找回密码
 注册
关于网站域名变更的通知
查看: 516|回复: 2
打印 上一主题 下一主题

线性稳压器LDO选择与使用技巧

  [复制链接]
  • TA的每日心情
    开心
    2019-11-29 15:37
  • 签到天数: 4 天

    [LV.2]偶尔看看I

    跳转到指定楼层
    1#
    发表于 2019-12-4 09:32 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

    EDA365欢迎您登录!

    您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册

    x
    本帖最后由 HelloEE 于 2019-12-4 09:32 编辑
    6 P" B. |$ w9 Y8 _1 v% B& w, T, Z* ?
    在做电源实验时,经常能够听到:电源芯片怎么这么烫;电源芯片又又又烧了。发生这些问题的原因大多数情况是在设计原理图时,同学们经常直接照着典型应用电路设计,更甚者是网上搜一个别人的设计就用。不重视器件工作原理和性能特征,虽然表面上也能达到输出电压的要求,但是这里面存在很多设计隐患。! a1 Z/ E+ I7 X* ]
    在一个设计项目中,我们设计最多的就是电源,给我们板子上不同的器件输出不同的电流电压。LDO(线性变换器)可以得到不同的直流电压输出,成本低、性能好,且使用起来也很简单,让LDO稳压芯片用的也越来越多,几乎每块开发板都有其身影。
    2 Z4 H+ f2 x2 o1 L6 S( o. N
    LDO电源芯片虽然用起来比开关电源简单许多,但是在设计过程中我们要结合项目的使用场景,选择合适的LDO,否则也会出现开头说的电源芯片发烫或者烧了的情况。
    ☞ 在开始选择并设计LDO电路前,我们需要明白LDO的工作原理

    , ^* J6 S5 h% H8 L2 |. T/ b6 ^" h在LDO回路中的晶体管运行于线性区,就像放置了一个可调电阻在输入与输出之间,勉强承受两个节点之间的电压降。VIN12v进来,VCC输出,晶体管Q1做调节,反馈的电路电阻判断输出电压达到多少伏,再反过来控制晶体管的导通角度。通过调节晶体管Q1的线性工作点,能够让输出的电压稳定在某一个值。因为LDO没有开关器件,完全靠晶体管的导通角度来控制输出,所以LDO的噪声是uv级别的。☞ LDO的效率为:ηLR=Vo/Vin,从上面的介绍的原理看,LDO的输入输出的电流是一样的,输入输出的电压是不同,电压差就完全靠Q1来承受。% |5 P0 I/ [0 t4 z

    0 u) H3 H: j. I/ s
    从上面的曲线图可以看出来随着压差的增大,效率就越低。假如LDO的输入是12v,输出是6v,工作效率就是50%。当然,如果有需要低压差的场景,比如5v输入,4.5v输出,这样效率就能达到90%。但这样的场景毕竟是少数,而且需要非常低压差的LDO实现。
    ' Z, I. I3 u7 X) I" z
    我们大部分常见的电源转换电路,比如5v转3.3v,转2.5v。压差比较大是对LDO效率非常大的挑战。

    " s" g' }/ S" ]' B# b6 m! h
    在使用LDO的过程中,我们需要十分注意LDO效率与电流的问题。LDO效率低并不是非常可怕,怕是当电流比较大的时候,大部分的功率就损耗在晶体管Q1上,晶体管会产生热量,当晶体管温度达到一定高度时,就LDO无法保证正常工作了。
    1 e" |6 m! V8 h' X# R' E) ^
    ☞ LDO非常重要的参数——LDO压降(VDO),是指输入与输出之间能够维持正常工作的最小压差。要维持内部的工作,晶体管的PN结是有压降,所以这个压降是一定会存在,而且是消除不了。
    从上图,我们可以总结两点:LDO的输入必须比输出高,即VIN=VOUT+VDO;随着流过LDO的电流增大,维持LDO正常工作的压差也会随即增大。这也是在做LDO设计的时候不得不考虑的点。
    ☞ 压差的存在,系统电流又是恒定的,LDO压降产生的功率全都集中在了晶体管上。温度超过额定温度之后,LDO就会停止工作。所以在设计过程中,另外一点就是LDO损耗功率和发热的问题。
    + X; I2 ]' e8 F0 ^- ?
    LDO的最大功率损耗(PD)的定义是:
    PD= [VIN(max)-VOUT]*Iout+ IQ*VIN(max)
    , J( Z( i$ h  ~: k6 d3 O. T7 }
    上面的公式可以认定为损耗在晶体管上的功耗,红色部分是静态功耗,通常只占到损耗功率的1%以内,可以忽略不计,只需要考虑输入输出之间的压降带来的功率损耗。
    LDO的结温(TJ)是:
    TJ 超过额定的温度后,芯片就会烧掉,所以我们要怎么控制这个温度。增加散热器是为了增加散热器到空间的散热效果,可以把热量尽快的散出去,确保内核温度TJ 不会超过最大的规格书标定的可以正常运行的结温TJ 。

    ! b, g' `/ Q$ D8 N
    除了散热器之后,LDO芯片不同封装有不同的热阻,依照最大PD选择正确的封装形式。下图三种不同封装,有不同的内核热阻,结温的效果差异非常大:
    ☞ 为了系统更稳定,LDO在输入输出端经常可见滤波电容,输入电容CIN和输出电容Cout。对于输入电容选择不合适,就会在瞬态突变负载时进入跌落状态;而输出电容则影响稳定性和瞬态响应。如果Cout的类型和/或值没有选择恰当,一些LDO可能存在稳定性问题。一般来说,较大的Cout值会减少峰值偏移,改善瞬态响应。通常,用于暂态响应的最佳Cout是不同类型电容器并联组合。
    ( s" _' {6 y# B+ g) q4 a4 s
    在设计LDO电路的时候,大多数人会直接根据典型应用电路设计。但是以后要记得在设计电路前,查看芯片规格说上关于电容大小的说明:
    : h+ W0 p# b' D) {1 U! _6 o

    " j% H+ }$ t3 {
    ☞ 在一些仪器仪表应用场合,既需要非常低的噪声,又希望获得更大的电流,这就不得不通过并联LDO的方式实现。
    " k  Q$ w; q. Y; {2 Q
    这里有个问题,传统的LDO输出电压是靠两个电阻的反馈去控制晶体管的工作线性。但是两个电阻都是有误差的,如果一个电阻正偏1%的误差,一个反偏1%的误差,输出的误差就会增加一倍为2%。

    / F$ e8 {8 _& k; @2 Q* a3 M
    考虑到我们的要求是两个LDO并联需要更大电流的时候,如果一个LDO输出是3.3V,另外一个并联的LDO不是3.3V,这时候两个LDO的电流是不平衡的。同一个负载输入电压高的那一路,电流一定比较大,所以传统的LDO做并联是非常糟糕的,两个LDO会相继炸掉。
    . }9 P, M( w: [0 v! o1 c! m
    这时,就需要对LDO的内部工作结构进行创新,从由两个电阻控制晶体管工作,改变为反馈电压直接回来,这样设计使得LDO极大改善了电压调节能力和瞬态响应。

    8 K) L0 Q% Z& ~- ^/ d3 s0 u* L

    7 I! H* B4 }6 d新的LDO用电流作为基准,直接通过反馈控制工作状态,不需要更复杂的反馈电阻,所以输出电压降到0也是可能的。只需要一个电阻设置基准点,就可以控制输出电压。输出电压直接到负反馈,电流是恒定的,通过调节电阻,就相当于设置基准电压,即使两个LDO并联,误差对电流的影响已经非常小了。最后,虽然LDO简单好用,但是LDO这些隐藏的“坑”直接影响你的设计结果。在设计前,多思考一步,就会少烧一颗芯片。
    & r. O6 p. ^# v+ s6 A; f
    - q7 V( ?  F; X) R# J9 o0 g, a

    评分

    参与人数 1威望 +5 收起 理由
    CE_Manager + 5

    查看全部评分

  • TA的每日心情
    开心
    2022-2-7 15:16
  • 签到天数: 61 天

    [LV.6]常住居民II

    2#
    发表于 2019-12-4 10:09 | 只看该作者
    深入浅出,后面将收录到我们的电源器件的课程中,也希望其它的同学参考;
    8 h2 L1 G; b+ Q. s4 f$ j后面还要HELLOEE同学多协助,

    点评

    ,谢谢老师鼓励!加油~  详情 回复 发表于 2019-12-4 10:22
  • TA的每日心情
    开心
    2019-11-29 15:37
  • 签到天数: 4 天

    [LV.2]偶尔看看I

    3#
     楼主| 发表于 2019-12-4 10:22 | 只看该作者
    CE_Manager 发表于 2019-12-4 10:09
    , g* f  s( [5 Y8 ^, `0 E+ [深入浅出,后面将收录到我们的电源器件的课程中,也希望其它的同学参考;
    & U5 W: _7 w: c- B$ t3 x后面还要HELLOEE同学多协助,:hu ...

    7 x$ ~7 x, X4 P+ S2 e,谢谢老师鼓励!加油~& T& \* z! ]( r3 d4 w
    您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

    本版积分规则

    关闭

    推荐内容上一条 /1 下一条

    EDA365公众号

    关于我们|手机版|EDA365电子论坛网 ( 粤ICP备18020198号-1 )

    GMT+8, 2025-10-11 19:19 , Processed in 0.171875 second(s), 31 queries , Gzip On.

    深圳市墨知创新科技有限公司

    地址:深圳市南山区科技生态园2栋A座805 电话:19926409050

    快速回复 返回顶部 返回列表