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; q9 A3 L$ G- ]7 W& i0 ?2 F( C" N" `! z9 ]
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' g; D& B. i- \- _& m由上图可知，C1的电感性区域，与C2的电容性区域，会有个交叉点的频率，
! Q: v4 {3 w5 I1 F该交叉点正好会产生并联谐振，使阻抗升大，故该频率点称之为反谐振。* Z! u5 d( O" a& G# l) V' j
落地电容的阻抗越大，则流到GND的噪声就越少，
7 T1 I7 r9 ]7 B( x这意味着反谐振频率点的抑制噪声能力，会大幅下降。. y& D c- o( M6 S8 U' _* z2 S# ]
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i, v$ P- w ~1 |6 @6 S2 {$ m) Q. e- N/ ?/ Y7 \) O( A
而由下图可知 当并联的电容值很接近时 反谐振点 有可能座落在噪声频率范围
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: f6 v: J) Z5 _+ V; D- A- C9 y1 h然而最重要的，仍是电容的ESR，
% h5 w8 w& n# \" }4 {由上图可知，虽然在1305MHz处，会有反谐振，6 s$ f9 |+ ? d1 c' G- ~
但因为其33pF与30pF的ESR都够小，所以反谐振频率点的Insertion Loss，都还有37 dB。
6 g% R ]9 m* i# [2 `而如下图，虽然两个同值33pF电容并联，没有反谐振问题，! V U4 d/ y. c: [/ q: V, p! c
但因为其ESR不够大，以至于其SRF的Insertion Loss，也才28 dB，仍小于上图反谐振频率点的37 dB，
1 }8 l# o, F2 F; P1 R$ W因此虽然电容值的差异，会产生反谐振，但真正决定抑制噪声能力的，仍是电容本身的ESR。
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8 u( c* {0 x. o- \! n# z% y4 ]" Z$ r" M( I% O/ S4 A7 o# C( x' q7 U
( q. i5 G3 m! o) f简单讲 只要阻抗够低 就算反谐振点 一样有砍噪声的能力7 T$ d& W. c s) P$ j5 x
( I) I* X3 q1 ^* S+ I3 g( j j K# p
& ?: j3 R( i" j/ c2 h/ X
9 U$ n/ Z1 m/ G2 U至于PA的VBAT上，都是UF,NF,PF几个电容
( [$ ~; \& v; R9 v, G( _有没有反谐振? 有 # @1 u8 o, S, |/ a8 w$ U% |# Q
阻抗会不会升很高? 会
z% A& E( H0 S- D- `/ i! b但问题是 不同量级电容 所产生的反谐振点
; u1 ] ]7 o2 n% X其频率范围 通常没啥噪声
, W/ ?: ]" K u' L4 k2 Z( N" H既然这样 阻抗高 有差吗?* ?$ s2 [# I7 u3 i- T+ f
8 l& W4 n5 ?0 Y! Z& T- {
& F/ D3 W/ P, z2 m' h
关于反谐振 可参考这篇
# |4 @3 ]: o6 t6 Qhttps://www.eda365.com/thread-105471-1-1.html4 N3 h% [ u+ Q- E
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发表于 2019-10-12 18:31
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发表于 2019-10-16 17:43
