EDA365欢迎您登录！
您需要 登录 才可以下载或查看，没有帐号？注册
x
下面是对场效应管的测量方法4 {& M: G8 U1 i) D8 U0 |$ X
场效应管英文缩写为FET。可分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(MOSFET)，我们平常简称为MOS管。而MOS管又可分为增强型和耗尽型而我们平常主板中常见使用的也就是增强型的MOS管。
" h0 s( h8 N; Q 下图为MOS管的标识 我们主板中常用的MOS管G D S三个引脚是固定的。。。不管是N沟道还是P沟道都一样。。。把芯片放正。。。从左到右分别为G极D极S极！如下图：
4 U+ R8 |4 f( E" |1 t, p 用二极管档对MOS管的测量。。。首先要短接三只引脚对管子进行放电。。。 0 U) K: X3 s; ]7 Q
1、然后用红表笔接S极.黑表笔接D极.如果测得有500多的数值..说明此管为N沟道..
+ d- C, W& ^8 Z( \. H& U! n. ? 2、黑笔不动..用红笔去接触G极测得数值为1 / X( N+ M; l+ S. q* W" |* x
3、红笔移回到S极.此时管子应该为导通... ! |4 L4 M* O) ?* _
4、然后红笔测D极.而黑笔测S极.应该测得数值为1.(这一步时要注意.因为之前测量时给了G极2.5V万用表的电压..所以DS之间还是导通的..不过大概10几秒后才恢复正常...建议进行这一步时再次短接三脚给管子放电先)5、然后红笔不动.黑笔去测G极..数值应该为1 : n3 [ u3 a/ ?5 ]* y
到此我们可以判定此N沟道场管为正常 % j) n4 S$ Q4 Q1 R2 H5 j: o
有的人说后面两步可以省略不测...不过我习惯性把五个步骤全用上。。。当然.对然P沟道的测量步骤也一样...只不过第一步为黑表笔测S极.红表笔测D极..可以测得500多的数值..
# v5 _1 s: s$ V% c1 ^ 场效应管G16P03的参数
# ?$ K, _7 \* y) L5 ~+ }' m2 T/ g 品牌 :GOFORD
( k* h2 k' w( b0 H& _, k 种类 :绝缘栅(MOSFET)
9 S: Y1 X# o. X& J! T 导电方式 :增强型0 R0 b+ Z( q* _: y- O0 p
封装外形 :SMD(SO)/表面封装
4 s7 P" x7 q- B& u 型号 :G16P03
. B0 G2 d O) I! w- ]+ h 沟道类型 : P沟道) [' O4 B+ _& r6 n
用途 :S/开关
' e' n: G3 J+ C! ? 材料 : P-FET硅P沟道 ! r: t/ \6 P; }. E/ x8 E+ H
| 
/1 
发表于 2019-12-16 15:40
收藏
淘帖
支持！
反对！