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由上图可知,C1的电感性区域,与C2的电容性区域,会有个交叉点的频率,9 G& D* F7 p- W, o* \1 O) P7 D
该交叉点正好会产生并联谐振,使阻抗升大,故该频率点称之为反谐振。
# u( I! s; }5 s5 q+ }" d, K. d* ~# s落地电容的阻抗越大,则流到GND的噪声就越少,/ j8 b" J* \* W6 d" P5 l0 f
这意味着反谐振频率点的抑制噪声能力,会大幅下降。; z( t( Z( Y; q/ w6 k7 c$ p- Y& u
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9 m( d8 v9 n+ E* a3 \- C
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而由下图可知 当并联的电容值很接近时 反谐振点 有可能座落在噪声频率范围* a+ P9 b2 [8 D6 a8 L/ Z( N9 c+ C6 q
' C( O& P9 I5 G( q% c: |+ N/ f* D( }) E1 T
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8 U1 C, X. F, T, {" R9 O4 r0 }
然而最重要的,仍是电容的ESR,; [- ~. T. N8 X, m7 G8 w( e% i) U
由上图可知,虽然在1305MHz处,会有反谐振,
5 }5 L2 r. V$ z1 }但因为其33pF与30pF的ESR都够小,所以反谐振频率点的Insertion Loss,都还有37 dB。4 ?- t% e' x" Y
而如下图,虽然两个同值33pF电容并联,没有反谐振问题,' R2 K. z4 m0 T! C
但因为其ESR不够大,以至于其SRF的Insertion Loss,也才28 dB,仍小于上图反谐振频率点的37 dB,
/ ~8 \. d6 }7 k因此虽然电容值的差异,会产生反谐振,但真正决定抑制噪声能力的,仍是电容本身的ESR。
+ G. Z$ H5 E/ U/ N7 Q& |0 `, |+ f7 a6 z
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$ Z, X$ c, j4 ?' _8 C: g
+ Y, X) {' x; i' v. j
4 l7 _6 u( m3 R W. D5 A3 a简单讲 只要阻抗够低 就算反谐振点 一样有砍噪声的能力
+ v: b8 E* `. P* R6 H) R0 u s$ ~/ j! m2 N
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+ M' R; k& o* l3 `- Z& d
6 L S! P2 `& Z$ l至于PA的VBAT上,都是UF,NF,PF几个电容! F8 `% G! J% K/ P9 E% ^; }# g$ ~
有没有反谐振? 有
_/ h5 [% Y9 i5 g8 _ Y$ m K7 {阻抗会不会升很高? 会
' ?7 z6 E* [# c3 y' A' [0 _但问题是 不同量级电容 所产生的反谐振点! {# `& H2 L$ G8 r0 B9 K
其频率范围 通常没啥噪声+ E% J' J+ u" v1 v' r9 b
既然这样 阻抗高 有差吗?' }7 R( j# m) w
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- @- Z( g& J; o* D关于反谐振 可参考这篇: w0 E+ Y' i1 a; a/ l, s, |
https://www.eda365.com/thread-105471-1-1.html
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