/ I+ C
    7 d' X+ `+ E1 M8 m7 S* y
  • TA的每日心情
    奋斗
    2021-1-4 15:01
  • 签到天数: 16 天

    [LV.4]偶尔看看III

    10#
    发表于 2019-12-26 08:34 | 只看该作者
    本帖最后由 Lanceoo00 于 2019-12-26 08:35 编辑
    " |, a* P4 ~. N0 A# }; q7 k! P
    YOTC 发表于 2019-12-25 19:44
    8 R% U. n8 S2 ?8 E5 t. v请问在VBAT供电瞬间,在MOS没有导通之前,S端电压值是如何由零电平升到开启电压(上电瞬间S端应该是零电平 ...

    : t4 o; i- S7 w. B3 m$ o( s! d; l/ O( D上电瞬间靠体二极管来导通。上电后S端电压上升,G与S就有压差了,此时靠的就是MOSFET了
  • TA的每日心情
    奋斗
    2019-12-30 15:44
  • 签到天数: 2 天

    [LV.1]初来乍到

    11#
    发表于 2019-12-26 09:35 | 只看该作者
    Lanceoo00 发表于 2019-12-26 08:34& }/ Q6 e  X- f# o( Y
    上电瞬间靠体二极管来导通。上电后S端电压上升,G与S就有压差了,此时靠的就是MOSFET了
    3 ~6 L: k, N, e+ o# k6 t  H3 y! r
    请问体二极管导通时,S端电压值VBAT-0.6V吗?
    + F6 r% ~4 c* \! \! }0 [
    5 @* \( i# m' m2 d

    该用户从未签到

    12#
    发表于 2019-12-26 09:59 | 只看该作者
    The simplest protection against reverse battery protection is a diode in series with the battery, as8 r, a: j' [7 i* W
    seen in Figure 1.

    该用户从未签到

    13#
    发表于 2019-12-26 10:02 | 只看该作者
    这个12VCC是输入吗?
    6 d' [& d/ {$ ?% l% O; ]

    该用户从未签到

    14#
    发表于 2019-12-26 10:18 | 只看该作者
    Q6是干嘛用的,续流吗
  • TA的每日心情

    2025-11-5 15:00
  • 签到天数: 47 天

    [LV.5]常住居民I

    15#
    发表于 2019-12-26 11:04 | 只看该作者
    感觉大家都很热心
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