|
; O( f6 M9 p; P K7 T0 l* W7 @6 n- }0 d% j4 u% l7 z- E
* d" }% a% H4 Q' P/ G
; R* X8 e4 @7 S) r0 m由上图可知,C1的电感性区域,与C2的电容性区域,会有个交叉点的频率,
) A4 n$ b3 a o& g该交叉点正好会产生并联谐振,使阻抗升大,故该频率点称之为反谐振。" B% d$ t, f, z! F$ v$ V4 U
落地电容的阻抗越大,则流到GND的噪声就越少,
8 u" ?: ]# g1 h4 T( T这意味着反谐振频率点的抑制噪声能力,会大幅下降。4 z2 \! G5 y+ M0 [
8 K3 \+ r5 f; K$ `* v1 r
" f/ O# l. w* L7 ^( l& i0 F" Q1 l
% \% m% x+ D9 \9 q8 h- M. v$ d5 o. m O8 J8 d5 \
: @: y& B8 S4 d& I+ C
# m, T3 ]& }( E% P3 K# D' H- }9 _0 m9 {- w8 F2 h
而由下图可知 当并联的电容值很接近时 反谐振点 有可能座落在噪声频率范围6 d; T( y; k+ ?/ B- M1 W0 D
' y9 ^2 _5 b7 }% H" H
4 V3 P# W3 z+ {
1 s) B6 M: M+ W' v4 `2 z5 w9 Q" y! o9 r$ ^/ p9 m, l r& g
然而最重要的,仍是电容的ESR,
v9 v2 P1 O+ `由上图可知,虽然在1305MHz处,会有反谐振,; H3 Z3 K. Q" D, T% @( |
但因为其33pF与30pF的ESR都够小,所以反谐振频率点的Insertion Loss,都还有37 dB。
$ U8 \1 a, ~4 p, R$ _/ Q而如下图,虽然两个同值33pF电容并联,没有反谐振问题,6 n* c0 v( I: O( J
但因为其ESR不够大,以至于其SRF的Insertion Loss,也才28 dB,仍小于上图反谐振频率点的37 dB,
) _! r6 I: B3 I5 U P# W5 p; Z因此虽然电容值的差异,会产生反谐振,但真正决定抑制噪声能力的,仍是电容本身的ESR。
) a6 U" T5 w2 l8 z4 t& e0 A4 [ r. Z: y# y3 J4 j2 q! w
8 T3 ~5 W0 b! G0 t
/ v" Z" C5 y. T8 ]. |# Z1 W
! L1 M, ^2 P8 ?9 _; K" P0 Z3 K2 C( V8 f; M/ @' r: q+ X
简单讲 只要阻抗够低 就算反谐振点 一样有砍噪声的能力
6 O. Z% |* f( G- v
3 `7 q- ]% P7 X
" U3 [5 Z$ N' O$ t' J( G
2 A! W4 w/ E P
) D( {7 R/ u% P Q0 K7 ]* y至于PA的VBAT上,都是UF,NF,PF几个电容+ |8 c, f- e& H1 ^3 i8 r" |2 _
有没有反谐振? 有
( f0 ~! e# d( D! g5 l6 j- F: |阻抗会不会升很高? 会
/ p8 u& O' W5 g- t/ h/ x但问题是 不同量级电容 所产生的反谐振点
, T" y4 t& ?; L5 ]+ W" R* e, b/ ]6 `其频率范围 通常没啥噪声
% \/ k, I, L; C$ ~6 w! l既然这样 阻抗高 有差吗?
% i+ X# W- N+ E: c5 I$ c6 f& S5 p- @- R) H4 P: S+ D/ t. i7 q5 F3 l
) E; x2 M- ~& D, }! c关于反谐振 可参考这篇
z$ K" G7 ~! ?- m, Fhttps://www.eda365.com/thread-105471-1-1.html
4 Y7 K# U" v/ c; Q) W' E8 y. ~- a. A: ?6 `! d
4 \ ]! W6 O: x5 w& v7 T. M2 C8 L5 F
|
|